基本信息
书名:集成电路制造工艺技术体系
定价:98.00元
作者:严利人,周卫
出版社:科学出版社
出版日期:2017-12-01
ISBN:9787030501578
字数:
页码:
版次:31
装帧:圆脊精装
开本:128开
商品重量:0.4kg
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内容提要
目录
作者介绍
文摘
序言
这本书我读了一段时间了,主要涉及了集成电路制造中从前端工艺到后段封装的各个环节,涵盖了光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、化学机械抛光等核心技术。特别是对于不同工艺步骤的原理、设备以及关键参数的控制,都有比较深入的阐述。例如,在光刻部分,书中详细介绍了光学成像原理,不同光源(如深紫外光、极紫外光)的特点及其在分辨率提升方面的作用,以及掩模版的制作工艺和缺陷检测技术。在刻蚀方面,则区分了干法刻蚀和湿法刻蚀,并着重讲解了等离子体刻蚀的反应机理、选择性控制以及对设备腔体的设计要求。对于材料方面,书中也提及了多种薄膜材料,如二氧化硅、氮化硅、金属材料等的沉积方法,并探讨了它们的物理化学性质如何影响器件性能。总的来说,这本书为我系统地梳理了集成电路制造的完整流程,让我对每一个环节都有了更清晰的认识,对于理解现代集成电路制造的复杂性和精密性非常有帮助。
评分初次翻阅这本《集成电路制造工艺技术体系》,就被其扎实的理论基础和宏观的体系结构所吸引。它不仅仅是罗列工艺步骤,更注重从物理、化学、材料科学等多角度去剖析每个工艺环节的内在逻辑。比如,在介绍晶圆制备时,书中详细讲解了硅单晶的生长过程、缺陷控制以及晶圆的表面处理工艺,这为后续器件制造奠定了物质基础。随后,关于光刻技术的部分,从经典的步进式光刻到浸没式光刻,再到前沿的EUV光刻,逐层深入地揭示了分辨率极限的不断突破是如何实现的,以及衍射光学、相位掩模等技术的巧妙运用。同时,书中对刻蚀工艺的讲解也相当详尽,特别是等离子体刻蚀的反应动力学,以及如何通过优化工艺参数来获得高选择性、高深宽比的刻蚀图形,这对于理解器件结构至关重要。这本书的体系性很强,将各个看似独立的工艺环节串联起来,形成一个完整的制造链条,这对于初学者建立起对整个制造流程的全局观非常有价值。
评分我是一名刚入行不久的工程师,手头的这本《集成电路制造工艺技术体系》为我打开了一扇了解集成电路制造的大门。书中对光刻胶的成分、曝光机理以及显影过程的讲解,让我理解了“图形转移”的关键所在。而且,对于光刻过程中可能出现的失真问题,如临近效应、景深效应等,书中也给出了相应的补偿策略,这在实际生产中非常有指导意义。接着,在深入了解了刻蚀工艺后,我才明白为何不同的材料需要不同的刻蚀剂和工艺参数,书中对各种干法刻蚀(如RIE、ICP)和湿法刻蚀的原理分析,以及它们各自的优缺点,让我对如何选择合适的刻蚀方法有了更深的认识。此外,薄膜沉积技术的部分,特别是化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)的各种变种,如PECVD、ALD等,书中都进行了详细的介绍,并阐述了它们在不同材料和应用场景下的优势,这对于我理解不同层级的材料特性差异很有帮助。
评分这本书给我的感觉是内容非常全面,几乎覆盖了集成电路制造的每一个重要环节。在化学机械抛光(CMP)的部分,书中详细解释了其工作原理,即通过化学反应和机械研磨相结合的方式来实现晶圆表面的平坦化。这一点对于多层互连的现代IC设计至关重要,因为只有保证每一层的高度一致性,才能实现可靠的电气连接。书中还介绍了CMP过程中常用的抛光液配方、抛光垫的材质选择,以及如何控制抛光速率和表面损伤。此外,在离子注入部分,书中不仅讲解了不同能量和剂量的离子如何掺入硅晶体中,还涉及了退火工艺的作用,以及如何通过热处理来激活掺杂物和修复损伤。这对于理解PN结的形成和器件电学特性的调控有着非常重要的意义。整本书的叙述风格严谨,图文并茂,对于想深入了解IC制造原理的读者来说,是一本不可多得的好书。
评分我最近在学习集成电路制造方面的知识,手里的这本《集成电路制造工艺技术体系》真的是让我受益匪浅。它在讲解光刻技术时,非常注重细节,比如曝光剂量、聚焦深度、光学分辨率极限(瑞利判据)的数学推导,以及像OPC(光学邻近效应修正)和EO(曝光优化)这样的先进技术如何协同作用来提高图形的精确度。此外,关于刻蚀工艺,书中不仅提及了反应离子刻蚀(RIE)的原理,还深入探讨了等离子体的产生机制、化学反应路径以及等离子体与晶圆表面的相互作用,这让我对刻蚀的选择性、均匀性和各向异性有了更深刻的理解。更令我惊喜的是,书中还对后段封装工艺,如键合、塑封、测试等进行了详细的介绍,这让我得以完整地了解一颗芯片从设计到最终成品的整个生命周期。本书的知识体系非常完整,逻辑清晰,是学习IC制造工艺的理想参考书。
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