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薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模

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雷东著 著



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发表于2024-12-22

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店铺: 文轩网旗舰店
出版社: 电子工业出版社
ISBN:9787121293948
商品编码:10580751244
出版时间:2016-08-01

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具体描述

作  者:雷东 著 定  价:39 出 版 社:电子工业出版社 出版日期:2016年08月01日 页  数:154 装  帧:平装 ISBN:9787121293948 第1章薄膜晶体管(TFT)用于平板显示
1.1TFT用于液晶平板显示
1.1.1LCD显示技术原理
1.1.2矩阵显示
1.1.3AMLCD显示技术对TFT特性的要求
1.2TFT用于OLED平板显示
1.2.1有机发光二极管(OLED)
1.2.2OLED显示
1.2.3AMOLED显示对TFT特性的要求
1.3TFT的SPICE建模与仿真
1.3.1SPICE仿真与建模
1.3.2TFT的SPICE建模
1.3.3模型的质量验证
参考文献
第2章a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理
2.1平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺
2.1.1平板显示用a-Si TFT的常见结构
2.1.2栅极(Gate)金属
2.1.3a-SiNx:H薄膜
2.1.4a-Si:H薄膜
部分目录

内容简介

本书以显示面板设计和制造过程中的经验为依据,详细分析并阐述了TFT的器件物理、制造工艺以及SPICE建模的相关内容。全书分为6章。靠前章阐述了TFT用于平板显示的技术原理,以及针对TFT进行SPICE建模前所需要掌握的基础知识。第2章、第3章内容主要是针对a-Si TFT进行的分析和阐述。其中,第2章分析了目前产业界常用的a-Si TFT的结构、相关的工艺过程、材料以及器件的物理性质。第3章则详细分析了a-Si TFT的SPICE模型,并对每个模型参数的物理意义及其在TFT特性曲线上的作用进行了分析。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工艺及SPICE模型。第6章针对目前新型的IGZO工艺进行了阐述,主要介绍了IGZO材料及器件的物理性质,以及业界广泛采用的IGZO TFT的结构和工艺过程。 雷东 著 雷东,内蒙古包头市人,毕业于浙江大学材料系硅材料国家重点实验室,研究领域为半导体硅材料。
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