內容簡介

本書包括半導體器件基礎、二極管及其應用電路、晶體管和場效應管放大電路的基本原理及頻率響應、功率放大電路、多級放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書對原版教材進行瞭改編，精簡瞭內容，突齣瞭重點，補充瞭必要知識點，內容更加新穎和係統化，反映瞭器件和應用的發展趨勢，強調瞭係統工程的概念。

作者簡介

Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學從事電路分析、電子電路基礎等相關學科教學的資深教授，在電子電路學科領域齣版瞭多部優秀教材，受到很高的評價。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學從事電路分析、電子電路基礎等相關學科教學的資深教授，在電子電路學科領域齣版瞭多部優秀教材，受到很高的評價。

目錄

Chapter 1 Semiconductor Diodes
1．1 Introduction
1．2 Semiconductor Materials： Ge， Si， and GaAs
1．3 Covalent Bonding and Intrinsic Materials
1．4 Extrinsic Materials： n-Type and p-Type Materials
1．5 Semiconductor Diode
1．6 Ideal Versus Practical
1．7 Resistance Levels
1．8 Diode Equivalent Circuits
1．9 Transition and Diffusion Capacitance
1．10 Reverse Recovery Time
1．11 Diode Specification Sheets
1．12 Semiconductor Diode Notation
1．13 Zener Diodes
1．14 Light-Emitting Diodes
1．15 Summary
1．16 Computer Analysis
Problems

Chapter 2 Diode Applications
2．1 Introduction
2．2 Load-Line Analysis
2．3 Equivalent Model Analysis
2．4 AND/OR Gates
2．5 Sinusoidal Inputs; Half-Wave Rectification
2．6 Full-Wave Rectification
2．7 Clippers
2．8 Clampers
2．9 Zener Diodes
2．10 Summary
Problems

Chapter 3 Bipolar Junction Transistors
3．1 Introduction
3．2 Transistor Construction
3．3 Transistor Operation
3．4 Common-Base Configuration
3．5 Transistor Amplifying Action
3．6 Common-Emitter Configuration
3．7 Common-Collector Configuration
3．8 Limits of Operation
3．9 Transistor Specification Sheet
3．10 Transistor Casing and Terminal Identification
3．11 Summary
Problems

Chapter 4 DC Biasing ― BJTs
4．1 Introduction
4．2 Operating Point
4．3 Fixed-Bias Circuit
4．4 Emitter Bias
4．5 Voltage-Divider Bias
4．6 DC Bias with Voltage Feedback
4．7 Miscellaneous Bias Configurations
4．8 Transistor Switching Networks
4．9 pnp Transistors
4．10 Bias Stabilization
4．11 Summary
Problems

Chapter 5 BJT AC Analysis
5．1 Introduction
5．2 Amplification in the AC Domain
5．3 BJT Transistor Modeling
5．4 The re Transistor Model
5．5 The Hybrid Equivalent Model
5．6 Hybrid Model
5．7 Variations of Transistor Parameters
5．8 Common-Emitter Fixed-Bias Configuration
5．9 Voltage-Divider Bias
5．10 CE Emitter-Bias Configuration
5．11 Emitter-Follower Configuration
5．12 Common-Base Configuration
5．13 Collector Feedback Configuration
5．14 Collector DC Feedback Configuration
5．15 Determining the Current Gain
5．16 Effect of RL and Rs
5．17 Two-Port Systems Approach
5．18 Summary Table
5．19 Cascaded Systems
5．20 Darlington Connection
5．21 Feedback Pair
5．22 Current Mirror Circuits
5．23 Current Source Circuits
5．24 Approximate Hybrid Equivalent Circuit
5．25 Summary
Problems

Chapter 6 Field-Effect Transistors
6．1 Introduction
6．2 Construction and Characteristics of JFETs
6．3 Transfer Characteristics
6．4 Specification Sheets (JFETs)
6．5 Important Relationships
6．6 Depletion-Type MOSFET
6．7 Enhancement-Type MOSFET
6．8 CMOS
6．9 Summary Table
6．10 Summary
Problems

Chapter 7 FET Biasing
7．1 Introduction
7．2 Fixed-Bias Configuration
7．3 Self-Bias Configuration
7．4 Voltage-Divider Biasing
7．5 Depletion-Type MOSFETs
7．6 Enhancement-Type MOSFETs
7．7 Summary Table
7．8 Combination Networks
7．9 p-Channel Fets
7．10 Summary
Problems

Chapter 8 FET Amplifiers
8．1 Introduction
8．2 FET Small-Signal Model
8．3 JFET Fixed-Bias Configuration
8．4 JFET Self-Bias Configuration
8．5 JFET Voltage-Divider Configuration
8．6 JFET Source-Follower(Common-Drain) Configuration
8．7 JFET Common-Gate Configuration
8．8 Depletion-Type MOSFETs
8．9 Enhancement-Type MOSFETs
8．10 E-MOSFET Drain-Feedback Configuration
8．11 E-MOSFET Voltage-Divider Configuration
8．12 Summary Table
8．13 Effect of RL and Rsig
8．14 Cascade Configuration
8．15 Summary
Problems

Chapter 9 BJT and FET Frequency Response
9．1 Introduction
9．2 General Frequency Considerations
9．3 Low-Frequency Analysis Bode Plot
9．4 Low-Frequency Response BJT Amplifier
9．5 Low-Frequency Response FET Amplifier
9．6 Miller Effect Capacitance
9．7 High-Frequency Response BJT Amplifier
9．8 High-Frequency Response FET Amplifier
9．9 Multistage Frequency Effects
9．10 Summary
Problems

Chapter 10 Operational Amplifiers
10．1 Introduction
10．2 Differential Amplifier Circuit
10．3 Differential and Common-Mode Operation
10．4 BIFET， BIMOS， and CMOS Differential Amplifier Circuits
10．5 Op-Amp Basics
10．6 Op-Amp SpecificationsDC Offset Parameters
10．7 Op-Amp SpecificationsFrequency Parameters
10．8 Op-Amp Unit Specifications
10．9 Summary
Problems

Chapter 11 Op-Amp Applications
11．1 Operation Circuits
11．2 Active Filters
11．3 Comparator Unit Operation
11．4 Schmitt Trigger
11．5 Summary
Problems

Chapter 12 Power Amplifiers
12．1 IntroductionDefinitions and Amplifier Types
12．2 Series-Fed Class A Amplifier
12．3 Transformer-Coupled Class A Amplifier
12．4 Class B Amplifier Operation
12．5 Class B Amplifier Circuits
12．6 Class C and Class D Amplifiers
12．7 Summary
Problems

Chapter 13 Feedback Circuits
13．1 Feedback Concepts
13．2 Feedback Connection Types
13．3 Practical Feedback Circuits
13．4 Feedback AmplifierPhase and Frequency Considerations
13．5 Summary
Problems

前言/序言

本書的核心內容是關於半導體器件和有源電路的模擬電子電路基礎，兩位作者都是從事多年相關教學工作的教授，並已齣版多本教材。本書自1972年首次齣版至今已經修訂至第十一版，涵蓋瞭更廣泛和新穎的內容，成為流行30多年的優秀經典教材。本改編版在原版內容的基礎上，結閤國內高等教育中模擬電子電路課程開展英語或雙語教學的特點，進行瞭部分內容的調整，涵蓋如下知識點：

● 半導體二極管

● 二極管應用電路

● 雙極型晶體管BJT基礎

● BJT放大電路的直流偏置電路分析

● BJT放大電路的交流分析

● 場效應晶體管FET基礎

● FET放大電路的直流偏置電路分析

● FET放大電路的交流分析

● BJT和FET放大電路的頻率響應分析

● 模擬集成運算放大器基礎

● 運算放大器和比較器的應用電路

● 功率放大電路

● 反饋放大電路

當您拿起這本書的時候一定會感到非常厚重，不過請不要擔心，這是由於本書中有大量的例題和詳盡的解釋所緻，而這也是本書的特色和非常適閤作為電子電路基礎入門教材的原因。下麵讓我們一起開啓電子電路基礎的入門之旅，直到您完成這本書的學習，奠定自己在電子電路領域的知識基礎，掌握開啓電子工程、信息與通信工程專業相關專業知識學習的鑰匙。

現代幾乎所有電子係統的構成基礎都是半導體材料，因此首先瞭解一些半導體材料的基本知識，對於理解半導體元器件的工作原理很有幫助。這些知識包括原子結構、本徵半導體、摻雜半導體、載流子（一種能夠攜帶電荷的粒子）、PN結等。這部分是微電子知識，如果隻關注半導體器件的使用以及外圍電路的分析設計，也可以忽略這部分內容（1.1節至1.5節）。本書第1章至第8章主要討論三種半導體電子器件及其單元電路：二極管、雙極性結型晶體管（BJT）和場效應管（FET）。

二極管

二極管的內部核心是PN結，1.6節至1.14節介紹瞭二極管的基本工作原理及其等效電路模型，包括基本二極管和幾種特殊二極管，例如齊納二極管和發光二極管等。而二極管的應用電路在第2章詳細闡述，並有豐富的例題分析，包括半波整流電路、全波整流電路、削波電路、鉗位電路、利用齊納二極管的穩幅電路等。在分析方法上，第2章介紹瞭負載綫分析方法和等效模型分析方法。如果您的學習重點是晶體管放大器，而不是二極管，那麼第1章和第2章可以作為瞭解和自學內容。但是需要注意，PN結也是晶體管的構成基礎，因此若要研究晶體管構成並深入瞭解其工作原理，也需要首先掌握PN結工作原理。

雙極性結型晶體管（BJT）

雙極性結型晶體管是一種廣泛使用的基本晶體管，第3章主要描述其內部結構、類型及3種基本組態的運用。晶體管內部結構特點及工作機理導緻瞭其外在特性具有放大電壓或者放大電流的能力，但是如果隻關心晶體管的應用，也可以忽略晶體管的內部結構和微電子工作機理。晶體管的應用主要從學習3種基本組態齣發，掌握各種組態的特點以及晶體管的工作區。晶體管是一種有源器件，需要設置直流工作點纔能正常工作（例如，放大交流信號時，晶體管需要通過設計直流工作點使其工作在綫性放大區，纔能無失真地放大交流小信號）。因此，當初學者開始學習由單個晶體管構成的基本放大電路時，需要從兩個方麵入手。一方麵是晶體管的直流偏置電路，目的是設置閤適的直流工作點，使其工作在閤適的工作區（詳細分析見第4章）；另一方麵是晶體管交流小信號放大電路，目的是分析晶體管放大輸入交流小信號的能力，例如增益、輸入/輸齣特性等（見第5章）。值得說明的是，晶體管對於直流和交流的響應是不同的，因此第4章主要分析直流偏置電路，需要首先畫齣原電路的直流等效電路，再進行分析；而第5章主要分析交流小信號放大電路，需要首先畫齣原電路的交流等效電路再進行分析。同時，雖然晶體管是非綫性器件，分析非常睏難，但是當輸入為交流小信號時，其變化範圍很小，晶體管的非綫性特性可以等效為綫性特性，因此晶體管可以用其小信號微變等效模型來替代，這樣獲得的等效電路可以采用基本的電路分析方法進行分析，例如基爾霍夫定律等。通過學習第4章和第5章，讀者將掌握單個BJT構成的基本放大電路的工作原理和性能分析。

場效應晶體管（FET）

場效應晶體管由於具有穩定性佳等優勢，正逐漸取代BJT而被人們廣泛應用。FET有多種類型，掌握其結構和不同類型FET的特點，例如輸入特性、輸齣特性和轉移特性，就成為學習FET的首要內容（見第6章）。建議采用與BJT相對比的方法學習FET。作為晶體管的一種，FET和BJT一樣主要用於放大小信號，也是一種非綫性有源器件，需要設置直流工作點，使其工作在飽和區（BJT是工作在綫性放大區），纔能無失真地放大交流小信號。同樣，需要首先學習FET的直流偏置電路（見第7章），然後需要用小信號微變等效模型方法分析其對交流小信號的放大特性（見第8章）。但是FET從內部結構、工作區、轉移特性、3種基本組態、直流偏置電路、小信號微變等效模型等方麵與BJT都是不同的。通過學習第7章和第8章，讀者將掌握單個FET構成的基本放大電路的工作原理和性能分析。

復雜電路和特性

通過對第1章至第8章的學習，恭喜您入門瞭，掌握瞭二極管和晶體管的基本器件知識，學會瞭分析基本單管放大電路，掌握瞭畫圖法、負載綫分析法及等效電路分析方法。下一步，讀者將進入更復雜電路和特性的學習。首先，通過學習第9章的內容，認識到晶體管（無論是BJT還是FET）對不同頻率的輸入信號有不同的響應，通過學習其頻率響應特性加深對晶體管放大電路的認識，學會分析其頻率響應以及擴展帶寬的方法。這部分一般屬於難點知識，重點在於對晶體管放大電路頻率響應概念的理解，例如帶寬、截止頻率等，定量分析是比較睏難的。在掌握瞭單個晶體管放大電路的基礎上，第10章介紹多級放大電路和差分放大電路，這些單元電路是構成集成電路的基礎。其中，差分放大電路的分析既是重點也是教學中的難點。同時，第10章以集成運算放大器為例介紹集成電路知識，包括其內部結構和外部特性等。運算放大器的應用電路見第11章，運算放大器的綫性運用包括有源濾波器和運算單元，非綫性運用包括比較器和施密特觸發器。

本書講解晶體管放大器主要是以放大交流小信號為主，分析方法以小信號微變等效模型分析方法為主，但是第12章則不同，主要介紹基於大信號的功率放大器，因此小信號微變等效模型分析方法在此就不能使用瞭。這一章主要以大信號分析為主，學習功率的計算，掌握不同類型功率放大器電路的特徵和分析方法。

電路在實際應用中可能存在很多問題，例如工作點不穩定而發生漂移，輸齣電壓不穩定等等，因此改善電路性能是至關重要的，在放大電路中引入負反饋就是改善電路性能的一種重要方法，在第13章中進行闡述。在瞭解反饋的構成基礎上，需要掌握瞬時極性法來分析反饋的類型。不同類型的反饋作用是不同的，正反饋産生自激，負反饋具有穩定電路的作用，此章主要講述負反饋放大電路及其分析方法。負反饋有4種類型，對電路進行分析並判斷是否存在反饋以及存在何種反饋是一項重要的技能。通過為放大電路引入深度負反饋來改善電路性能，例如阻抗特性、輸齣特性等，是電路分析和設計的重要內容。值得注意的是，當電路中引入瞭 模擬電子技術（第二版）（英文版） [Electronic Devices and Circuit Theory, Eleventh Ed] 下載 mobi epub pdf txt 電子書

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