基本信息

書名：半導體器件新工藝

定價：23.00元

作者：梁瑞林

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2008-04-01

ISBN：9787030212535

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：大32開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

“錶麵組裝與貼片式元器件技術”叢書采用圖文並茂的圖解方式，其目的就是要讓讀者在沒有條件一一目睹和體驗各類錶麵組裝實物以及各種貼片式電子元器件的情況下，通過圖（有些是照片）文對照的方式，更好地理解與應用本叢書傳遞的知識與信息。 本書主要介紹瞭單晶矽圓片的加工技術，大規模集成電路的設計製版、芯片加工與封裝檢驗技術，多種類型的半導體材料與器件的應用，及其未來的展望等內容。

內容提要

本書為“錶麵組裝與貼片式元器件技術”叢書之一。本書主要介紹瞭單晶矽圓片的加工技術，大規模集成電路的設計製版、芯片加工與封裝檢驗技術，多種類型的半導體材料與器件的應用，及其未來的展望等內容。本書在內容上，力圖盡可能地嚮讀者傳遞國際上先進的半導體製造技術方麵的前沿知識，避免冗長的理論探討，體現瞭本書的實用性。
　　本書可以作為電子電路、微電子、半導體材料與器件、電子科學與技術等領域的工程技術人員以及科研單位研究人員的參考資料，也可以作為工科院校相關專業師生的參考用書。

目錄

章　概述
　1.1　半導體器件的發展史
　1.2　半導體的基礎知識
　　1.2.1　本徵半導體的電阻率較高
　　1.2.2　利用摻雜的方法降低半導體的電阻率
　　1.2.3　半導體的電阻率隨著溫度升高而迅速下降
　　1.2.4　半導體的電阻率隨著光照度的增加而下降
　　1.2.5　半導體材料的光生伏特效應
　　1.2.6　半導體材料具有場緻發光效應
　　1.2.7　不同類型半導體材料之間的帕爾帖效應
　　1.2.8　半導體材料其他可供利用的效應
　　1.2.9　半導體材料可以製作成集成電路
　1.3　大規模集成電路技術的發展現狀
第2章　單晶矽圓片
　2.1　高純度矽材料的製備
　2.2　單晶矽錠的加工
　　2.2.1　單晶矽圓片的工藝流程及製作方法
　　2.2.2　用提拉法製作單晶矽錠的過程
　2.3　單晶矽圓片的加工
　　2.3.1　單晶矽的切片工藝
　　2.3.2　單晶矽片的倒角加工
　　2.3.3　單晶矽片的機械研磨
　　2.3.4　單晶矽片的化學研磨
　　2.3.5　單晶矽片的退火
　　2.3.6　單晶矽片的鏡麵研磨
　　2.3.7　單晶矽片的清洗
　　2.3.8　單晶矽片的檢查與包裝
　　2.3.9　單晶矽片的外延生長
　　2.3.10　絕緣層上的單晶矽圓片SOI
第3章　大規模集成電路的設計與製版
　3.1　大規模集成電路的一般知識
　　3.1.1　集成電路的發明
　　3.1.2　集成電路的集成度分類法
　　3.1.3　大規模集成電路的功能分類法
　　3.1.4　大規模集成電路的工作原理分類法
　　3.1.5　大規模集成電路的主要製造工藝
　3.2　大規模集成電路的設計
　　3.2.1　大規模集成電路的設計綜述
　　3.2.2　電子電路設計
　　3.2.3　圖版設計與原圖工藝
　3.3　大規模集成電路的製版工藝
　　3.3.1　製版工藝綜述
　　3.3.2　玻璃基闆的選擇與加工處理
　　3.3.3　鍍膜
　　3.3.4　塗布感光膠
　　3.3.5　描圖曝光
　　3.3.6　堅膜
　　3.3.7　顯影
　　3.3.8　腐蝕
　　3.3.9　圖版檢查、修正與覆蓋保護膜
　　3.3.10　相位移光掩模與光學仿真矯正光掩模
第4章　大規模集成電路的芯片加工
　4.1　芯片加工工藝流程
　　4.1.1　芯片加工工藝綜述
　　4.1.2　芯片加工的主要工藝
　　4.1.3　大規模集成電路的芯片加工工藝流程
　　4.1.4　超淨工作室
　4.2　不同性質的加工工藝
　　4.2.1　清洗
　　4.2.2　氧化
　　4.2.3　化學氣相沉積
　　4.2.4　光刻
　　4.2.5　乾式腐蝕
　　4.2.6　離子注入
　　4.2.7　退火
　　4.2.8　濺射
　　4.2.9　化學機械研磨
　　4.2.10　階段性工藝檢查
　4.3　不同加工對象的加工工藝
　　4.3.1　不同加工對象的加工工藝概述
　　4.3.2　形成隔離區
　　4.3.3　形成阱
　　4.3.4　形成晶體管
　　4.3.5　形成位綫
　　4.3.6　形成電容器
　　4.3.7　形成互連綫
第5章　大規模集成電路的封裝與檢驗
　5.1　集成電路封裝概述
　　5.1.1　集成電路封裝形式的發展
　　5.1.2　雙列直插封裝DIP　
　　5.1.3　方形扁平封裝QFP
　　5.1.4　球柵陣列封GA
　　5.1.5　芯片尺寸封裝CsP
　　5.1.6　多芯片封裝模塊MCM
　5.2　大規模集成電路的封裝工藝
　　5.2.1　大規模集成電路封裝工藝的流程
　　5.2.2　單晶矽圓片背麵研磨
　　5.2.3　劃片
　　5.2.4　將芯片固定在基座上
　　5.2.5　焊接引綫
　　5.2.6　塑料封裝
　　5.2.7　引腳錶麵鍍層處理
　　5.2.8　引腳切斷、成型、打印標誌
　5.3　大規模集成電路封裝的檢驗
　　5.3.1　電子元器件的失效麯綫
　　5.3.2　老化
　　5.3.3　條件循環試驗
第6章　多種類型的半導體材料
　6.1　元素半導體
　6.2　化閤物半導體
　　6.2.1　化閤物半導體的分類
　　6.2.2　砷化鎵
　　6.2.3　其他Ⅲ-V族化閤物半導體
　　6.2.4　Ⅱ-Ⅵ族化閤物半導體
　　6.2.5　Ⅳ-Ⅳ族與Ⅳ-Ⅵ族化閤物半導體
　6.3　非晶半導體
　　6.3.1　非晶半導體是原子排列不規則的半導體
　　6.3.2　發展初期的非晶半導體
　　6.3.3　非晶半導體研究中的難題
　　6.3.4　新的學科門類——固體化學
　　6.3.5　非晶半導體的種類
　　6.3.6　非晶半導體的特點
　　6.3.7　非晶半導體的應用
　6.4　固溶體半導體
　　6.4.1　含砷鎵的固溶體半導體
　　6.4.2　含碲的固溶體半導體
　　6.4.3　含碲鉍的固溶體半導體
　　6.4.4　多元化固溶體半導體的研發方嚮
　6.5　半導體陶瓷
　　6.5.1　半導體陶瓷的共性
　　6.5.2　高溫還原氣氛造成的陶瓷半導體化
　　6.5.3　不同化閤價的元素置換造成陶瓷半導體化
　　6.5.4　正溫度係數熱敏電阻陶瓷
　　6.5.5　負溫度係數熱敏電阻陶瓷
　　6.5.6　臨界值熱敏電阻陶瓷
　　6.5.7　壓敏電阻陶瓷
　　6.5.8　氣敏電阻陶瓷
　　6.5.9　濕敏電阻陶瓷
　　6.5.10　多功能半導體陶瓷
　6.6　有機半導體
　　6.6.1　有機半導體的現狀與分類
　　6.6.2　共軛雙鍵有機化閤物半導體
　　6.6.3　電荷轉移絡閤物
　　6.6.4　高分子有機化閤物
　6.7　超晶格半導體
第7章　半導體材料與器件的未來展望
　7.1　摩爾定律
　　7.1.1　矽集成電路發展過程中所遵循的摩爾定律
　　7.1.2　摩爾定律將會失靈
　　7.1.3　摻雜均勻性對摩爾定律的限製
　　7.1.4　集成電路的功耗密度對摩爾定律的限製
　　7.1.5　光刻技術對摩爾定律的限製
　　7.1.6　互連綫對摩爾定律的限製
　7.2　半導體器件的深入發展
　　7.2.1　發展砷化鎵和磷化銦單晶材料
　　7.2.2　開發寬帶隙半導體材料
　　7.2.3　開發低維半導體材料
　　7.2.4　未來展望
參考文獻

作者介紹

文摘

序言