基本信息
書名:集成電路製造工藝技術體係
定價:98.00元
作者:嚴利人,周衛
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2017-12-01
ISBN:9787030501578
字數:
頁碼:
版次:31
裝幀:圓脊精裝
開本:128開
商品重量:0.4kg
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內容提要
目錄
作者介紹
文摘
序言
這本書給我的感覺是內容非常全麵,幾乎覆蓋瞭集成電路製造的每一個重要環節。在化學機械拋光(CMP)的部分,書中詳細解釋瞭其工作原理,即通過化學反應和機械研磨相結閤的方式來實現晶圓錶麵的平坦化。這一點對於多層互連的現代IC設計至關重要,因為隻有保證每一層的高度一緻性,纔能實現可靠的電氣連接。書中還介紹瞭CMP過程中常用的拋光液配方、拋光墊的材質選擇,以及如何控製拋光速率和錶麵損傷。此外,在離子注入部分,書中不僅講解瞭不同能量和劑量的離子如何摻入矽晶體中,還涉及瞭退火工藝的作用,以及如何通過熱處理來激活摻雜物和修復損傷。這對於理解PN結的形成和器件電學特性的調控有著非常重要的意義。整本書的敘述風格嚴謹,圖文並茂,對於想深入瞭解IC製造原理的讀者來說,是一本不可多得的好書。
評分初次翻閱這本《集成電路製造工藝技術體係》,就被其紮實的理論基礎和宏觀的體係結構所吸引。它不僅僅是羅列工藝步驟,更注重從物理、化學、材料科學等多角度去剖析每個工藝環節的內在邏輯。比如,在介紹晶圓製備時,書中詳細講解瞭矽單晶的生長過程、缺陷控製以及晶圓的錶麵處理工藝,這為後續器件製造奠定瞭物質基礎。隨後,關於光刻技術的部分,從經典的步進式光刻到浸沒式光刻,再到前沿的EUV光刻,逐層深入地揭示瞭分辨率極限的不斷突破是如何實現的,以及衍射光學、相位掩模等技術的巧妙運用。同時,書中對刻蝕工藝的講解也相當詳盡,特彆是等離子體刻蝕的反應動力學,以及如何通過優化工藝參數來獲得高選擇性、高深寬比的刻蝕圖形,這對於理解器件結構至關重要。這本書的體係性很強,將各個看似獨立的工藝環節串聯起來,形成一個完整的製造鏈條,這對於初學者建立起對整個製造流程的全局觀非常有價值。
評分這本書我讀瞭一段時間瞭,主要涉及瞭集成電路製造中從前端工藝到後段封裝的各個環節,涵蓋瞭光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學機械拋光等核心技術。特彆是對於不同工藝步驟的原理、設備以及關鍵參數的控製,都有比較深入的闡述。例如,在光刻部分,書中詳細介紹瞭光學成像原理,不同光源(如深紫外光、極紫外光)的特點及其在分辨率提升方麵的作用,以及掩模版的製作工藝和缺陷檢測技術。在刻蝕方麵,則區分瞭乾法刻蝕和濕法刻蝕,並著重講解瞭等離子體刻蝕的反應機理、選擇性控製以及對設備腔體的設計要求。對於材料方麵,書中也提及瞭多種薄膜材料,如二氧化矽、氮化矽、金屬材料等的沉積方法,並探討瞭它們的物理化學性質如何影響器件性能。總的來說,這本書為我係統地梳理瞭集成電路製造的完整流程,讓我對每一個環節都有瞭更清晰的認識,對於理解現代集成電路製造的復雜性和精密性非常有幫助。
評分我是一名剛入行不久的工程師,手頭的這本《集成電路製造工藝技術體係》為我打開瞭一扇瞭解集成電路製造的大門。書中對光刻膠的成分、曝光機理以及顯影過程的講解,讓我理解瞭“圖形轉移”的關鍵所在。而且,對於光刻過程中可能齣現的失真問題,如臨近效應、景深效應等,書中也給齣瞭相應的補償策略,這在實際生産中非常有指導意義。接著,在深入瞭解瞭刻蝕工藝後,我纔明白為何不同的材料需要不同的刻蝕劑和工藝參數,書中對各種乾法刻蝕(如RIE、ICP)和濕法刻蝕的原理分析,以及它們各自的優缺點,讓我對如何選擇閤適的刻蝕方法有瞭更深的認識。此外,薄膜沉積技術的部分,特彆是化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)的各種變種,如PECVD、ALD等,書中都進行瞭詳細的介紹,並闡述瞭它們在不同材料和應用場景下的優勢,這對於我理解不同層級的材料特性差異很有幫助。
評分我最近在學習集成電路製造方麵的知識,手裏的這本《集成電路製造工藝技術體係》真的是讓我受益匪淺。它在講解光刻技術時,非常注重細節,比如曝光劑量、聚焦深度、光學分辨率極限(瑞利判據)的數學推導,以及像OPC(光學鄰近效應修正)和EO(曝光優化)這樣的先進技術如何協同作用來提高圖形的精確度。此外,關於刻蝕工藝,書中不僅提及瞭反應離子刻蝕(RIE)的原理,還深入探討瞭等離子體的産生機製、化學反應路徑以及等離子體與晶圓錶麵的相互作用,這讓我對刻蝕的選擇性、均勻性和各嚮異性有瞭更深刻的理解。更令我驚喜的是,書中還對後段封裝工藝,如鍵閤、塑封、測試等進行瞭詳細的介紹,這讓我得以完整地瞭解一顆芯片從設計到最終成品的整個生命周期。本書的知識體係非常完整,邏輯清晰,是學習IC製造工藝的理想參考書。
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