发表于2024-12-23
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基本信息
书名:模拟电子技术(第2版):机电一体化系列教材
定价:32.00元
作者:李燕民庄效桓
出版社:机械工业出版社
出版日期:2009-10-01
ISBN:9787111237570
字数:435000
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.422kg
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内容提要
本书是《模拟电子技术》修订版,在第1版的基础上。精炼了部分基础内容,加强了电力电子器件及其应用,加入了Multisim软件功能的介绍,拓宽了知识面。各章后均配有习题,便于学生掌握和巩固基本概念、基本理论和基本分析方法。
本书共分为10章,分别为:半导体二极管、晶体管和场效应晶体管、交流放大电路、功率放大电路、集成运算放大器基础、负反馈放大器、集成运算放大器的应用、信号发生器、直流稳压电源、电力电子器件及其应用和Muhisim的功能和应用。
本书和《数字电子技术》第2版配套,可作为高等学校机电专业本科生“电子技术”课程的理论课教材,也可供其他相关专业选用以及从事机电工程的工程技术人员参考。
目录
第2版前言
第1章 半导体二极管、晶体管和场效应晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 半导体的导电特性
1.1.2 PN结
1.2 半导体二极管
1.2.1 二极管的基本结构
1.2.2 二极管的伏安特性
1.2.3 二极管的主要参数
1.2.4 二极管的直流电阻和交流电阻
1.2.5 二极管应用举例
1.2.6 特殊二极管
1.3 硅稳压管及其稳压电路
1.3.1 硅稳压管
1.3.2 硅稳压管稳压电路
1.4 半导体晶体管
1.4.1 晶体管的基本结构
1.4.2 晶体管的电流控制作用
1.4.3 晶体管的共发射极特性曲线
1.4.4 晶体管的主要参数
1.5 绝缘栅场效应晶体管
1.5.1 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管
1.5.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管
1.5.3 P沟道绝缘栅场效应晶体管
1.5.4 绝缘栅场效应晶体管的主要参数
1.5.5 VMOS功率场效应晶体管
1.5.6 场效应晶体管的特点和使用注意事项
习题
第2章 交流放大电路
2.1 基本共发射极放大电路
2.1.1 基本共发射极放大电路的组成
2.1.2 放大电路的静态分析
2.1.3 放大电路的动态分析
2.2 放大电路静态工作点的稳定
2.2.1 温度对静态工作点的影响
2.2.2 分压式偏置电路
2.3 共集电极放大电路
2.3.1 静态分析
2.3.2 动态分析
2.3.3 射极输出器的应用
2.4 共基极放大电路
2.5 阻容耦合多级放大电路
2.5.1 多级放大电路的组成及其耦合方式
2.5.2 阻容耦合多级放大电路
2.6 阻容耦合放大电路的频率特性
2.6.1 频率特性的概念
2.6.2 单级共射放大电路频率特性的定性分析
2.6.3 多级放大电路的频率特性
2.7 场效应晶体管共源极基本放大电路
2.7.1 直流偏置电路及静态分析
2.7.2 动态分析
2.8 场效应晶体管共漏极放大电路(源极输出器)
习题
第3章 功率放大电路
3.1 无输出电容的互补对称功率放大电路
3.1.1 放大电路的三种工作状态
3.1.2 OCL功放电路的组成和工作原理
3.1.3 输出功率和效率
3.1.4 设置静态偏置消除交越失真
……
第4章 集成运算放大器基础
第5章 负反馈放大器
第6章 集成运算放大器的应用
第7章 信号发生器
第8章 直流稳压电源
第9章 电力电子器件及其应用
第10章 Multisim的功能和应用
参考文献
作者介绍
文摘
序言
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