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半导体器件物理基础(第2版)/普通高等教育“十一五”国家级规划教材 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2024

图书介绍


半导体器件物理基础(第2版)/普通高等教育“十一五”国家级规划教材

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曾树荣 著



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发表于2024-03-28

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出版社: 北京大学出版社
ISBN:9787301054567
版次:2
商品编码:10152542
包装:平装
开本:16开
出版时间:2007-01-01
用纸:胶版纸
页数:378
字数:566000
正文语种:中文

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具体描述

内容简介

  本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分,介绍学习半导体器件必须的知识,包括半导体基本知识和pn结理论;其余各章为第二部分,阐述主要半导体器件的基本原理和特性,这些器件包括:双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题,书后附有习题参考解答。
  本书简明扼要,讨论深入,内容丰富,可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书,分章节供本科生和研究生使用;也可供有关研究人员参考。

目录

主要符号表
第一章 半导体基本知识
1.1 半导体材料和载流子模型
1.2 晶格振动
1.3 载流子输运现象
1.4 半导体的光学性质
第二章 Pn结
2.1 热平衡状态
2.2 耗尽区和耗尽层电容
2.3 真流特性
2.4 交流小信号特性:扩散电容
2.5 电荷存储和反向恢复时间
2.6 结的击穿
第三章 双极型晶体管
3.1 基本原理
3.2 双极型晶体管的真流特性
3.3 双极型晶体管模型
3.4 双极型晶体管的频率特性
3.5 双极型晶体管的开关特性
3.6 异质结双极晶体管(HBT)
3.7 多晶硅发射极晶体管(PET)
3.8 Pnpn结构
第四章 化合物半导体场效应晶体管
4.1 肖特基势垒和欧姆接触
4.2 GaAs MESFET
4.3 高电子迁移率晶体管(HEMT)
第五章 MOS器件
第六章 微波二极管,量子效应器件
第七章 半导体光器件
附录

前言/序言







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用户评价

评分

还行吧,就是贵了一点

评分

不错专业书,给认真读书也能读的学生的,“跑得快”等等混文凭的是没法看的,那是亵渎斯文!

评分

正版书,没什么说的

评分

书看起来还行,就是有点薄

评分

书本身很好 运过来的书质量也不错

评分

比较全面,内容新,很赞

评分

内容充实,质量也不错。

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评分

非常满意,五星

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