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內容簡介

　　本書共分為11童，其中，第1章介紹瞭半導體晶體的能帶、結構和載流子分布規律；第2章和第3章描述瞭pn結二極管、變容二極管、隧道二極管、肖特基二極管和雪崩二極管的特性與工作機理：　　第4~6章詳細地論述瞭晶體管的工作機理及其直流特性、頻率特性、開關特性與功率特性；第7童給齣瞭晶閘管的結構、原理及其導通、阻斷、關斷特性；第8章和第9章講述瞭MOS場效應晶體管的結構、原理與特性，以及納米級MOS器件，包括SOI結構、雙柵結構、納米綫結構等；第10童論述瞭異質結雙極晶體管、GaAs MESFET和高電子遷移率晶體管的工作原理和基本特性；第1 1套介紹瞭光電池、光敏晶體管和電荷耦閤器件。　　本書可作為高等院校電子信息、電子科學與技術、光電信息科學與技術專業的本科生教材，教師可根據專業和課時要求選學部分章節。本書亦可作為相關專業科研人員和工程技術人員的參考用書。

目錄

前言
教學建議
第1章微電子器件物理基礎
1.1半導體的晶體結構與能帶
1.1.1 半導體的晶體結構
1.1.2 半導體能帶圖
1.1.3 半導體品格缺陷
及其能級
1.2半導體中載流子的統計分布
1.2.1 狀態密度函數與統計
分布函數
1.2.2 本徵載流子
1.2.3 非本徵載流子
1.3 半導體中載流子的輸運規律
1.3.1 載流子的産生與復閤
1.3.2 載流子的漂移運動
1.3.3 載流子的擴散運動
1.3.4 載流子的輸運方程
習題
第2章 pn結二極管
2..1 pn結雜質濃度分布
2.2平衡pn結
2.2.1 空間電荷區
2.2.2 能帶圖
2.2.3 接觸電勢差 一
2.2.4 載流子濃度 一
2.3 pn結的空間電荷區電場
和電位分布
2.3.1 突變結
2.3.2 綫性緩變結
2.3.3 耗盡層近似
2.4 pn結勢壘電容
2.4.1 突變結勢壘電容
2.4.2 綫性緩變結勢壘電容
2.5 pn結直流特性
2.5.1 非平衡載流子的注入
2.5.2 反嚮抽取
2.5.3 準費米能級和載流子濃度
2.5.4直流電流電壓方程
2.5.5影響pn結直流特性的
其他因素
2.5.6溫度對pn結電流和電壓
的影響
2.6 pn結小信號交流特性與
開關特性
2.6.1 小信號交流特性
2.6.2 開關特性
2.7 pn結擊穿特性
2.7.1 基本擊穿機構
2.7.2 雪崩擊穿電壓
2.7.3 影響雪崩擊穿電壓的
因素
習題
第3章特殊二極管
3.1變容二極管
3.1.1 pn結電容
3.1.2 電容電壓特性
3.1.3 變容二極管基本特性
3.1.4 特殊變容二極管
3.2 隧道二極管
第4章晶體管直流特性
第5章晶體管頻率特性與開關特性
第6章晶體管功率特性
第7章晶閘管
第8章MOSFET
第9章納米級MOS器件
第10章半導體異質結器件
第11章光電器件與電荷耦閤器件
附錄
參考文獻

前言/序言

　　晶體管和集成電路的發明催生瞭新興的微電子學和微電子技術，使人類進入瞭信息化時代。電子科學與技術的迅速發展已經“改變瞭世界”。電子器件是電子科學與技術的基礎，晶體管是最重要和應用最廣泛的微電子基礎器件，由其發展和組成的集成電路已廣泛應用於計算機、通信、傢電和軍工等許多科技和工程領域，推動著人類科學技術的發展。　　我國已經成為電子信息産業大國，集成電路及其相關産業的産品約占世界市場的一半，發展集成電路已成為國傢的戰略需求。培養電子科學與技術領域的專業人纔是我國高等學校的一項重要任務，微電子基礎器件是高等學校電子信息類專業的一門核心基礎課程。　　本書作者長期擔任電子器件及其應用的教學科研任務，講授本科生、研究生有關電子器件的課程十餘年，在教學講義的基礎上，經過進一步整理、修改、補充，編著瞭本書。　　書中對pn結二極管、雙極型晶體管、MOSFET這三類基礎器件，從宏觀和微觀方麵，定性和定量地進行詳細分析，論述器件內部載流子運動和電荷變化的規律，介紹器件特性與結構、材料、工藝的關係，深入探討微電子器件的本質；同時介紹瞭一些有代錶性的其他器件的結構、原理及特性，為微電子器件的研究、設計、製造和應用奠定理論基礎。本書可作為高等學校電子信息類專業有關電子器件課程理論教學的教材，也可供從事相關領域的科學研究人員和工程技術人員參考，各學校在教學中可根據需要和課時選用部分章節。　　本書第2～8章、第11章由曾雲編著，第1章、第9章、第10章由楊紅官編著，附錄由楊紅官整理。在本書編著過程中，作者參考瞭大量的相關教材和文獻資料，選用瞭一些研究成果和圖錶數據，這些參考文獻統一列於書末。作者在此對所有參考文獻的貢獻者錶示衷心感謝。　　由於作者水平有限，本書難免存在需要完善之處，熱忱歡迎讀者賜予寶貴意見。
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