集成電路係統設計、驗證與測試 9787030214904 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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美Louis Scheffer 著

圖書標籤:

• 集成電路
• 係統設計
• 驗證
• 測試
• 數字電路
• 模擬電路
• VLSI
• EDA
• 芯片設計
• 電子工程

店鋪： 博學精華圖書專營店

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030214904

商品編碼：29657687906

包裝：平裝

齣版時間：2008-06-01

基本信息

書名:集成電路係統設計、驗證與測試

：62.00元

售價：42.2元,便宜19.8元,摺扣68

作者:(美)Louis Scheffer

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2008-06-01

ISBN：9787030214904

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.781kg

編輯推薦

內容提要

本書是“集成電路EDA技術”叢書之一，內容涵蓋瞭IC設計過程和EDA，係統級設計方法與工具，係統級規範與建模語言，SoC的IP設計，MPSoC設計的性能驗證方法，處理器建模與設計工具，嵌入式軟件建模與設計，設計與驗證語言，數字仿真，並詳細分析瞭基於聲明的驗證，DFT，而且專門探討瞭ATPG，以及模擬和混閤信號測試等，本書還為IC測試提供瞭方便而全麵的參考。
本書可作為從事電子科學與技術、微電子學與固體電子學以及集成電路工程的技術人員和科研人員即以高等院校師生的常備參考書。

目錄

第1部分 介紹
　第1章 引言
　1.1 集成電路電子設計自動化簡介
　1.2 係統級設計
　1.3 微體係結構設計
　1.4 邏輯驗證
　1.5 測試
　1.6 RTL到GDSII，綜閤、布局和布綫
　1.7 模擬和混閤信號設計
　1.8 物理驗證
　1.9 工藝計算機輔助設計
　參考文獻
　第2章 IC設計流程和EDA
　2.1　緒論
　2.2　驗證
　2.3 實 現
　2.4　可製造性設計
　參考文獻
第2部分 係統級設計
　第3章 係統級設計中的工具和方法
　3.1　緒論
　3.2　視頻應用的特點
　3.3　其他應用領域
　3.4　平颱級的特點
　3.5　基於模型的設計中計算和工具的模型
　3.6　仿真
　3.7　軟、硬件的協同綜閤
　3.8　總結
　參考文獻
　第4章 係統級定義和建模語言
　4.1　緒論
　4.2　特定領域語言和方法的調研
　4.3　異構平颱及方法學
　4.4　總結
　參考文獻
　第5章 SOC基於模塊的設計和IP集成
　5.1 IP復用和基於模塊設計的經濟性問題
　5.2 標準總綫接口
　5.3 基於聲明驗證的使用
　5.4 IP配置器和生成器的使用
　5.5 設計集成和驗證的挑戰
　5.6 SPIRIT XML數據手冊提案
　5.7 總結
　參考文獻
　第6章 多處理器的片上係統設計的性能評估方法
　6.1　緒論
　6.2　對於係統設計流程中性能評估的介紹
　6.3　MPSoC性能評估
　6.4　總結
　參考文獻
　第7章 係統級電源管理
　 7.1　緒論
　7.2　動態電源管理
　7.3　電池監控動態電源管理
　7.4　軟件級動態電源管理
　7.5　總結
　參考文獻
　第8章 處理器建模和設計工具
　8.1　緒論
　8.2　使用ADL進行處理器建模
　8.3　ADL驅動方法
　8.4　總結
　參考文獻
　第9章　嵌入式軟件建模和設計
　9.0　摘要
　9.1　緒論
　9.2　同步模型和異步模型
　9.3 同步模型
　9.4　異步模型
　9.5　嵌入式軟件模型的研究
　9.6　總結
　參考文獻
　第10章 利用性能指標為IC設計選擇微處理器內核
　10.1　緒論
　10.2　作為基準點測試平颱的ISS
　10.3　理想與實際處理器基準的比較
　10.4　標準基準類型
　10.5 以往的性能級彆MIPS、MOPS和MFLOPS
　10.6　經典的處理器基準（早期）
　10.7　現代處理器性能基準
　10.8　可配置性處理器和處理器內核基準的未來
　10.9　總結
　參考文獻
　第11章 並行高層次綜閤：一種高層次綜閤的代碼轉換方法
　11.1　緒論
　11.2　技術發展水平的背景及調研
　11.3　並行HLS
　11.4 SPARK PHLS框架
　11.5　總結
　參考文獻
第3部分 微體係結構設計
第4部分　邏輯驗證
第5部分　測試

作者介紹

文摘

序言

《微電子學基礎原理與器件工藝》 本書旨在係統性地闡述微電子學領域的核心概念、基本原理以及支撐現代集成電路製造的關鍵工藝技術。全書內容循序漸進，從半導體物理的基礎知識齣發，逐步深入到各種微電子器件的結構、工作原理及其製造流程，為讀者構建起一個紮實而全麵的微電子學知識體係。 第一部分：半導體物理學基礎 本部分是理解後續內容的關鍵，我們將從原子結構和化學鍵開始，引申齣固體的能帶理論，這是理解半導體導電特性的基石。 原子結構與化學鍵： 介紹原子模型，包括原子核、電子層、軌道等概念。重點講解共價鍵、離子鍵和金屬鍵，並重點闡述在半導體材料中起決定性作用的共價鍵。 晶體結構與晶格： 介紹晶體的周期性結構，如立方晶係、六方晶係等，並以矽（Si）和砷化鎵（GaAs）等常見半導體材料為例，講解其晶格結構、晶麵和晶嚮的概念。理解晶體結構對於理解載流子在晶體中的輸運行為至關重要。 能帶理論： 這是理解半導體導電性的核心。我們將詳細講解電子在晶體中的能級分布，導帶、價帶和禁帶的概念。闡述本徵半導體、N型半導體和P型半導體的形成，以及它們的費米能級位置。 載流子輸運： 深入分析電子和空穴這兩種基本載流子在電場作用下的漂移運動，以及由於濃度梯度産生的擴散運動。介紹載流子的平均自由程、遷移率等關鍵參數，並解釋它們如何影響半導體的導電率。 pn結理論： 這是構成絕大多數半導體器件的基礎。我們將詳細分析pn結的形成過程，講解耗盡層、內建電場、載流子擴散和復閤等現象。深入探討pn結在正嚮偏壓、反嚮偏壓和零偏壓下的伏安特性，為理解二極管和三極管的工作原理打下基礎。 第二部分：微電子器件原理與模型 在掌握瞭半導體物理基礎後，本部分將重點介紹幾種最基本、應用最廣泛的微電子器件，並建立描述其特性的模型。 二極管： pn結二極管： 詳細分析其結構、工作原理，包括整流、開關特性。介紹不同類型的pn結二極管，如穩壓二極管（齊納管）、發光二極管（LED）、光電二極管等，並闡述它們的特殊應用。 肖特基二極管： 講解金屬-半導體接觸的形成，以及肖特基二極管與pn結二極管在導通壓降、開關速度等方麵的差異和優勢。 雙極結型晶體管（BJT）： 結構與工作原理： 詳細介紹NPN和PNP型BJT的結構，分析載流子的注入、傳輸和收集過程。講解BJT作為放大器和開關的工作模式，包括飽和區、放大區和截止區。 BJT模型： 介紹Ebers-Moll模型和混閤pi模型，用於分析BJT在電路中的交流和直流特性。 場效應晶體管（FET）： 結型場效應晶體管（JFET）： 講解其工作原理，包括柵極電壓對溝道電導的控製。 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）： 這是現代集成電路中最核心的器件。我們將重點講解NMOS和PMOS晶體管的結構，包括襯底、源極、漏極、柵極和氧化層。深入分析其工作模式：截止區、綫性區（歐姆區）和飽和區。講解閾值電壓、跨導等關鍵參數。 MOSFET模型： 介紹MOSFET的直流和交流模型，為電路設計提供理論支撐。 其他基本器件： 光電器件： 簡要介紹太陽能電池、光電探測器等利用光與半導體相互作用的器件。 功率器件： 簡要提及用於大電流、高電壓應用的功率二極管、功率晶體管等。 第三部分：集成電路製造工藝 本部分將帶領讀者瞭解構成現代集成電路的復雜製造流程，從矽片製備到最終的封裝測試。 矽片製備： 單晶矽生長： 講解直拉法（CZ法）和區熔法（FZ法）等生長高質量單晶矽棒的技術。 矽片切割與拋光： 介紹如何將矽棒切割成薄片，以及晶麵取嚮、錶麵平整度的要求。 薄膜沉積技術： 化學氣相沉積（CVD）： 講解不同類型的CVD（如LPCVD, PECVD, APCVD），用於沉積多晶矽、二氧化矽、氮化矽等重要薄膜。 物理氣相沉積（PVD）： 介紹濺射、蒸發等技術，用於金屬（如鋁、銅）等薄膜的沉積。 氧化技術： 詳細講解濕氧化和乾氧化工藝，以及它們在形成二氧化矽絕緣層中的作用。 光刻技術： 這是集成電路製造的核心環節。 光刻原理： 介紹光刻掩模版、光刻膠、曝光和顯影等基本過程。 曝光技術： 講解接觸式光刻、接近式光刻和投影式光刻（步進式和掃描式），以及光刻分辨率的限製因素。 先進光刻技術： 簡要介紹深紫外（DUV）光刻、極紫外（EUV）光刻等技術的發展。 刻蝕技術： 乾法刻蝕： 重點介紹等離子體刻蝕（RIE, ICP-RIE），分析其各嚮同性與各嚮異性特點。 濕法刻蝕： 介紹使用化學溶液進行的刻蝕，分析其優缺點。 摻雜技術： 擴散： 講解高溫擴散過程中雜質原子的運動。 離子注入： 介紹使用離子加速器將雜質離子注入到矽襯底中，並講解退火過程。 互連技術： 金屬化： 介紹鋁、銅等金屬在芯片內部的布綫形成過程。 多層金屬互連： 講解構建復雜芯片所需的層層堆疊的互連結構。 封裝與測試： 封裝： 介紹芯片如何從晶圓上切割下來，並進行引綫鍵閤、塑封或陶瓷封裝，以保護芯片並提供與外部電路連接的接口。 測試： 講解晶圓測試（wafer test）和成品測試（final test），確保芯片的功能和性能符閤設計要求。 第四部分：工藝集成與發展趨勢 本部分將簡要探討如何將上述各種工藝步驟進行有效的集成，以及微電子技術未來的發展方嚮。 工藝流程的集成： 介紹CMOS工藝集成的一般流程，以及如何協同控製各個工藝步驟以實現高性能的集成電路。 現代工藝挑戰： 討論在縮小器件尺寸過程中遇到的物理極限，如短溝道效應、漏電流、功耗問題等。 未來發展趨勢： 展望新材料（如III-V族化閤物半導體、二維材料）、新器件結構（如FinFET, GAAFET）、新型計算範式（如量子計算、神經形態計算）以及更先進的製造技術（如納米壓印、分子束外延）在微電子領域的應用前景。 本書通過理論講解與工藝流程的結閤，旨在幫助讀者理解從微觀的半導體物理到宏觀的器件製造，再到未來技術發展的完整圖景。讀者通過學習本書，將能夠深入理解現代集成電路的設計與製造背後的科學原理和工程實踐，為進一步深入學習和從事相關領域的工作打下堅實基礎。

評分☆☆☆☆☆

閱讀這本書的過程中，我最大的感受是它的“可操作性”。很多技術書籍要麼過於偏重理論的純粹性，導緻學完後無從下手；要麼就是堆砌瞭一堆代碼片段，缺乏理論指導。而這本書的平衡點掌握得恰到好處。它在介紹完設計流程的某個關鍵步驟後，總會緊跟著附帶一小段關於實際工具鏈如何映射這些概念的說明，雖然沒有提供完整的源代碼庫，但那種對“真實世界”問題的關注，是實打實的。例如，在講解DFT（設計可測試性）時，它不僅解釋瞭掃描鏈的原理，還探討瞭在實際FPGA或ASIC設計流程中，如何配置自動測試生成器（ATPG）的約束條件，這種“紙上談兵”與“實戰演練”之間的無縫對接，是我認為它區彆於其他同類書籍的關鍵所在。

評分☆☆☆☆☆

這本書的裝幀設計著實讓人眼前一亮，封麵那種深邃的藍色調，配上燙金的字體，透著一股專業而又不失典雅的氣質。我拿到手的時候，沉甸甸的，能感覺到齣版社在紙張和印刷上的用心。內頁的排版也相當清晰，字體大小適中，段落之間的留白處理得當，長時間閱讀也不會感到眼睛疲勞。尤其是一些復雜的電路圖和時序圖，都印刷得銳利無比，綫條的粗細過渡自然，即便是初學者也能快速捕捉到關鍵信息。這種對細節的關注，無疑大大提升瞭閱讀體驗，讓我覺得這不僅僅是一本工具書，更像是一件值得收藏的工藝品。當然，內容的深度和廣度纔是核心，但好的物理載體，絕對能為知識的吸收打下一個堅實的基礎。我常常在閱讀中途停下來，隻是欣賞一下它的排版布局，這種視覺上的愉悅感，在技術書籍中並不多見，著實是加分項。

評分☆☆☆☆☆

這本書的內容組織邏輯簡直是教科書級彆的典範，它仿佛是為那些想從零開始係統構建知識體係的工程師量身定做。作者的敘述風格非常平實、嚴謹，沒有那種故作高深的晦澀感，而是像一位經驗豐富的前輩，耐心地引導著你一步步深入。我特彆欣賞它在基礎概念闡述上的力度，每一個術語、每一個公式的推導，都給齣瞭詳盡的背景介紹和實際應用案例的鋪墊，讓人明白“為什麼”要學這個，而不是僅僅停留在“怎麼做”。更難能可貴的是，它平衡瞭理論的深度與實踐的廣度，當你還在消化狀態機設計的復雜性時，它已經巧妙地將仿真工具的使用方法融入其中，使得理論學習的枯燥感被即時性的成就感所取代。這種循序漸進、張弛有度的編排，極大地降低瞭學習麯綫的陡峭程度，讓原本望而生畏的集成電路設計領域變得觸手可及。

評分☆☆☆☆☆

作為一個在行業內摸爬滾打多年的老兵，我原本以為市麵上已經沒有能給我帶來新鮮感的書籍瞭。然而，這本書的某些章節，特彆是關於先進的驗證方法論和故障注入測試策略的探討，著實讓我耳目一新。它沒有停留在傳統的靜態時序分析或功能驗證層麵，而是深入到瞭後摩爾時代對功耗、可靠性和安全性的考量。作者引用瞭許多最新的工業標準和學術研究成果，並且用非常精煉的語言進行瞭總結和提煉，這對於我這種需要緊跟技術前沿的人來說，價值無可估量。它提供瞭一種批判性的視角，促使我重新審視我們現有設計流程中可能存在的盲點和冗餘。與其說它是一本教材，不如說它是一份深度行業分析報告的結晶，為資深人士提供瞭寶貴的知識迭代契機。

評分☆☆☆☆☆

我不得不提一下這本書的配圖和圖錶質量，這簡直是藝術品級彆的展示。在描述那些復雜的交互信號和數據流時，作者采用瞭高度標準化的UML/SysML風格圖示，綫條乾淨利落，配色方案也經過精心選擇，即便是黑白印刷也能清晰區分層次。特彆是對於那些跨越多個模塊邊界的信號傳輸路徑，作者通過巧妙的透視和層次劃分，將原本容易混淆的依賴關係清晰地展示齣來，極大地減少瞭讀者反復迴溯文本進行理解的時間成本。這種視覺化的錶達能力，對於理解大規模集成電路中信息流的復雜性來說，是至關重要的。一個好的圖錶勝過韆言萬語，而這本書的圖錶，就是知識濃縮的精華所在，讓人不得不佩服作者在信息傳達效率上的極緻追求。