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內容簡介

　　單晶矽的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱係統及熱場、晶體生長控製器、原輔材料的準備、直拉單晶矽生長技術、鑄錠多晶矽工藝、摻雜技術等內容。《太陽能光伏産業：直拉單晶矽工藝技術》可作為高職高專太陽能光伏産業矽材料技術專業的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶矽生産的企業員工的培訓教材，還可供相關專業工程技術人員學習參考。

內頁插圖

目錄

緒論
第1章 單晶矽的基本知識
1.1 晶體和非晶體
1.2 單晶和多晶
1.3 空間點陣和晶胞
1.4 晶麵和晶嚮
1.5 晶體的熔化和凝固
1.6 結晶過程的宏觀特徵
1.7 晶核的形成
1.8 二維晶核的形成
1.9 晶體的長大
1.10 生長界麵結構模型
習題

第2章 直拉單晶爐
2.1 直拉單晶爐設備簡介
2.2 直拉單晶爐的結構
2.3 機械部分
2.4 電氣部分
2.5 直拉單晶爐的工作環境
習題

第3章 直拉單晶爐的熱係統及熱場
3.1 熱係統
3.2 熱係統的安裝與對中
3.3 熱場
3.4 溫度梯度與單晶生長
3.5 熱場的調整
習題

第4章 晶體生長控製器
4.1 CGC－101A型晶體生長控製器功能簡介
4.2 CGC－101A型晶體生長控製器的開關狀態說明
4.3 CGC－101A型晶體生長控製器的鍵盤操作說明5
4.4 CGC－101A型晶體生長控製器參數設置及定義
4.5 CGC－101A型晶體生長控製器使用說明
習題

第5章 原輔材料的準備
5.1 矽原料
5.2 石英坩堝
5.3 摻雜劑與母閤金
5.4 其他材料
5.5 原輔材料的腐蝕和清洗
5.6 腐蝕原理及安全防護
5.7 自動矽料清洗機簡介
習題

第6章 直拉單晶矽生長技術
6.1 直拉單晶矽工藝流程
6.2 拆爐及裝料
6.3 抽空及熔料
6.4 引晶及放肩
6.5 轉肩及等徑
6.6 收尾及停爐
6.7 拉速、溫校麯綫的設定
6.8 堝升速度的計算方法
6.9 異常情況及處理方法
習題

第7章 鑄錠多晶矽工藝
7.1 光伏産業簡介
7.2 鑄錠多晶矽爐的結構
7.3 鑄錠多晶矽工藝流程
7.4 鑄錠多晶矽的優缺點
習題

第8章 摻雜技術
8.1 雜質
8.2 導電型號
8.3 熔矽中的雜質效應
8.4 雜質的分凝效應
8.5 Keff與K0的關係
8.6 結晶後固相中的雜質分布規律
8.7 摻雜
習題

附錄1 矽的物理化學性質（300K）
附錄2 矽中雜質濃度和電阻率關係
附錄3 元素周期錶
附錄4 立方晶係各晶麵（或晶嚮）間的夾角
附錄5 無塵室的分級標準
參考文獻

精彩書摘

　　第1章 單晶矽的基本知識
　　1.7 晶核的形成
　　液體結晶成晶體，總得首先從一個結晶核開始，然後逐步長大成為晶體。這個結晶核稱為晶核。晶核的形成有兩種方式：液體內部由於過冷，自發生成的叫做自發晶核；藉助於外來固態物質的幫助，如在籽晶、堝壁、液體中的非溶性雜質等錶麵上産生的晶核，稱為非自發晶核。
　　自發晶核形成的過程如下。
　　晶體熔化後成液態（熔體），固態結構被破壞，但在近程範圍內（幾個或幾十個原子範圍內）仍然是動態規則排列，即在某一瞬間，近程範圍內的原子排列和晶體一樣有規則：另一瞬間，某個近程範圍內的原子，由於原子的振動（熱運動）跑走幾個，但在新的近程範圍內仍然是有規律的排列，因此，液態結構與固態和氣態相比，更接近固態。晶體的液態結構和固態結構比較，液態時的原子結閤力較弱，遠程規律受到破壞，近程仍然繼續保持著動態規則排列的小集團，這小集團稱作晶體的晶胚。晶胚與晶胚之間位錯密度很大，類似於晶界結構。熔體原子的激烈振動，使得近程有序規律瞬時齣現，瞬時消失。某個瞬間，熔體中某個局部區域的原子可能在瞬間聚集在一起，形成許多具有晶體結構排列的小集團，這些小集團也可能瞬時散開。

前言/序言

太陽能光伏産業·矽材料係列教材：直拉單晶矽工藝技術 下載 mobi epub pdf txt 電子書

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