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内容简介

　　本书共分为11童，其中，第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律；第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理：　　第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性；第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性；第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性，以及纳米级MOS器件，包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等；第10童论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性；第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。　　本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材，教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。

目录

前言
教学建议
第1章微电子器件物理基础
1.1半导体的晶体结构与能带
1.1.1 半导体的晶体结构
1.1.2 半导体能带图
1.1.3 半导体品格缺陷
及其能级
1.2半导体中载流子的统计分布
1.2.1 状态密度函数与统计
分布函数
1.2.2 本征载流子
1.2.3 非本征载流子
1.3 半导体中载流子的输运规律
1.3.1 载流子的产生与复合
1.3.2 载流子的漂移运动
1.3.3 载流子的扩散运动
1.3.4 载流子的输运方程
习题
第2章 pn结二极管
2..1 pn结杂质浓度分布
2.2平衡pn结
2.2.1 空间电荷区
2.2.2 能带图
2.2.3 接触电势差 一
2.2.4 载流子浓度 一
2.3 pn结的空间电荷区电场
和电位分布
2.3.1 突变结
2.3.2 线性缓变结
2.3.3 耗尽层近似
2.4 pn结势垒电容
2.4.1 突变结势垒电容
2.4.2 线性缓变结势垒电容
2.5 pn结直流特性
2.5.1 非平衡载流子的注入
2.5.2 反向抽取
2.5.3 准费米能级和载流子浓度
2.5.4直流电流电压方程
2.5.5影响pn结直流特性的
其他因素
2.5.6温度对pn结电流和电压
的影响
2.6 pn结小信号交流特性与
开关特性
2.6.1 小信号交流特性
2.6.2 开关特性
2.7 pn结击穿特性
2.7.1 基本击穿机构
2.7.2 雪崩击穿电压
2.7.3 影响雪崩击穿电压的
因素
习题
第3章特殊二极管
3.1变容二极管
3.1.1 pn结电容
3.1.2 电容电压特性
3.1.3 变容二极管基本特性
3.1.4 特殊变容二极管
3.2 隧道二极管
第4章晶体管直流特性
第5章晶体管频率特性与开关特性
第6章晶体管功率特性
第7章晶闸管
第8章MOSFET
第9章纳米级MOS器件
第10章半导体异质结器件
第11章光电器件与电荷耦合器件
附录
参考文献

前言/序言

　　晶体管和集成电路的发明催生了新兴的微电子学和微电子技术，使人类进入了信息化时代。电子科学与技术的迅速发展已经“改变了世界”。电子器件是电子科学与技术的基础，晶体管是最重要和应用最广泛的微电子基础器件，由其发展和组成的集成电路已广泛应用于计算机、通信、家电和军工等许多科技和工程领域，推动着人类科学技术的发展。　　我国已经成为电子信息产业大国，集成电路及其相关产业的产品约占世界市场的一半，发展集成电路已成为国家的战略需求。培养电子科学与技术领域的专业人才是我国高等学校的一项重要任务，微电子基础器件是高等学校电子信息类专业的一门核心基础课程。　　本书作者长期担任电子器件及其应用的教学科研任务，讲授本科生、研究生有关电子器件的课程十余年，在教学讲义的基础上，经过进一步整理、修改、补充，编著了本书。　　书中对pn结二极管、双极型晶体管、MOSFET这三类基础器件，从宏观和微观方面，定性和定量地进行详细分析，论述器件内部载流子运动和电荷变化的规律，介绍器件特性与结构、材料、工艺的关系，深入探讨微电子器件的本质；同时介绍了一些有代表性的其他器件的结构、原理及特性，为微电子器件的研究、设计、制造和应用奠定理论基础。本书可作为高等学校电子信息类专业有关电子器件课程理论教学的教材，也可供从事相关领域的科学研究人员和工程技术人员参考，各学校在教学中可根据需要和课时选用部分章节。　　本书第2～8章、第11章由曾云编著，第1章、第9章、第10章由杨红官编著，附录由杨红官整理。在本书编著过程中，作者参考了大量的相关教材和文献资料，选用了一些研究成果和图表数据，这些参考文献统一列于书末。作者在此对所有参考文献的贡献者表示衷心感谢。　　由于作者水平有限，本书难免存在需要完善之处，热忱欢迎读者赐予宝贵意见。
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