基本信息

書名：半導體物理與器件(第四版)

：79.00元

作者：(美)尼曼

齣版社：電子工業齣版社

齣版日期：2013-08-01

ISBN：9787121211652

字數：995000

頁碼：

版次：4

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

　　本書作者有著多年豐富的教學和科研經驗， 該書為第四版， 是在前三版作為教材使用多年的基礎上，結閤當今微電子器件發展而修改的。

內容提要

　　本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋瞭量子力學、 固體物理、 半導體材料物理及半導體器件物理等內容， 全書共三部分，十五章。部分是半導體材料屬性， 主要討論固體晶格結構、 量子力學、 固體量子理論、 平衡態半導體、 輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子； 第二部分是半導體器件基礎， 主要討論pn結、 pn結二極管、 金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應晶體管、 雙極晶體管、 結型場效應晶體管； 第三部分是專用半導體器件， 主要介紹光器件、半導體微波和功率器件等。書中既講述瞭半導體基礎知識， 也分析討論瞭小尺寸器件物理問題， 具有一定的深度和廣度。全書內容豐富、概念清楚、 講解深入淺齣、 理論分析透徹。另外， 全書各章難點之後均列有例題、 自測題， 每章末尾均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末尾列有習題和參考文獻， 書後附有部分習題答案。

目錄

緒論 半導體和集成電路
曆史
集成電路（IC）
製造
參考文獻
部分 半導體材料屬性
第1章 固體晶格結構
1.0 概述
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 金剛石結構
1.5 原子價鍵
*1.6 固體中的缺陷和雜質
*1.7 半導體材料的生長
1.8 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.0 概述
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.0 概述
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.0 概述
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本徵半導體
4.4 施主和受主的統計學分布
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.0 概述
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分布
*5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻

第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.0 概述
6.1 載流子的産生與復閤
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 準費米能級
*6.5 過剩載流子的壽命
*6.6 錶麵效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第二部分 半導體器件基礎
第7章 pn結
7.0 概述
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 結擊穿
*7.5 非均勻摻雜pn結
7.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極管
8.0 概述
8.1 pn結電流
8.2 産生復閤電流和大注入
8.3 pn結的小信號模型
*8.4 電荷存儲與二極管瞬態
*8.5 隧道二極管
8.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.0 概述
9.1 肖特基勢壘二極管
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第10章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
10.0 概述
10.1 雙端MOS結構
10.2 電容電壓特性
10.3 MOSFET基本工作原理
10.4 頻率限製特性
*10.5 CMOS技術
10.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管： 概念的深入
11.0 概述
11.1 非理想效應
11.2 MOSFET按比例縮小理論
11.3 閾值電壓的修正
11.4 附加電學特性
*11.5 輻射和熱電子效應
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 雙極晶體管
12.0 概述
12.1 雙極晶體管的工作原理
12.2 少子的分布
12.3 低頻共基極電流增益
12.4 非理想效應
12.5 等效電路模型
12.6 頻率上限
12.7 大信號開關
*12.8 其他的雙極晶體管結構
12.9 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.0 概述
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
*13.3 非理想因素
*13.4 等效電路和頻率限製
*13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第三部分 專用半導體器件
第14章 光器件
14.0 概述
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光緻發光和電緻發光
14.5 發光二極管
14.6 激光二極管
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第15章 半導體功率器件
15.0 概述
15.1 隧道二極管
15.2 耿氏二極管
15.3 雪崩二極管
15.4 功率雙極晶體管
15.5 功率MOSFET
15.6 半導體閘流管
15.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
附錄A 部分參數符號列錶
附錄B 單位製、 單位換算和通用常數
附錄C 元素周期錶
附錄D 能量單位——電子伏特
附錄E 薛定諤波動方程的推導
附錄F 有效質量概念
附錄G 誤差函數
附錄H 部分習題參考答案
索引

作者介紹

　　DonaldA．Neamen是新墨西哥大學電氣與計算機工程係（ECE）的名譽教授，他已在該係執教25年以上。他在新墨西哥大學獲得博士學位後，在位於漢斯科姆空軍基地的固態科學實驗室擔任電子工程師。1976年，他擔任新墨西哥大學電氣和計算機工程係的教師，專門從事半導體物理與器件和電子綫路課程的教學工作。如今他仍然是該係的導師或教授，近他還在)位於中國上海的上海交通大學密歇根學院（UM-SJTU）執教一個學期。

文摘

序言