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半导体器件物理(第3版)(引进版权) (美)施敏,(美)伍国珏,耿莉,张瑞智 西安交通大学 pdf epub mobi txt 下载

图书介绍


半导体器件物理(第3版)(引进版权) (美)施敏,(美)伍国珏,耿莉,张瑞智 西安交通大学

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[美] 施敏,[美] 伍国珏,耿莉,张瑞智 著

    

发表于2021-07-31

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店铺: 杰城图书专营店
出版社: 西安交通大学出版社
ISBN:9787560525969
商品编码:11879898784
包装:平装
出版时间:2008-06-01

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具体描述

   图书基本信息
图书名称 半导体器件物理(第3版)(引进版权) 作者 (美)施敏,(美)伍国珏,耿莉,张瑞智
定价 76.00元 出版社 西安交通大学出版社
ISBN 9787560525969 出版日期 2008-06-01
字数 页码
版次 1 装帧 平装
开本 16开 商品重量 0.740Kg

   内容简介
《半导体器件物理》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的为详尽的知识内容,并做了更新和重新组织,反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展,它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件,如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。
本书专为研究生教材和参考所需设计,新版本包括:
以*进展进行了全面更新;
包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述;
对内容进行了重新组织和安排;
各章后面配备了习题;
重新高质量地制作了书中的所有插图。
《半导体器件物理》(第3版)为工程师、研究人员、科技工作者、高校师生提供了解当今应用中为重要的半导体器件的基础知识,对预测未来器件性能和局限性提供了良好的基础。

   作者简介
施敏,(s.M.SZE),获斯坦福大学电气工程专业博士学位,1963-1989年在贝尔实验室工作,1990年起在台湾新竹交通大学(NCTU)电子工程系任教,施敏博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授,并担任多所院校及研究机构的客座教授,他对半导体器件有着基础性和先驱性的

   目录
译者序
前言
导言
第1部分 半导体物理
 第1章 半导体物理学和半导体性质概要
  1.1 引言
  1.2 晶体结构
  1.3 能带和能隙
  1.4 热平衡时的载流子浓度
  1.5 载流子输运现象
  1.6 声子、光学和热特性
  1.7 异质结和纳米结构
1.8 基本方程和实例
第2部分 器件的基本构件
 第2章 p-n结二极管
  2.1 引言
  2.2 耗尽区
  2.3 电流-电压特性
  2.4 结击穿
  2.5 瞬变特性与噪声
  2.6 端功能
  2.7 异质结
 第3章 金属-半导体接触
  3.1 引言
  3.2 势垒的形成
  3.3 电流输运过程
  3.4 势垒高度的测量
  3.5 器件结构
  3.6 欧姆接触
 第4章 金属-绝缘体-半导体电容
  4.1 引言
  4.2 理想MIS电容
  4.3 硅MOS电容
第3部分 晶体管
 第5章 双极晶体管
  5.1 引言
  5.2 静态特性
  5.3 微波特性
  5.4 相关器件结构
  5.5 异质结双极晶体管
 第6章 MOS场效应晶体管
 6.1 引言
  6.2 器件的基本特性
  6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
  6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
  6.5 MOSFET的结构
  6.6 电路应用
  6.7 非挥发存储器
  6.8 单电子晶体管
 第7章 JFET,MESFET和MODFET器件
  7.1 引言
  7.2 JFET和MODFET
  7.3 MODFET
第4部分 负阻器件和功率器件
 第8章 隧道器件
  8.1 引言
  8.2 隧道二极管
  8.3 相关的隧道器件
  8.4 共振遂穿二极管
 第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
 第10章 转移电子器件和实空间转移器件
 第11章 晶闸管和功率器件
第5部分 光学器件和传感器
 第12章 发光二极管和半导体激光器
 第13章 光电探测器和太阳电池
 第14章 传感器
附录
A.符号表
B.国际单位制
C.单位词头
D.希腊字母表
E.物理常数
F.重要半导体的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性

   编辑推荐

   文摘

   序言






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上课书本,跳跃性很大,不适合没有基础的学生。

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书内容很好

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一直想要的书

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快递太慢了

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书是正版,纸质很好

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施敏的书,没话说,导师要求必备的

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