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杨碧石，陈兵飞，束慧 著

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店铺： 博学精华图书专营店

出版社： 人民邮电出版社

ISBN：9787115166494

商品编码：29692725814

包装：平装

出版时间：2007-01-01

基本信息

书名:数字电子技术基础

：19.00元

售价：13.9元,便宜5.1元,折扣73

作者:杨碧石 ,陈兵飞,束慧

出版社：人民邮电出版社

出版日期：2007-01-01

ISBN：9787115166494

字数：301000

页码：192

版次：1

装帧：平装

开本：

商品重量：0.4kg

编辑推荐

内容提要

本书介绍逻辑代数的基本知识及其数字逻辑电路的基本分析和设计方法。全书共分8章。主要内容包括逻辑代数的基本知识，组合逻辑电路的分析与设计，时序逻辑电路的分析与设计，脉冲波形产生电路，数模和模数转换电路，半导体存储器和可编程逻辑器件等。本书每章后面都配有实验与实训及习题，便于读者巩固所学理论知识，提高分析问题和解决问题的能力。
　　本书可作为高职高专院校电子、电气、自动化、计算机等有关专业的教材，也可作为自学者及科技人员参考用书。

目录

作者介绍

文摘

序言

《晶体管电路设计与应用》 内容概要： 本书深入探讨了晶体管作为电子世界基石的原理、特性、种类以及在各类实际电路中的应用。全书内容严谨，逻辑清晰，从最基本的二极管和三极管（BJT）入手，逐步深入到场效应管（FET）的复杂结构与工作机制，最终涵盖了集成电路中复杂的晶体管阵列与高性能设计。本书旨在为读者构建一个扎实而全面的晶体管知识体系，使其能够理解、分析并设计出各种功能化的电子电路。 第一部分：半导体基础与二极管 半导体材料的奥秘： 深入解析硅和锗等本征半导体的原子结构、能带理论，以及杂质掺杂（N型和P型）如何改变其导电特性。讨论载流子（电子和空穴）的概念，以及它们在电场作用下的漂移和扩散运动。 PN结的形成与特性： 详细阐述PN结的形成过程，包括扩散电流和漂移电流的平衡，形成耗尽层和内建电势。分析PN结在正向偏置和反向偏置下的伏安特性曲线，理解击穿现象及其保护措施。 二极管的种类与应用： 介绍各种常用二极管，如整流二极管、稳压二极管（齐纳二极管）、肖特基二极管、发光二极管（LED）、光敏二极管等。详细讲解它们的结构、工作原理、电气参数以及在电源电路（整流、滤波）、信号处理（限幅、钳位）、照明、光电检测等领域的实际应用。 第二部分：双极结型晶体管（BJT） BJT的结构与工作原理： 详细介绍NPN型和PNP型BJT的结构，包括发射区、基区和集电区的掺杂浓度和厚度差异。深入解析BJT的放大区、饱和区和截止区的形成，以及电流放大作用（电流增益β）的产生机理。 BJT的输出特性曲线与输入特性曲线： 详细讲解BJT的输出特性曲线（集电极电流Ic与集电极-发射极电压Vce的关系，以基极电流Ib为参数）和输入特性曲线（基极电流Ib与基极-发射极电压Vbe的关系，以集电极电流Ic为参数）。通过这些曲线，读者可以直观理解BJT的工作状态和参数变化。 BJT的等效电路模型： 介绍小信号等效电路模型，如混合π模型和T模型，用于分析BJT在交流信号下的放大特性。详细讲解参数的推导和意义，以及如何利用这些模型计算电路的电压增益、电流增益、输入电阻和输出电阻。 BJT的偏置电路设计： 讲解固定偏置、发射极自偏置、集电极-发射极分压偏置等基本偏置方式。分析不同偏置方式的优缺点，以及如何根据性能要求（如稳定性、放大能力）选择和设计偏置电路，确保BJT工作在放大区。 BJT放大电路分析与设计： 深入讲解单级BJT放大电路（如共发射极放大器、共集电极放大器/射极输出器、共基极放大器）的原理、特性分析（增益、输入输出电阻、频率响应）和设计步骤。讨论多级放大电路的级联，以及如何提高放大器的整体性能。 BJT的开关电路： 讲解BJT作为开关的应用，如何通过改变基极电流控制集电极电流的通断，实现信号的开关切换。介绍驱动电路的设计，以及在数字逻辑电路中的应用基础。 第三部分：场效应管（FET） FET的种类与基本原理： 介绍结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。详细讲解JFET的P沟道和N沟道结构，以及栅极电压控制沟道导电性的原理。 MOSFET的结构与工作模式： 详细介绍MOSFET的增强型和耗尽型（P沟道和N沟道）结构，包括源区、漏区、栅极和衬底。深入解析MOSFET的三个工作区域：截止区、线性区（或欧姆区）和饱和区。重点讲解MOSFET的阈值电压（Vt）和跨导（gm）等关键参数。 MOSFET的特性曲线与等效电路： 讲解MOSFET的输出特性曲线（漏极电流Id与漏极-源极电压Vds的关系，以栅极-源极电压Vgs为参数）和转移特性曲线（漏极电流Id与栅极-源极电压Vgs的关系）。介绍MOSFET的小信号等效电路模型，用于分析其交流放大特性。 MOSFET的偏置与放大电路： 讲解MOSFET的基本偏置技术，如自偏置、固定偏置和分压偏置。分析MOSFET放大电路（如共源放大器、共漏放大器/源极输出器、共栅放大器）的设计与分析，重点关注其高输入阻抗和良好的频率特性。 MOSFET作为开关的应用： 详细讲解MOSFET作为开关的原理，尤其是在数字逻辑电路和电源管理中的重要作用。介绍CMOS（互补金属氧化物半导体）技术及其基本逻辑门电路（如CMOS反相器、与非门、或非门）的设计。 DMOS与功率MOSFET： 介绍DMOS（双扩散MOS）技术以及功率MOSFET的特点，包括高电流处理能力、低导通电阻和快速开关速度，广泛应用于开关电源、电机驱动等功率电子领域。 第四部分：功率晶体管与集成电路应用 功率晶体管的设计考虑： 讲解功率晶体管在选择和设计时需要考虑的因素，如散热、耐压、电流能力、导通损耗和开关损耗。介绍功率晶体管的封装形式和散热设计。 双极功率晶体管（BJT Power Transistors）： 介绍功率BJT的结构特点和应用，如达林顿管的集成。 电力电子中的晶体管应用： 概述晶体管在开关电源（SMPS）、逆变器、斩波器等电力电子设备中的核心作用，以及相关的驱动和保护技术。 集成电路中的晶体管： 简要介绍集成电路（IC）的制造工艺，以及IC内部大量的晶体管如何构成复杂的数字和模拟功能模块，如运算放大器、逻辑门阵列、微处理器等。 第五部分：电路分析与调试技巧 稳态分析与瞬态分析： 介绍利用基本电路理论（基尔霍夫定律、欧姆定律、节点电压法、网孔电流法）对晶体管电路进行稳态分析。 元件参数变化的影响： 分析温度、电源电压、元件个体差异等对晶体管电路性能的影响，以及如何通过偏置设计和反馈技术来提高电路的稳定性。 典型电路故障分析与排除： 结合实际案例，讲解晶体管电路中常见的故障现象，如输出失真、增益下降、直流漂移等，并提供系统性的故障诊断和排除方法。 测量与测试技术： 介绍使用万用表、示波器、信号发生器等常用仪器对晶体管电路进行参数测量和性能测试的技巧。 适用人群： 本书适合高等院校电子工程、通信工程、自动化等相关专业的本科生、研究生，以及从事电子产品设计、研发、维修的工程师和技术人员。对于有志于深入理解半导体器件和模拟/数字电路设计的爱好者，本书也将提供宝贵的知识财富。 阅读本书，您将能够： 深刻理解晶体管作为核心电子元件的物理原理。 掌握各种晶体管的电气特性和参数。 熟练分析和设计单级、多级晶体管放大电路。 理解晶体管在数字逻辑电路和功率电子中的关键作用。 具备分析和解决实际晶体管电路问题的能力。 为进一步学习更复杂的集成电路设计打下坚实的基础。 本书力求理论与实践相结合，通过大量的实例分析和设计说明，帮助读者将抽象的理论知识转化为解决实际工程问题的能力。

评分☆☆☆☆☆

这本书简直是为我量身定制的，我之前对电子学的了解仅停留在高中物理的皮毛阶段，对数字电路更是感到头大。但是这本书的叙述方式非常平易近人，它没有上来就抛出一大堆复杂的公式和晦涩难懂的术语，而是从最基本的逻辑门概念讲起，循序渐进地引导我们进入数字世界的奥秘。作者仿佛一位经验丰富的导师，总能在我快要迷失在概念的海洋时，用一个恰到好处的比喻将复杂的原理清晰地呈现在我眼前。特别是关于组合逻辑和时序逻辑那几章，原本以为会啃得很吃力，结果读起来竟有一种豁然开朗的感觉。书中大量的实例分析，让我真切地感受到了理论与实践结合的魅力。我甚至开始尝试自己搭建一些简单的电路模型，这种亲手实践带来的成就感是看书本其他地方学不到的。对于初学者来说，这本书绝对是最好的入门砖，它构建了一个坚实的基础，让人对接下来的深入学习充满信心。强烈推荐给所有想系统学习数字电子学的朋友，它的价值远超书本本身的定价。

评分☆☆☆☆☆

这本书最让我印象深刻的地方，在于它对“系统思维”的培养。数字电子技术，绝不仅仅是几个门电路的堆砌，它是一个复杂的、相互关联的系统。这本书的高明之处在于，它总能在讲解具体器件或模块的同时，将其置于整个系统架构中去审视。比如，当我们学习完译码器、多路复用器后，作者会立刻引导我们思考如何利用这些基础模块来构建一个小型CPU的控制单元或数据通路，这种由“点”及“面”的教学方法，极大地拓展了我的设计视野。它教会我的不是记住某一个公式，而是掌握一套分析和解决数字系统问题的通用方法论。这种思维的训练，远比单纯的知识记忆要宝贵得多。每当我面对一个全新的设计任务时，我都能不自觉地调用这本书中形成的分析框架去拆解问题，这种迁移能力是我认为这本书赋予我的最宝贵的财富。

评分☆☆☆☆☆

我是一名在职的硬件工程师，由于工作内容变动，需要快速恶补数字电路的设计与验证知识。市面上很多教材要么过于学术化，脱离实际应用；要么过于偏重某一个特定领域（比如FPGA编程），而忽略了核心的逻辑原理。这本书的优势在于它的实用导向和前瞻性。它没有过多纠缠于过于底层的半导体物理，而是将重点放在了如何利用已有的标准器件和设计方法来构建可靠的系统。书中对集成电路的家族特性（如TTL和CMOS的对比、逻辑电平标准）的分析，直接对应了我们在选型时需要考虑的关键因素。此外，它对设计规范和设计流程的探讨，比如如何进行时序检查、如何使用有限状态机（FSM）进行控制逻辑设计，这些都是工程实践中每天都在面对的问题。读完这本书，我感觉自己仿佛完成了一次高强度的“技能重塑”，工作效率明显提高，对现有设计的理解也更加深刻了。

评分☆☆☆☆☆

我是一名电子工程专业的大三学生，手头上的教材很多，但真正能让我反复翻阅、并且总能从中汲取新知的，实在不多。这本书给我带来的最大震撼，在于其对底层原理的深度挖掘和系统性的梳理。它不仅仅停留在“是什么”的层面，更深入地探讨了“为什么会是这样”。比如在讲解半导体器件的开关特性时，作者对PN结的物理过程描述得极为透彻，这对于理解触发器、寄存器等存储单元的工作机制至关重要。我尤其欣赏它在处理时序逻辑约束和毛刺抑制等高级主题时的严谨态度，每一个推导过程都清晰无误，逻辑链条完整，这在很多同类书籍中是看不到的。阅读过程中，我经常需要对照着电路图反复思考，但作者提供的分析思路总能将我从混乱中解救出来。这本书更像是一本工具书，每当我遇到设计难题，翻开它总能找到解决问题的思维模型。对于有一定基础，追求更高阶理解的读者而言，这本书提供了宝贵的思想财富。

评分☆☆☆☆☆

说实话，这本书的装帧和排版设计给我留下了非常好的第一印象。在如今很多教材都追求“快餐式”阅读体验的时代，它保持了一种难得的工匠精神。纸张的质量很好，长时间阅读眼睛不易疲劳；电路图和波形图的绘制达到了专业级别的清晰度，每一个元器件的符号都标注得清清楚楚，这在分析复杂时序图时简直是救星般的存在。更不用说目录结构的科学性了，知识点的组织层次分明，从基础的布尔代数到复杂的存储器结构，过渡自然流畅，很少出现知识点跳跃或者前后矛盾的情况。这套书在内容深度上无可挑剔，但在易读性上也没有妥协，这本身就是一种极高的平衡艺术。我甚至觉得，仅仅是把这本书放在书架上，看着它的专业布局，都能提升我整个学习环境的专业度。对于那些对阅读体验有较高要求的读者来说，这本书的物质呈现本身就是一种享受。