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內容簡介

　　《晶體生長科學與技術（上冊 第2版）》是一部在1981年齣版的《晶體生長》基礎上進行擴充和改寫而成的集體創作，書中比較深入地論述瞭晶體生長的理論和技術，總結瞭國內外的主要實踐經驗和成果，重點介紹瞭我國在晶體領域中所取得的突齣成就。全書共14章，分上、下冊齣版。
　　《晶體生長科學與技術（上冊 第2版）》是上冊（第1章至第7章），主要介紹晶體生長的熱力學、動力學，溶液法，水熱法，高溫溶液法和從熔體中生長晶體及半導體晶體的生長。每章末尾提供瞭大量參考文獻，書末還附有主題詞索引和後記。
　　《晶體生長科學與技術（上冊 第2版）》可供大專院校有關專業師生和從事晶體生長研究、晶體開發、應用的科技人員參考。

內頁插圖

目錄

上冊
《凝聚態袖理學叢書》齣版說明
第二版序
第一版序
第一章 晶體生長熱力學
§1．1 相平衡及相變
1．1．1 熱平衡
1．1．2 力學平衡
1．1．3 傳質平衡
1．1．4 相律
1．1．5 相變
§1．2 相圖
1．2．1 單元係相圖
1．2．2 二元係相圖
1．2．3 三元係相圖
1．2．4 參閱或繪製相圖時的注意事項
1．1．3 相圖在晶體生長中的應用
1．3．1 生長配料
1．3．2 生長方式的選擇
1．3．3 晶體完整性與生長速率
1．3．4 生長後的熱處理工藝
1．3．5 相圖在晶體生長中的一個應用實例
參考文獻
第二章 晶體生長動力學
§2．1 晶體生長形態
2．1．1 晶體生長形態與生長速率問的聯係
2．1．2 晶體生長的理想形態
2．1．3 晶體生長的實際形態
2．1．4 晶體幾何形態與其內部結構間的聯係
2．1．5 環境相對晶體形態影響
§2．2 晶體生長的輸運過程
2．2．1 輸運的類型
2．2．2 邊界層理論
§2．3 晶體生長界麵的穩定性
2．3．1 研究界麵穩定性應遵循的幾個原則
2．3．2 生長界麵穩定性的判據
2．3．3 界麵穩定性動力學理論
§2．4 晶體生長界麵結構理論模型
2．4．1 完整光滑麵理論模型
2．4．2 非完整光滑麵理論模型
2．4．3 粗糙界麵理論模型
2．4．4 擴散界麵理論模型
§2．5 晶體生長界麵動力學
2．5．1 完整光滑麵的生長
2．5．2 非完整光滑麵的生長
2．5．3 粗糙界麵的生長
2．5．4 擴散界麵的生長
2．5．5 BOF體擴散理論和GGC體-錶麵耦閤擴散理論
2．5．6 高聚物晶體生長
§2．6 晶體生長動力學研究實驗方法
2．6．1 等組分方法
2．6．2 原位實時觀祭法
2．6．3 顯微照相法
2．6．4 光散射法
2．6．5 計算機模擬法
§2．7 空間晶體生長的微重力效應
2．7．1 微重力概念
……
參考文獻
第三章 溶液法生長晶體
§3．1 溶液的概念
……
§3．2 溶液中晶體生長的平衡
§3．3 從溶液中生長晶體的方法
§3．4 溶液中培養單晶生長條件的控製和單晶的完整性
§3．5 凝膠法晶體生長
參考文獻
第四章 水熱法生長晶體
第五章 高溫溶液法生長晶體
第六章 從熔體中生長晶體
第七章 半導體晶體生長
主題詞索引
後記

下冊
第八章 分子束外延及相關的單晶薄膜生長技術
第九章 人工寶石
第十章 閤成雲母
第十一章 人造金剛石
第十二章 有機晶體
第十三章 新型非綫性光學晶體
第十四章 晶體的品質鑒定

前言/序言

　　我們正處在一個偉大曆程的起點，要在本世紀內，實現我國農業、工業、國防和科學技術的現代化，把我們的國傢建設成為社會主義的現代化強國，這是我們人民所肩負的偉大而光榮的曆史使命。
　　我們認為，一個國傢要解決工業發展問題，必須同時解決兩個重大的課題：一個是能源問題；另一個是材料問題。能源問題是顯而易見的，世界上正在大力研究從傳統能源尋求新能源。而材料問題包括兩方麵。一方麵是提供工農業建設所必需的一般傳統材料，這部分材料的重要性是大傢都知道的，包括鋼鐵、特種閤金及閤成材料等等，所有的機械、造船、橋梁、鐵道、鑽探等工業都需要它們；另一方麵是研製特種材料，這些材料在數量方麵雖則比較起來並不很大，但在各種現代化的技術中，如自動化技術、激光技術、計算機技術以及遙感及空間技術等方麵都有特殊應用的範圍。可以說，這些材料質量的好壞決定著技術水平的高低，而且隻有在材料方麵有所突破，纔能希望技術本身有所突破。
　　我們認為材料問題的核心是晶體學問題。晶體學通過對固態物質的內部結構及缺陷的係統研究，可以瞭解到各種物質的組成規律以及這些結構和缺陷與各種物理性質的關係；它還通過研究在各種物理條件下晶體生長的規律，從而有可能生長齣滿足人們要所求的各種性能的單晶體。
　　晶體生長是指要生長齣配比成分準確而又很少雜質及缺陷或甚至無雜質和無缺陷的單晶體，近年來，對於固態的理解在很大程度上是以單晶為基礎的。由於單晶的研究，發現瞭許多金屬的新性質。例如在單晶狀態下，鐵、鈦和鉻實際上都是軟金屬，而晶須的力學強度要比同一物質在多晶情況下的大一韆倍。物理學傢需要完整的單晶來研究輻射損傷、超導性、核磁共振、電子順磁共振等，而化學傢則往往需要完整的單品來研究晶體結構，固體的各嚮異性也隻能靠單晶來測定。
　　以工業而論，對於單晶的需要恐怕再也沒有比半導體更為迫切瞭。所以人們可以毫不誇張地說，半導體技術的發展實際上取決於晶體生長工作的發展。它一方麵朝著難度較大的材料方麵發展。而從鍺到矽的過渡，使半導體器件在性能方麵發生瞭一次革命，這一過渡是由於晶體生長工作者掌握瞭如何處理反應性較強而熔點較高的矽而完成的，半導體發展的另一方麵是生長大麵積的高完整性單晶。我們知道，電子計算機的最主要部件是大規模集成電路，而大規模集成電路的基本部件是大麵積、高完整性的矽單晶。毫無疑問，提高計算機的科學技術水平，關鍵問題還是在晶體生長方麵，今後大麵積集成電路在密度及失效率方麵的改進，相當的一部分將取決於所用晶體的質量。
　　關於磁性材料的情況也是如此。目前正在發展的一種電子計算機存儲係統是石榴石磁泡係統。必須著重指齣，晶體生長工作對這一特殊磁性材料起著無比重要的作用，因為首先要生長齣符閤理想配比成分而缺陷密度很低的稀土鎵石榴石單晶，然後在此襯底材料上用液相取嚮附生（LPE）或化學氣相澱積（CVD）的方法附生缺陷密度很低而無硬磁泡形成的稀土鐵石榴石薄膜，這是先進的電子計算機存儲係統的關鍵問題。
　　其它在激光材料、電光材料、鐵電材料等方麵的情況也是如此。
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