CMOS數字集成電路設計+集成電路靜態時序分析與建模+CMOS集成電路後端設計與實戰3本書

CMOS數字集成電路設計+集成電路靜態時序分析與建模+CMOS集成電路後端設計與實戰3本書 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

圖書標籤:
  • CMOS
  • 數字電路
  • 集成電路
  • 時序分析
  • 後端設計
  • VLSI
  • 芯片設計
  • EDA
  • IC設計
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店鋪: 義博圖書專營店
齣版社: 機械工業齣版社
ISBN:bm036154
商品編碼:10523771528

具體描述

bm036154  9787111529330  9787111537779         9787111514404


集成電路靜態時序分析與建模

定價:  ¥79.00 作者: 
  • I S B N :978-7-111-53777-9
  • 條碼書號:9787111537779
  • 上架日期:2016-7-7
  • 齣版日期:2016-7-1
  • 版       次:1-1
  • 齣 版 社:
  • 叢 書 名: 
  • 頁     數:312    

由於芯片尺寸的減小、集成度密集化的增強、電路設計復雜度的增加、電路性能要求的提高等因素,對芯片內的時序分析提齣瞭更高的要求。靜態時序分析是大規模集成電路設計中非常重要的一個環節,它能驗證設計在時序上的正確性,並決定設計是否能夠在要求的工作頻率下運行。本書由集成電路設計專業論壇www.icdream.com站長劉峰編著,共11章,基於廣度和深度兩個方麵來闡述整個CMOS集成電路靜態時序分析流程與時序建模技術,並通過實踐案例對技術應用進行更深入的講解,使初學者在靜態時序分析與建模兩方麵得到理論與實戰的雙重提高。本書適閤作為微電子與集成電路相關專業的研究生、本科生、職業技術類學生的教材和教輔書,也可作為電子、自控、通信、計算機類工程技術人員學習使用集成電路設計軟件和進修集成電路設計的專業技術參考書與工具書。

目 錄

前 言

第1章 引論  1

1.1 集成電路發展史簡介  1

1.2 國內集成電路的發展現狀  2

1.3 國際集成電路的發展態勢  4

1.4 靜態時序分析技術  4

1.4.1 靜態時序分析簡介  4

1.4.2 靜態時序分析背景  4

1.4.3 靜態時序分析的優缺點  5

1.5 主流靜態時序分析與建模工具介紹  6

第2章 靜態時序分析的基礎知識  9

2.1 邏輯門單元  9

2.2 門單元的時序計算參數  10

2.3 時序單元相關約束  12

2.4 時序路徑  14

2.5 時鍾特性  17

2.6 時序弧  19

2.7 PVT環境  24

2.8 時序計算單位  28

第3章 單元庫時序模型  29

3.1 基本時序模型簡介  29

3.2 Synopsys工藝庫模型  33

3.3 延時計算模型  38

3.4 互連綫計算模型  45

3.4.1 互連綫計算模型  45

3.4.2 綫負載時序模型  47

3.5 引腳電容值的計算  49

3.6 功耗模型的計算  50

3.7 時序信息建模基本方法  51

第4章 時序信息庫文件  54

4.1 非綫性延時模型  54

4.1.1 庫組  54

4.1.2 因子  57

4.1.3 輸入電壓組  59

4.1.4 輸齣電壓組  59

4.1.5 功耗查找錶模闆組  59

4.1.6 操作條件組  60

4.1.7 綫負載組  60

4.1.8 延時查找錶模闆組  61

4.1.9 單元組  62

4.1.10 引腳組  64

4.1.11 觸發器組  67

4.1.12 邏輯狀態錶組  68

4.1.13 電源引腳組  69

4.1.14 延時組  69

4.1.15 單元上拉延時組  70

4.1.16 單元下拉延時組  71

4.1.17 上拉轉換組  71

4.1.18 下拉轉換組  72

4.1.19 上拉約束組  72

4.1.20 下拉約束組  73

4.1.21 內部功耗組  73

4.1.22 啞閾漏流功耗組  74

4.2 復閤電流源延時模型  75

4.2.1 輸齣電流查找錶模闆組  75

4.2.2 輸齣上拉電流組  75

4.2.3 輸齣下拉電流組  76

4.2.4 嚮量組  76

4.2.5 接收電容組  77

第5章 靜態時序分析的基本方法  79

5.1 時序圖  79

5.2 時序分析策略  80

5.3 時序路徑延時計算方法  81

5.4 時序路徑的分析方法  83

5.5 時序路徑分析模式  88

5.5.1 單一分析模式  90

5.5.2-分析模式  91

5.5.3 芯片變化相關分析模式  94

5.6 時序減免  96

5.7 其他芯片變化相關分析模式  98

5.8 時鍾路徑悲觀移除  103

5.9 時序優化  105

第6章 時序約束  107

6.1 時鍾約束  107

6.1.1 創建時鍾  107

6.1.2 生成時鍾  111

6.1.3 虛擬時鍾  114

6.1.4 小時鍾脈寬  116

6.2 I/O延時約束  117

6.3 I/O環境建模約束  119

6.4 時序例外  121

6.5 恒定狀態約束  125

6.6 屏蔽時序弧  126

6.7 時序設計規則約束  127

第7章 串擾噪聲  129

7.1 噪聲的定義  129

7.2 噪聲的來源  130

7.3 噪聲惡化的原因  133

7.4 噪聲的體現形式  134

7.5 噪聲相互作用形式  135

7.6 NLDM噪聲模型的計算  136

7.7 噪聲延時計算方法  141

7.8 時間窗口  143

7.9 優化噪聲的物理方法  145

7.10 CCS噪聲模型  148

第8章 單元時序建模實戰  153

8.1 時序信息提取實現  153

8.1.1 時序信息特徵化實現流程  153

8.1.2 時序信息特徵化數據準備  154

8.1.3 標準單元時序信息提取  158

8.2 SiliconSmart工具的使用流程簡介  162

8.3 時序信息提取內容  163

第9章 靜態時序分析實戰(ETS篇)  170

9.1 靜態時序分析的基本流程  170

9.2 建立靜態時序分析的工作環境  171

9.3 靜態時序分析實現  174

9.3.1 建立時間分析  174

9.3.2 保持時間分析  192

9.3.3 時序設計規則分析  201

9.3.4 時序違反復  204

第10章 Tcl腳本編程  207

10.1 Tcl語法  207

10.1.1 命令格式  207

10.1.2 替換  209

10.1.3 雙引號和花括號  211

10.1.4 注釋  211

10.2 數據結構  212

10.2.1 簡單變量  212

10.2.2 數組  212

10.3 錶達式  212

10.3.1 操作數  213

10.3.2 運算符和優先級  213

10.3.3 數學函數  214

10.3.4 列錶集閤  215

10.4 控製流  219

10.4.1 if命令  219

10.4.2 循環命令  220

10.5 eval命令  223

10.6 source命令  223

10.7 過程  223

10.7.1 過程定義和返迴值  224

10.7.2 局部變量和全局變量  224

10.7.3 默認參數和可變個數參數  225

10.8 引用  226

10.9 字符串操作  228

10.10 文件訪問  234

10.10.1 文件名  234

10.10.2 基本文件輸入/輸齣命令  234

第11章 Tcl腳本編程應用實例(PT篇)  237

11.1 get_failing_paths_high_slew  237

11.2 get_interclock_skew  241

11.3 report_unclocked  244

11.4 get_buffers  248

11.5 get_ports_edge_sense  255

11.6 report_clock_endpoint_skew  260

11.7 report_violations  264

11.8 eco_fix_violations  271

附錄  290

參考文獻313

CMOS集成電路後端設計與實戰

定價:  ¥69.00 作者: 
  • I S B N :978-7-111-51440-4
  • 條碼書號:9787111514404
  • 上架日期:2015-9-25
  • 齣版日期:2015-9-1
  • 版       次:1-1
  • 齣 版 社:
  • 叢 書 名: 

本書詳細介紹整個後端設計流程,分為概述、全定製設計、半定製設計、時序分析四大部分。本書同時基於廣度和深度兩個方麵來闡述整個CMOS集成電路後端設計流程與設計技術,並通過實戰案例進行更深入地技術應用講解,使集成電路後端設計初學者同時得到理論與實戰兩方麵的雙重提高。

目 錄

前言

第1章    引論  1

1.1 集成電路發展史簡介  1

1.2 國內集成電路發展現狀  2

1.3 國際集成電路發展趨勢  4

第2章    集成電路後端設計方法  5

2.1 集成電路後端設計  5

2.2 後端全定製設計方法  5

2.2.1 後端全定製設計流程介紹  6

2.2.2 主流後端全定製設計工具介紹  6

2.2.3 後端全定製設計小結  13

2.3 後端半定製設計方法  13

2.3.1 後端半定製設計流程介紹  13

2.3.2 主流後端半定製設計工具介紹  14

2.3.3 後端半定製設計小結  21

一部分 後端全定製設計及實戰

第3章    後端全定製設計之標準單元設計技術  24

3.1 設計標準單元庫的重要性  24

3.2 標準單元設計技術  25

3.2.1 標準單元的基本介紹  25

3.2.2 標準單元的基本類型  27

3.2.3 標準單元庫提供的數據  29

3.2.4 標準單元設計參數  29

3.3 標準單元設計流程  39

3.3.1 方案設計  40

3.3.2 標準單元電路及版圖設計  43

3.3.3 標準單元庫版圖和時序信息的提取  45

3.3.4 庫模型與庫文檔生成  47

3.3.5 設計工具流程驗證  48

3.3.6 測試電路設計及工藝流片驗證  49

3.4 標準單元設計需要的數據  49

3.5 標準單元設計EDA工具  50

第4章    後端全定製設計之標準單元電路設計技術  51

4.1 CMOS工藝數字電路實現結構  51

4.1.1 靜態電路實現結構  51

4.1.2 僞NMOS電路實現結構  52

4.1.3 傳輸管與傳輸門電路  53

4.1.4 動態電路實現結構  54

4.1.5 高扇入邏輯電路的實現結構  55

4.2 CMOS數字電路優化  60

4.3 標準單元庫中幾種時序單元介紹  61

4.3.1 C2MOS觸發器  62

4.3.2 真單相觸發器  62

4.3.3 脈衝觸發器  63

4.3.4 數據流觸發器  64

第5章    後端全定製設計之標準單元電路設計實戰  65

5.1 電路設計流程  65

5.2 時序單元HLFF的電路設計  65

5.2.1 建立庫及電路設計環境  65

5.2.2 Vituoso Schematic Composer使用基礎  68

5.2.3 時序單元HLFF電路實現  69

5.2.4 時序單元HLFF電路元件的産生  70

5.2.5 時序單元HLFF電路網錶輸齣  71

5.3 時序單元HLFF的電路仿真  72

5.3.1 設置帶激勵輸入的仿真電路圖  73

5.3.2 使用Virtuoso Spectre Circuit Simulator進行電路仿真  74

第6章    後端全定製設計之標準單元版圖設計技術  80

6.1 基本CMOS工藝流程  80

6.2 基本版圖層  82

6.2.1 NMOS/PMOS晶體管的版圖實現  83

6.2.2 串聯晶體管的版圖實現  83

6.2.3 並聯晶體管的版圖實現  84

6.2.4 CMOS反相器的版圖實現  85

6.2.5 緩衝器的版圖實現  85

6.2.6 CMOS二輸入與非門和或非版圖實現  86

6.3 版圖設計規則  87

6.4 版圖設計中晶體管布局方法  93

6.4.1 基本歐拉路徑法  94

6.4.2 歐拉路徑法在動態電路中的應用  95

6.4.3 晶體管尺寸對版圖的影響  97

6.5 標準單元版圖設計的基本指導  97

6.5.1 優化設計標準單元  98

6.5.2 標準單元PIN腳的設計  100

第7章    後端全定製設計之標準單元版圖設計實戰  104

7.1 版圖設計流程  104

7.2 時序單元HLFF版圖實現  105

7.2.1 建立項目庫及版圖設計環境  105

7.2.2 Vituoso Layout Editor使用基礎  106

7.2.3 時序單元HLFF版圖實現  111

7.2.4 時序單元HLFF版圖GDS輸齣  115

7.3 版圖設計規則檢查  116

7.3.1 執行版圖設計規則檢查  116

7.3.2 基於版圖設計規則結果的調試  119

7.4 版圖與電路等價性檢查  120

7.4.1 執行版圖與電路等價性檢查  120

7.4.2 基於版圖與電路等價性檢查結果的調試  124

7.5 版圖寄生參數提取  126

第8章    後端全定製設計之標準單元特徵化技術  129

8.1 標準單元時序模型介紹  129

8.1.1 基本的時序模型歸納  129

8.1.2 時序信息建模方法  130

8.1.3 時序信息文件基本內容  131

8.2 標準單元物理格式LEF介紹  136

8.2.1 LEF文件中重要參數詳細說明  136

8.2.2 LEF文件全局設置  139

8.2.3 LEF文件中工藝庫物理信息設置  139

8.2.4 LEF文件中單元庫物理信息設置  142

8.2.5 LEF對應的圖形視圖  144

第9章    後端全定製設計之標準單元特徵化實戰  145

9.1 時序信息提取實現  145

9.1.1 時序信息特徵化的實現流程  145

9.1.2 時序信息特徵化的數據準備  146

9.1.3 標準單元HLFF的時序信息特徵化  149

9.1.4 SiliconSmart工具流程介紹  155

9.2 物理信息抽象化實現  155

9.2.1 物理信息抽象化實現流程  156

9.2.2 建立物理信息抽象化工作環境  156

9.2.3 標準單元HLFF的物理信息抽象化  161

9.2.4 版圖抽象化後LEF數據輸齣  174

第二部分 後端半定製設計及實戰

第10章 後端半定製設計之物理實現技術  178

10.1 半定製物理實現工程師應該具備的能力  178

10.2 半定製物理實現流程  179

10.3 半定製物理實現使用的EDA工具  181

10.4 半定製物理實現需要的數據  182

10.5 布局規劃  182

10.6 電源規劃  188

10.6.1 電壓降與電遷移  188

10.6.2 電源規劃前的功耗預估方法  193

10.6.3 電源條帶的基本設置方法  194

10.6.4 電源環的基本設置方法  197

10.6.5 電源網絡分析的基本方法  197

10.7 時鍾樹的實現  199

10.7.1 常見時鍾網絡的實現方法  199

10.7.2 時鍾樹的綜閤策略  201

10.7.3 時鍾樹的基本性能參數  202

10.7.4 時鍾樹的綜閤流程  205

10.7.5 門控時鍾  209

10.7.6 時鍾樹優化基本指導  210

10.8 布綫  214

10.8.1 天綫效應  214

10.8.2 串擾噪聲  220

10.8.3 數模混閤信號綫走綫的基本方法  224

10.9 ECO  226

第11章 後端半定製設計之Open-SparcT1-FPU布局布綫實戰  229

11.1 布局布綫的基本流程  229

11.2 布局布綫工作界麵介紹  230

11.3 建立布局布綫工作環境  231

11.4 布局布綫實現  236

11.4.1 芯片布局  236

11.4.2 電源網絡實現  238

11.4.3 自動放置標準單元  244

11.4.4 時鍾樹綜閤  247

11.4.5 布綫  252

11.4.6 芯片版圖完整性實現  256

11.4.7 布局布綫數據輸齣  259

第12章 後端半定製設計之Open-SparcT1-FPU電壓降分析實戰  262

12.1 電壓降分析的基本流程  262

12.2 建立電壓降分析的工作環境  262

12.3 電壓降分析實現  266

12.3.1 設置電源網格庫  266

12.3.2 功耗計算  269

12.3.3 電壓降分析  271

第三部分 靜態時序分析及實戰

第13章 靜態時序分析技術  278

13.1 靜態時序分析介紹  278

13.1.1 靜態時序分析背景  278

13.1.2 靜態時序分析優缺點  279

13.2 靜態時序分析基本知識  280

13.2.1 CMOS邏輯門單元時序參數  280

13.2.2 時序模型  281

13.2.3 互連綫模型  282

13.2.4 時序單元相關約束  283

13.2.5 時序路徑  284

13.2.6 時鍾特性  287

13.2.7 時序弧  289

13.2.8 PVT環境  292

13.3 串擾噪聲  293

13.3.1 串擾噪聲惡化原因  293

13.3.2 串擾噪聲的體現形式  294

13.3.3 串擾噪聲相互作用形式  295

13.3.4 時間窗口  296

13.4 時序約束  298

13.4.1 時鍾約束  298

13.4.2 I/O延時約束  308

13.4.3 I/O環境建模約束  309

13.4.4 時序例外  311

13.4.5 恒定狀態約束  315

13.4.6 屏蔽時序弧  316

13.4.7 時序設計規則約束  317

13.5 靜態時序分析基本方法  318

13.5.1 時序圖  318

13.5.2 時序分析策略  320

13.5.3 時序路徑延時的計算方法  321

13.5.4 時序路徑的分析方法  323

13.5.5 時序路徑分析模式  327

第14章 靜態時序分析實戰  339

14.1 靜態時序分析基本流程  339

14.2 建立靜態時序分析工作環境  339

14.3 靜態時序分析實現  343

14.3.1 建立時間分析  344

14.3.2 保持時間分析  360

14.3.3 時序設計規則分析  369

14.3.4 時序違反修  371

參考文獻  374

  圖書基本信息
圖書名稱 CMOS數字集成電路設計
作者 (美)查爾斯.霍金斯(Charles Hawkins)等
定價 69.00元
齣版社 機械工業齣版社
ISBN 9787111529330
齣版日期 2016-04-01
字數 252000
頁碼 242
版次 1
裝幀 平裝
開本 16開
商品重量 0.4Kg


   內容簡介

本書中文簡體字版由IET授權機械工業齣版社齣版。未經齣版者書麵許可,不得以任何方式復製或抄襲本書內容。

本書涵蓋瞭CMOS數字集成電路的設計技術,教材的編寫采用新穎的講述方法,並不要求學生已經學習過模擬電子學的知識,有利於教師靈活地安排教學計劃。本書完全放棄瞭涉及雙極型器件的內容,隻關注數字集成電路的主流工藝——CMOS數字電路設計。書中引入大量的實例,每章後也給齣瞭豐富的習題,使得學生能夠將學到的知識與實際結閤。本書可作為CMOS數字集成電路的本科教材。


   作者簡介


   目錄

目 錄

齣版者的話

譯者序



前言

第1章 基本邏輯門和電路原理1

1.1 邏輯門和布爾代數1

1.2 布爾和邏輯門化簡3

1.3 時序電路4

1.4 電壓和電流定律6

1.4.1 端口電阻的觀察法分析6

1.4.2 基爾霍夫電壓定律與觀察法分析7

1.4.3 基爾霍夫電流定律與觀察法分析9

1.4.4 基於觀察法的分壓器和分流器混閤分析10

1.5 電阻的功率消耗11

1.6 電容13

1.6.1 電容器能量與功率14

1.6.2 電容分壓器15

1.7 電感16

1.8 二極管非綫性電路分析16

1.9 關於功率19

1.10 小結20

習題20

第2章 半導體物理24

2.1 材料基礎24

2.1.1 金屬、絕緣體和半導體24

2.1.2 半導體中的載流子:電子與空穴25

2.1.3 確定載流子濃度26

2.2 本徵半導體和非本徵半導體27

2.2.1 n型半導體28

2.2.2 p型半導體29

2.2.3 n型與p型摻雜半導體中的載流子濃度30

2.3 半導體中的載流子輸運30

2.3.1 漂移電流31

2.3.2 擴散電流32

2.4 pn結34

2.5 pn結的偏置35

2.5.1 pn結正偏壓36

2.5.2 pn結反偏壓36

2.6 二極管結電容37

2.7 小結38

參考文獻38

習題38

第3章 MOSFET40

3.1 工作原理40

3.1.1 作為數字開關的MOSFET40

3.1.2 MOSFET的物理結構41

3.1.3 MOS晶體管工作原理:一種描述性方法42

3.2 MOSFET輸入特性44

3.3 nMOS晶體管的輸齣特性與電路分析44

3.4 pMOS晶體管的輸齣特性與電路分析49

3.5 含有源極和漏極電阻的MOSFET53

3.6 MOS晶體管的閾值電壓54

3.7 小結55

參考文獻56

習題56

第4章 金屬互連綫性質60

4.1 金屬互連綫電阻60

4.1.1 電阻和熱效應62

4.1.2 薄膜電阻63

4.1.3 通孔電阻64

4.2 電容67

4.2.1 平行闆模型67

4.2.2 電容功率68

4.3 電感69

4.3.1 電感電壓69

4.3.2 導綫電感70

4.3.3 電感功率70

4.4 互連綫RC模型71

4.4.1 短綫的電容模型71

4.4.2 長綫的電阻電容模型72

4.5 小結74

參考文獻74

習題74

第5章 CMOS反相器77

5.1 CMOS反相器概述77

5.2 電壓轉移麯綫78

5.3 噪聲容限79

5.4 對稱電壓轉移麯綫81

5.5 電流轉移麯綫82

5.6 VTC圖形分析83

5.6.1 靜態電壓轉移麯綫83

5.6.2 動態電壓轉移麯綫85

5.7 反相器翻轉速度模型86

5.8 CMOS反相器功耗88

5.8.1 瞬態功耗88

5.8.2 短路功耗89

5.8.3 靜態泄漏功耗91

5.9 功耗與電源電壓調整91

5.10 調整反相器緩衝器尺寸以驅動大負載92

5.11 小結94

參考文獻94

習題94

第6章 CMOS“與非”門、“或非”門和傳輸門97

6.1 “與非”門97

6.1.1 電路行為98

6.1.2 “與非”門的非控製邏輯狀態98

6.2 “與非”門晶體管尺寸調整100

6.3 “或非”門102

6.3.1 電路行為102

6.3.2 “或非”門的非控製邏輯狀態102

6.4 “或非”門晶體管尺寸調整105

6.5 通過門與CMOS傳輸門108

6.5.1 通過門108

6.5.2 CMOS傳輸門109

6.5.3 三態邏輯門110

6.6 小結110

習題111

第7章 CMOS電路設計風格115

7.1 布爾代數到晶體管電路圖的轉換115

7.2 德摩根電路的綜閤118

7.3 動態CMOS邏輯門120

7.3.1 動態CMOS邏輯門的特性120

7.3.2 動態電路中的電荷共享121

7.4 多米諾CMOS邏輯門123

7.5 NORA CMOS邏輯門125

7.6 通過晶體管邏輯門125

7.7 CMOS傳輸門邏輯設計127

7.8 功耗及活躍係數128

7.9 小結132

參考文獻132

習題132

第8章 時序邏輯門設計與時序137

8.1 CMOS鎖存器138

8.1.1 時鍾控製的鎖存器138

8.1.2 門控鎖存器139

8.2 邊沿觸發的存儲元件140

8.2.1 D觸發器140

8.2.2 時鍾的邏輯狀態141

8.2.3 一種三態D觸發器設計141

8.3 邊沿觸發器的時序規則142

8.3.1 時序測量143

8.3.2 違反時序規則的影響144

8.4 D觸發器在集成電路中的應用145

8.5 帶延時元件的tsu和thold145

8.6 包含置位和復位的邊沿觸發器147

8.7 時鍾生成電路148

8.8 金屬互連綫寄生效應151

8.9 時鍾漂移和抖動151

8.10 芯片設計中的整體係統時序152

8.10.1 時鍾周期約束152

8.10.2 時鍾周期約束與漂移153

8.10.3 保持時間約束153

8.10.4 考慮漂移和抖動的時鍾周期約束154

8.11 時序與環境噪聲156

8.12 小結157

參考文獻157

習題158

第9章 IC存儲器電路163

9.1 存儲器電路結構164

9.2 存儲器單元165

9.3 存儲器譯碼器166

9.3.1 行譯碼器166

9.3.2 列譯碼器167

9.4 讀操作168

9.5 讀操作的晶體管寬長比調整169

9.6 存儲器寫操作170

9.6.1 單元寫操作170

9.6.2 鎖存器轉移麯綫170

9.7 寫操作的晶體管寬長比調整171

9.8 列寫電路173

9.9 讀操作與靈敏放大器174

9.10 動態存儲器177

9.10.1 3晶體管DRAM單元177

9.10.2 1晶體管DRAM單元178

9.11 小結179

參考文獻179

習題179

第10章 PLA、CPLD與FPGA181

10.1 一種簡單的可編程電路——PLA181

10.1.1 可編程邏輯門182

10.1.2 “與”/“或”門陣列183

10.2 下一步:實現時序電路——CPLD184

10.2.1 引入時序模塊——CPLD184

10.2.2 更先進的CPLD186

10.3 先進的可編程邏輯電路——FPGA190

10.3.1 Actel ACT FPGA191

10.3.2 Xilinx Spartan FPGA192

10.3.3 Altera Cyclone Ⅲ FPGA194

10.3.4 如今的FPGA196

10.3.5 利用FPGA工作——設計工具196

10.4 理解編程寫入技術196

10.4.1 反熔絲技術196

10.4.2 EEPROM技術198

10.4.3 靜態RAM開關技術199

參考文獻199

第11章 CMOS電路版圖200

11.1 版圖和設計規則200

11.2 版圖設計方法:布爾方程、晶體管原理圖和棒圖201

11.3 利用PowerPoint進行電路版圖布局202

11.4 設計規則和小間距203

11.5 CMOS反相器的版圖布局204

11.5.1 pMOS晶體管的版圖204

11.5.2 重溫pMOS晶體管版圖的設計規則205

11.5.3 nMOS晶體管版圖205

11.5.4 將晶體管閤並到共同的多晶矽柵下206

11.6 根據設計規則小間距繪製完整的CMOS反相器207

11.7 多輸入邏輯門的版圖207

11.8 閤並邏輯門標準單元版圖209

11.9 更多關於版圖的內容210

11.10 版圖CAD工具211

11.11 小結211

第12章 芯片是如何製作的212

12.1 集成電路製造概覽212

12.2 矽晶圓片的製備213

12.3 生産綫的前端和後端213

12.4 生産綫前端工藝技術214

12.4.1 矽的氧化214

12.4.2 光刻214

12.4.3 蝕刻216

12.4.4 沉積和離子注入216

12.5 清潔和安全性操作217

12.6 晶體管的製造218

12.7 生産綫後端工藝技術218

12.7.1 濺射工藝219

12.7.2 雙金屬鑲嵌法(大馬士革工藝)219

12.7.3 層間電介質及終鈍化220

12.8 CMOS反相器的製造220

12.8.1 前端工藝操作220

12.8.2 後端工藝操作221

12.9 芯片封裝221

12.10 集成電路測試222

12.11 小結222

參考文獻222

章末偶數編號習題參考答案223

索引228


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