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薛春荣 等 著

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出版社： 科学出版社

ISBN：9787030453181

版次：1

商品编码：11758395

包装：平装

丛书名： 普通高等教育“十二五”规划教材

开本：16开

出版时间：2015-08-01

页数：240

字数：321000

正文语种：中文

编辑推荐

适读人群 ：高等院校新能源相关专业本科生、专科生，太阳能光电企业及相关领域的工程技术人员
《太阳能光伏组件技术（第二版）》内容丰富，图文并茂，深入浅出，可作为高等院校相关专业本科生的教材或者参考用书，也可作为太阳能光电企业及相关领域的工程技术人员的培训及参考用书。

内容简介

《太阳能光伏组件技术（第二版）》以太阳能光伏组件的设计封装为主要内容!在简要介绍太阳能电池基本原理和技术的基础上，全面、深入地介绍了光伏发电系统的核心--太阳能光伏组件的设计、封装、检测和应用等各个方面。
　　《太阳能光伏组件技术（第二版）》围绕“如何设计并制备高效太阳能光伏组件”这个主题展开，在体系安排上遵循从基本原理到组件设计再到应用，内容由浅入深，由理论到应用。

目录

目录
前言
第1章 太阳能利用 1
1.1 社会发展需要新能源 1
1.2 太阳能利用特点 3
1.3 太阳辐射特性 7
1.4 太阳能电池、组件和发电系统 12
思考题 15
第2章 晶硅太阳能电池 16
2.1 半导体基础 16
2.2 晶硅太阳能电池特性 29
2.3 晶硅太阳能电池的设计 42
2.4 晶硅太阳能电池发展 55
2.5 晶硅太阳能电池质量控制 62
2.6 小结 65
思考题 65
第3章 薄膜太阳能电池 66
3.1 太阳能电池分类 66
3.2 薄膜太阳能电池的特性 67
3.3 透明导电氧化物薄膜 68
3.4 多结叠层太阳能电池 71
3.5 硅基薄膜太阳能电池 70
3.6 无机化合物薄膜太阳能电池 81
3.7 有机太阳能电池 94
3.8 高效太阳能电池探索 108
思考题 113
第4章 太阳能光伏组件设计 114
4.1 太阳能光伏组件概述 114
4.2 光伏组件的封装密度 114
4.3 光伏组件的电路设计 115
4.4 光伏组件中的错配效应 116
4.5 光伏组件的温度效应 125
4.6 光伏组件的电力保护和机械保护 128
4.7 光伏组件的退化机制 128
4.8 光伏组件的功率设计 130
4.9 制约组件输出功率的因素 131
4.10 太阳能光伏阵列 132
思考题 138
第5章 太阳能光伏组件封装工艺 139
5.1 太阳能光伏组件封装概述 139
5.2 太阳能电池的分选与划片 143
5.3 太阳能电池的焊接 145
5.4 叠层与层压 149
5.5 装框与清洗 153
5.6 终检与包装 154
思考题 155
第6章 太阳能光伏组件封装材料 156
6.1 晶硅太阳能电池 156
6.2 前表面材料 162
6.3 EVA胶膜 165
6.4 背板材料 167
6.5 边框材料 170
6.6 其他材料 173
思考题 177
第7章 太阳能光伏组件封装设备 178
7.1 光伏设备简介 178
7.2 单片分选仪 180
7.3 组件测试仪 182
7.4 激光划片机 183
7.5 焊接设备 184
7.6 组件层压机 186
7.7 组框装框机 189
7.8 玻璃清洗机 190
思考题 190
第8章 太阳能光伏组件测试 191
8.1 组件电性能测试 193
8.2 组件耐压绝缘测试 194
8.3 组件EL测试 195
8.4 组件机械载荷测试 199
8.5 组件湿热湿冷实验 199
8.6 组件冰雹实验 200
8.7 组件紫外老化实验 200
思考题 201
第9章 太阳能光伏组件故障分析 202
9.1 组件辨别 202
9.2 组件常见问题 203
9.3 组件常见问题分析 205
9.4 图解组件产品质量问题 207
9.5 组件的衰降和失效 218
思考题 220
第10章 太阳能光伏组件应用 221
10.1 光伏组件的应用领域 221
10.2 光伏系统 222
10.3 光伏建筑 229
10.4 太阳能汽车 236
思考题 238
参考文献 239

精彩书摘

　　《太阳能光伏组件技术（第二版）》：
　　2.1.4 载流子的复合
　　导带中的电子回到价带的同时有效地消除了一个空穴，这种过程称为复合。在单晶半导体材料中，复合过程大致可以分为辐射复合、俄歇复合和肖克莱—雷德—霍尔复合。
　　辐射复合是LED灯和激光这类半导体器件的主要复合机制，硅太阳能电池中辐射复合不是主要的，因为硅的禁带不是直接禁带，电子不能直接从导带跃迁到价带。发生辐射复合时电子与空穴直接在价带结合并释放一个光子，释放的光子的能量接近禁带宽度，所以被吸收的概率很低，大部分能够飞出半导体。
　　通过复合中心的复合即肖克莱—雷德—霍尔或SRH复合，它不会发生在完全纯净的、没有缺陷的材料中。SRH复合过程分为两步：①一个电子（或空穴）被由晶格中的缺陷产生的禁带中的一个能级所俘获。这些缺陷要么是无意中引入的，要么是故意加入材料当中去的，如掺杂。②如果在电子被热激发到导带之前，一个空穴（或电子）也被俘获到同一个能级，那么复合过程就完成了。载流子被俘获到禁带中的缺陷能级的概率取决于能级到两能带（导带和禁带）的距离，处在禁带中间的缺陷能级发生复合的概率最大。
　　俄歇复合过程有3个载流子参与。一个光子与一个空穴复合释放的能量不是以热能或光子的形式传播出去的，而是把它传给了第三个载流子，即在导带中的电子。这个电子接收能量后因为热作用最终又回到导带的边缘。俄歇复合是重掺杂材料和被加热至高温的材料最主要的复合形式。
　　如果半导体中少子的数目因为外界的短暂激发（如光照）而在原来平衡的基础上增加，这些额外激发的少子将因为复合过程而渐渐衰退回原本平衡时的状态。激发态的载流子在复合之前存在的平均时间，称为“少子寿命”，用符号f。或c。表示。与之相关的一个参数为少子扩散长度，指载流子从产生到复合运动的平均路程。复合发生的速率，称为复合率，它取决于额外少子的数目，例如，当没有额外少子时，复合率将为零。
　　……

前言/序言

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一般，不是很有参考价值

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和介绍的一样的内容很不错值得学习一下，很好的学习资料，希望能够读完有所收获。

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