基本信息

书名：半导体物理性能手册 第3卷(下)

定价：138.00元

作者：(日)足立贞夫

出版社：哈尔滨工业大学出版社

出版日期：2014-04-01

ISBN：9787560345192

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

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内容提要

　　《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：StructuralProperties结构特性ThermalProperties热学性质ElasticProperties弹性性质PhononsandLatticeVibronicProperties声子与晶格振动性质CollectiveEffectsandRelatedProperties集体效应及相关性质Energy-BandStructure：Energy-BandGaps能带结构：能带隙Energy-BandStructure：ElectronandHoleEffectiveMasses能带结构：电子和空穴的有效质量ElectronicDeformationPotential电子形变势ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight电子亲和能与肖特基势垒高度OpticalProperties光学性质Elastooptic，Electrooptic，andNonlinearOpticalProperties弹光、电光和非线性光学性质CartierTransportProperties载流子输运性质适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。

目录

PrefaceAcknowledgementsContents of Other Volumes10 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS)11 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS)12 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe)13 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe)14 Cadmium Telluride (CdTe)15 Cubic Mercury Sulphide (β-HgS)16 Mercury Selenide (HgSe)17 Mercury Telluride (HgTe)

作者介绍

文摘

序言