三维集成电路设计 9787111433514 机械工业出版社 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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美华斯利斯，美伊比，缪旻，于民，金玉丰 著

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• 三维集成电路
• 集成电路设计
• VLSI
• 半导体
• 电子工程
• 封装技术
• 3D IC
• 微电子学
• 电路设计
• 机械工业出版社

店铺： 花晨月夕图书专营店

出版社： 机械工业出版社

ISBN：9787111433514

商品编码：29874770177

包装：平装

出版时间：2013-09-01

基本信息

书名：三维集成电路设计

定价：58.00元

作者：(美)华斯利斯,(美)伊比,缪旻,于民,金玉丰

出版社：机械工业出版社

出版日期：2013-09-01

ISBN：9787111433514

字数：311000

页码：209

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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在21世纪的前十年结束时，基于三维集成技术的“摩尔定律”时代就悄然来临了。具备多个有源器件平面的三维集成电路(3一DIc)，有望提供结构紧凑、布线灵活、传输高速化且通道数多的互连结构，从而为Ic设计者们提供突破“互连瓶颈”的有效手段，而且还能够有效集成各种异质材料、器件和信号处理形式，成为三维集成技术发展的主要方向之一。本书是世界上三维集成电路设计方面的本专著，既有一定的理论深度，又有较高的可读性。它系统、严谨地阐释了集成电路三维集成的设计技术基础，包括3一DIC系统的工艺、互连建模、设计与优化、热管理、3一D电路架构以及相应的案例研究，提出了可以高效率解决特定设计问题的解决方案，并给出了设计方面的指南。

本书是一本的技术参考书，适用的读者范围包括：超大规模集成电路(VLSI)设计工程师，微处理器和系统级芯片的设计者以及相关电子设计自动化(EDA)软件的开发者，微机电及微系统集成方面的设计开发者，以及微电子行业中对未来技术走向高度敏感的管理者和投资者。本书也可以作为相关专业研究生的教材和教师的教辅参考书籍。

目录

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作者介绍

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文摘

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序言

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《晶体管的微观世界：半导体器件原理与制造工艺》 概述 本书深入探讨了现代电子工业的基石——半导体器件的奥秘。从量子力学的基础原理出发，逐步揭示了晶体管这一微小却功能强大的元件是如何运作的。全书不仅聚焦于理论的严谨性，更强调了实践的重要性，详细阐述了晶体管从硅片原材料到最终成品所需的复杂制造工艺流程。本书旨在为电子工程、微电子学、材料科学等相关领域的学生、研究人员及工程师提供一个全面、深入的理论指导和工艺认知框架，帮助读者理解信息时代底层技术的支撑，为未来创新奠定坚实基础。 第一部分：半导体物理基础 第一章：量子力学与固态物理导论 1.1 量子力学基本概念回顾 薛定谔方程与波函数：引入描述电子运动的概率波概念，强调其在微观世界中的核心地位。 能量量子化与原子能级：阐述电子在原子核外束缚时，其能量只能取离散值的现象，这是理解半导体导电性的关键。 泡利不相容原理：解释了为何电子在原子轨道中以特定方式排列，直接关联到能带结构。 电子自旋：介绍电子的内禀属性，及其对材料磁性和导电特性的影响。 1.2 晶体结构与晶格振动 晶体周期性与布拉维晶格：定义晶体的基本几何结构，描述原子如何规则地排列成周期性网络。 倒格子与布里渊区：引入更高级的数学工具，用于分析晶体中的衍射和输运现象。 声子与晶格振动：解释原子在晶格中的热运动，即声子的概念，以及它如何影响电子的散射和材料的热学性质。 1.3 自由电子模型与带隙的产生 德鲁德模型：简述早期用于描述金属导电性的经典模型，为理解电子的自由运动打下基础。 能带理论的引入：从紧束缚近似出发，解释了原子轨道如何相互作用形成连续的能带。 能量带隙：核心概念，阐述了导带、价带以及它们之间的禁带宽度，这是区分导体、绝缘体和半导体的根本依据。 周期性势场中的电子波：布洛赫定理的直观解释，说明电子波在周期性势场中的特性。 第二章：半导体中的载流子 2.1 本征半导体的载流子特性 本征载流子浓度：推导在纯净半导体中，电子和空穴的浓度相等，并随温度升高而增加的公式。 费米-狄拉克统计：解释了在半导体中，电子填充能级的概率分布，引出费米能级概念。 本征载流子浓度的温度依赖性：详细分析温度对费米能级和载流子浓度的影响。 2.2 外延半导体的导电性 N型半导体：引入施主杂质，解释了其在能带中提供多余电子，形成电子为多数载流子的特性。 P型半导体：引入受主杂质，解释了其在能带中吸引电子，形成空穴为多数载流子的特性。 杂质能级：描述了施主和受主杂质原子在能带结构中引入的特定能级。 载流子浓度与杂质浓度的关系：推导在不同掺杂浓度下，多数和少数载流子浓度的计算方法。 2.3 载流子的输运现象 扩散与漂移：详细阐述载流子在浓度梯度驱动下的扩散运动，以及在外加电场作用下的漂移运动。 迁移率：定义电子和空穴的迁移率，解释其与散射机制（如晶格散射、杂质散射）的关系，以及温度和掺杂浓度对迁移率的影响。 霍尔效应：介绍霍尔效应的原理，如何通过测量霍尔电压来确定载流子类型、浓度和迁移率。 复合与产生：描述电子-空穴对的产生（如光激发）和复合（如辐射复合、俄歇复合）过程，以及它们对载流子寿命的影响。 第三章：PN结及其特性 3.1 PN结的形成与内建电场 PN结的构建：描述P型和N型半导体接触形成PN结的过程。 耗尽层（空间电荷区）：解释在PN结界面，载流子扩散导致电子和空穴复合，形成带正电的施主离子和带负电的受主离子区域。 内建电势（接触电势）：分析耗尽层中电荷产生的电场，以及由此形成的电势差，它阻止了进一步的载流子扩散。 费米能级的平坦化：解释在PN结达到热平衡时，整个材料的费米能级趋于一致。 3.2 PN结的偏置特性 零偏置：描述PN结在没有外加电压时的平衡状态。 正偏置：分析当外加正电压时，如何降低内建电势，使少数载流子也能扩散越过结区，导致正向电流的产生。 反向偏置：分析当外加反电压时，如何增大内建电势，拓宽耗尽层，抑制多数载流子，仅有微弱的反向饱和电流（少数载流子漂移电流）。 击穿现象：介绍PN结在强反向电压下的两种击穿机制：齐纳击穿（隧道效应）和雪崩击穿（载流子倍增）。 3.3 PN结的伏安特性曲线 正向导通区：描述PN结在正偏置下电流随电压指数级增长的规律。 反向截止区：描述PN结在反偏置下电流极小且基本恒定的现象。 击穿区：描述PN结在反向电压达到一定值时电流急剧增大的现象。 理想PN结模型与实际器件的差异：讨论理想PN结模型忽略的因素，如串联电阻、并联漏电阻等。 第二部分：晶体管器件原理 第四章：BJT（双极结型晶体管） 4.1 BJT的结构与工作原理 NPN型和PNP型BJT：介绍BJT的两种基本结构，由两个PN结组成。 基区、发射区和集电区：定义BJT的三个区域，并描述它们的掺杂浓度和厚度特点。 载流子的注入与输运：详细阐述在外加偏置下，发射区如何将多数载流子（电子或空穴）注入基区，以及这些载流子如何在基区扩散并被集电区收集的过程。 电流放大作用：解释BJT的核心功能——小的基极电流控制大的集电极电流，以及电流增益（β）的定义。 4.2 BJT的输出特性与输入特性 输出特性曲线：描绘集电极电流（Ic）随集电极-发射极电压（Vce）的变化，在不同基极电流（Ib）下的曲线族。 输入特性曲线：描绘基极电流（Ib）随基极-发射极电压（Vbe）的变化。 BJT的工作区域：饱和区、放大区、截止区，并分析各区域的特点。 4.3 BJT的等效电路模型 混合π模型（Hybrid-π Model）：详细介绍在小信号分析中，BJT的等效电路模型，包括电阻、电容等参数的物理意义。 T模型（Gummel-Poon Model）：介绍另一种更全面的BJT模型，尤其适用于分析大信号和寄生效应。 BJT的寄生效应：如基极电阻、集电极电阻、寄生电容等对BJT工作特性的影响。 第五章：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管） 5.1 MOSFET的基本结构与类型 NMOS和PMOS：介绍两种基本类型的MOSFET，区别在于沟道载流子的类型。 增强型和耗尽型：解释MOSFET根据栅电压是否必须施加才能形成沟道而分为增强型和耗尽型。 源极、漏极、栅极和衬底：定义MOSFET的四个终端，并描述其功能。 氧化层：强调栅氧化层（通常是SiO2）在MOSFET工作中的绝缘和场控作用。 5.2 MOSFET的工作原理 沟道形成：详细解释在栅极电压作用下，如何在半导体表面形成导电沟道（通过积累、反型或耗尽）。 阈值电压（Vt）：定义使MOSFET导通所需的最小栅极电压。 电场效应：阐述栅极电场如何控制沟道中的载流子浓度，从而调节漏极电流。 三极管区（线性区）与饱和区：分析MOSFET在不同栅极电压和漏极电压下的工作模式。 5.3 MOSFET的输出特性与转移特性 输出特性曲线：描绘漏极电流（Id）随漏极-源极电压（Vds）的变化，在不同栅极-源极电压（Vgs）下的曲线族。 转移特性曲线：描绘漏极电流（Id）随栅极-源极电压（Vgs）的变化。 MOSFET的跨导（gm）：定义MOSFET的跨导，表示栅极电压变化引起的漏极电流变化率。 5.4 MOSFET的等效电路模型 小信号模型：介绍MOSFET的等效电路模型，包括跨导、输出电阻、寄生电容等。 沟道长度调制效应：解释在饱和区，沟道长度变化对漏极电流的影响。 亚阈值导电：分析当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET仍然存在的微弱导电现象。 第六章：新兴的晶体管器件 6.1 FinFET（鳍式场效应晶体管） 结构特点：介绍FinFET的三维栅极结构，可以更好地控制沟道。 优势：分析FinFET在短沟道效应抑制、漏电流控制方面的优点，以及在高密度集成电路中的应用。 6.2 GAAFET（栅极 all-around 场效应晶体管） 结构特点：介绍GAAFET更极致的三维栅极结构，实现全方位的栅极控制。 未来发展：探讨GAAFET在突破CMOS技术缩放极限中的潜力。 6.3 碳纳米管晶体管与二维材料晶体管 碳纳米管的导电特性：介绍碳纳米管作为一种新型半导体材料的潜力。 二维材料（如石墨烯、MoS2）的制备与应用：探讨这些材料在构建超薄、高效晶体管方面的优势。 挑战与机遇：分析这些新兴技术在材料制备、可靠性、集成方面的挑战，以及它们可能带来的革命性机遇。 第三部分：半导体制造工艺 第七章：半导体材料与晶圆制备 7.1 硅作为半导体材料 硅的优势：讨论硅在地球上的丰富性、良好的半导体特性（带隙、载流子迁移率）、成熟的氧化工艺以及可靠的稳定性。 硅的晶体结构：强调单晶硅在制造高性能器件中的必要性。 7.2 单晶硅的生长（Czochralski法） 生长原理：详细描述如何从熔融的硅中拉出单晶棒。 籽晶的作用：解释籽晶在诱导晶体生长方向和保持晶格完整性中的关键作用。 生长过程中的控制参数：温度梯度、拉速、旋转速度等如何影响晶体质量。 硅锭的切割与研磨：描述如何将硅锭切割成圆片（Wafer），并进行高精度的研磨和抛光，以获得平整光滑的表面。 7.3 硅片（Wafer）的质量控制 缺陷的种类：晶体缺陷（位错、堆积层错）、表面缺陷（划痕、颗粒）、杂质等。 检测方法：光学显微镜、电子显微镜（SEM, TEM）、拉曼光谱、X射线衍射（XRD）等。 对器件性能的影响：强调晶圆质量是制造高性能、高可靠性半导体器件的基础。 第八章：光刻技术 8.1 光刻的原理与分类 光学成像原理：利用掩模版（Mask）上的图形，通过光刻机将图形转移到涂覆光刻胶的硅片上。 接触式光刻、接近式光刻、投影式光刻：介绍不同光刻方式的特点和应用。 紫外光刻（DUV）与深紫外光刻（DUV）的演进：讨论不同波长光源（如KrF, ArF）在提高分辨率方面的作用。 8.2 光刻胶 正性光刻胶与负性光刻胶：解释其在曝光后显影行为上的差异。 光刻胶的敏感性与分辨率：讨论影响曝光效果的关键参数。 显影过程：描述如何去除曝光或未曝光的光刻胶，从而在硅片上形成图形。 8.3 光刻工艺流程 涂覆光刻胶（Spin Coating）：介绍如何均匀地将光刻胶涂布在硅片上。 曝光（Exposure）：详细阐述光刻机的工作原理，包括对准、曝光时间和曝光剂量。 显影（Developing）：描述如何通过化学方法去除光刻胶。 刻蚀（Etching）前的准备：描述光刻胶硬化（Baking）等步骤。 第九章：刻蚀工艺 9.1 刻蚀的原理与目的 选择性刻蚀：关键概念，要求刻蚀剂能够选择性地去除特定材料，而不影响其他材料（如光刻胶或晶圆基底）。 图形转移：刻蚀是光刻图案在硅片上形成三维结构的关键步骤。 9.2 干法刻蚀（等离子体刻蚀） 原理：利用等离子体中的活性粒子（自由基、离子）与材料发生化学反应或物理溅射，从而实现刻蚀。 RIE（反应离子刻蚀）：介绍RIE技术，它结合了物理溅射和化学反应，可以实现高方向性和高选择性。 CD（Critical Dimension）控制：强调干法刻蚀在控制纳米尺度图形尺寸精确性方面的重要性。 刻蚀速率与均匀性：讨论影响刻蚀效率和均匀性的因素。 9.3 湿法刻蚀 原理：利用化学溶液（酸、碱）对特定材料进行腐蚀。 优缺点：湿法刻蚀设备简单，成本较低，但分辨率和方向性不如干法刻蚀。 应用场景：常用于大尺寸图形的刻蚀或特定材料的去除。 第十章：薄膜沉积与掺杂 10.1 薄膜沉积技术 化学气相沉积（CVD）： 原理：通过气相化学反应在基底表面生成薄膜。 APCVD, LPCVD, PECVD：介绍不同CVD方法的特点和应用。 沉积材料：如SiO2, Si3N4, 多晶硅, 金属等。 物理气相沉积（PVD）： 溅射（Sputtering）：利用离子轰击靶材，使其原子溅射到基底表面形成薄膜。 蒸发（Evaporation）：将材料加热至气化，然后在基底表面凝结成膜。 原子层沉积（ALD）：高精度、原子级控制的薄膜沉积技术，适用于超薄、高均匀性薄膜的制备。 10.2 掺杂技术 扩散（Diffusion）： 原理：在高温下，将杂质原子从高浓度区域扩散到低浓度区域。 盒式扩散与外延扩散：介绍不同的扩散工艺。 缺点：扩散深度控制不精确，可能导致横向扩散。 离子注入（Ion Implantation）： 原理：将杂质离子加速到高能，直接注入到硅晶格中。 优点：精确控制掺杂浓度和深度。 退火（Annealing）：注入后需要进行高温退火，以修复晶格损伤并激活杂质。 掺杂浓度与均匀性：强调精确控制掺杂浓度对器件性能至关重要。 第十一章：金属化与互连 11.1 金属化工艺 接触孔（Contact Hole）的形成：刻蚀掉绝缘层，露出下方半导体材料。 金属填充：利用PVD（如溅射）或电化学沉积（ECD）将金属（如铝、铜、钨）填充到接触孔中。 金属互连线（Interconnect Line）：在表面形成导线，连接不同的器件。 11.2 多层金属互连 介质层：沉积绝缘层（如SiO2, Low-k介质）以隔离金属层。 通孔（Via）：在介质层中刻蚀小孔，连接不同金属层。 布线密度与信号延迟：讨论多层互连技术如何支持高密度集成，以及信号延迟的挑战。 11.3 铜互连技术 阻挡层与籽晶层：在铜沉积前需要沉积TiN等阻挡层，以及Cu籽晶层。 电化学沉积（ECD）：主流的铜填充技术，可以在接触孔和通孔中实现“图案化填充”。 化学机械抛光（CMP）：用于去除多余的铜，实现金属层的平坦化。 11.4 阻挡层与扩散阻挡层 目的：防止金属原子扩散到半导体材料中，引起器件劣化。 常见材料：TiN, TaN等。 第十二章：器件测试与封装 12.1 器件测试 晶圆测试（Wafer Sort/Probe）：在制造完成后，对单个芯片进行电学性能测试。 参数测试：如电流、电压、电阻、电容、频率响应等。 故障分析：找出不合格芯片的原因。 12.2 封装（Packaging） 封装的目的：保护芯片免受物理损伤、环境影响，并提供与外部电路连接的接口。 封装的类型： 引线框架封装（DIP, SOP） 芯片载体封装（QFP, BGA） 倒装芯片（Flip Chip） 晶圆级封装（WLP） 键合技术：引线键合（Wire Bonding）、倒装芯片（Flip Chip Bonding）。 封装材料：塑封料、陶瓷、金属等。 12.3 可靠性测试 高温高湿测试、温度循环测试、加速寿命测试等。 确保芯片在各种工作条件下都能稳定可靠地工作。 总结 《晶体管的微观世界：半导体器件原理与制造工艺》全面而深入地梳理了半导体器件的理论基础、核心器件的设计原理以及支撑这些器件运作的精密制造工艺。本书从最基础的量子力学概念出发，逐步构建起对载流子、PN结、BJT和MOSFET等关键器件的理解。随后，它详细剖析了从硅片制备到光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂、金属化以及最终封装的每一个关键工艺步骤，揭示了现代集成电路制造的复杂性与精妙性。本书旨在为读者提供一个清晰的知识脉络，帮助他们理解信息技术的核心驱动力，并为相关领域的学习与研究提供坚实的理论和实践指导。

评分☆☆☆☆☆

这本书的装帧设计非常讲究，封面的材质触感很好，而且不易留下指纹，这在实际使用中是一个很贴心的小细节。我之所以会被这本书吸引，很大程度上是因为“三维集成电路”这个词汇本身所蕴含的突破性意义。我们都知道，在信息时代，摩尔定律一直在驱动着集成电路的进步，而当二维空间的极限逐渐逼近时，向三维空间发展无疑是自然而然的趋势。我特别好奇，从二维到三维，这种设计理念上的转变，会对整个芯片的架构产生多么颠覆性的影响？比如，数据的传输路径是否会变得更短，从而提高响应速度？芯片的整体体积是否能够进一步缩小，为更小型化的电子设备提供可能？我对书中关于“堆叠技术”、“垂直互连”等方面的内容充满了期待。如果书中能够提供一些不同三维集成电路结构方案的对比分析，说明它们各自的优缺点以及适用场景，那就更好了。毕竟，了解技术的演进方向和背后的驱动力，能够帮助我更好地理解当前和未来的电子产品发展。

评分☆☆☆☆☆

The design of this book’s cover is both understated and professional, conveying a sense of intellectual depth. The title, “三维集成电路设计” (3D Integrated Circuit Design), along with the ISBN and publisher details, suggests a reliable and authoritative source of information. My decision to acquire this book is driven by a long-standing curiosity about the evolution of electronic miniaturization. I’ve observed how integrated circuits have consistently pushed the boundaries of what’s possible, and the concept of designing in three dimensions feels like the natural next frontier. I am particularly keen to understand the fundamental shifts in design philosophy that accompany the move to 3D. How does the spatial arrangement of components influence signal routing and latency? What are the primary challenges in manufacturing and testing these complex multi-layered structures? I hope the book will provide a comprehensive overview of these aspects, perhaps including comparative analyses of different 3D integration techniques and their respective advantages and disadvantages. Ultimately, I am seeking to gain a deeper appreciation for the intricate engineering that underpins the creation of these advanced silicon architectures.

评分☆☆☆☆☆

这本书拿在手里非常有分量，无论是从视觉还是触觉上，都给人一种厚重、专业的感觉。我购买这本书是因为我在工作中偶尔会接触到一些与电子元器件相关的项目，虽然我的主要工作并非直接参与集成电路的设计，但对于提升芯片性能、缩小芯片体积等话题一直保持着浓厚的兴趣。而“三维集成电路设计”这个主题，正是我一直在关注的未来发展方向。我希望这本书能够深入浅出地介绍三维集成电路设计的关键技术和方法，比如如何进行三维建模、如何优化三维堆叠的结构、如何处理三维层之间的通信等。我也希望书中能包含一些实际案例分析，介绍一些成功的三维集成电路产品是如何设计出来的，它们在性能、功耗、成本等方面带来了哪些优势。如果书中能够提供一些关于三维集成电路设计的工具链和软件方面的介绍，那就更好了，能够让我对实际的设计流程有一个更直观的了解。

评分☆☆☆☆☆

Book’s cover presents a clean and professional aesthetic, with the title “3D Integrated Circuit Design” clearly visible, along with its ISBN and publisher information, all contributing to an image of scholarly authority. My interest in this book stems from a deep-seated fascination with the relentless progress in electronic technology, particularly in the realm of integrated circuits. I’ve always been intrigued by how engineers manage to miniaturize complex functionalities to such astonishing degrees. The notion of “3D Integrated Circuit Design” strikes me as a significant leap forward, a potential paradigm shift in how we conceive and construct the electronic devices that permeate our lives. I am eager to learn about the specific technical hurdles that arise when transitioning from 2D to 3D design. For instance, how are thermal management issues addressed in these densely stacked architectures? What innovative approaches are employed for inter-layer communication and signal integrity? I hope the book delves into these technicalities, offering insights into the cutting-edge methodologies and tools that enable such sophisticated designs. Understanding the practical implications, such as performance enhancements, power efficiency gains, and avenues for further miniaturization, is a key motivation behind my acquisition of this volume.

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计简约大气，色调偏冷，给人一种专业、严谨的科技感。书名“三维集成电路设计”几个大字醒目而清晰，下方标注的ISBN号和出版社信息也显得十分正规，让人对内容的权威性产生了初步的信任。我当初购买这本书，纯粹是出于对前沿电子技术的好奇心。虽然我并非该领域的专业人士，但在日常接触电子产品时，常常会对其内部精密的构造产生疑问，特别是那些越来越小巧、功能却越来越强大的设备，总是让人好奇它们是如何实现的。关于“三维集成电路”，这个概念本身就充满了未来感，仿佛是科幻电影中的场景走进了现实。我期待这本书能像一个引路人，为我揭开这层神秘的面纱，让我了解这项技术是如何从概念走向实际应用的。我希望它不仅仅是枯燥的技术手册，更能够包含一些行业发展历程的介绍，甚至是一些令人振奋的成功案例，让我感受到科技进步的魅力。毕竟，了解一项新技术的起源和发展，往往比直接学习技术细节更能激发学习的兴趣和动力。这本书能否做到这一点，是我非常关注的。

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这本图书的封面设计风格 oldukça minimalistyczny, ale jednocześnie wzbudza poczucie profesjonalizmu i powagi. Tytuł „Projektowanie trójwymiarowych układów scalonych” oraz numer ISBN i informacje o wydawcy sprawiają wrażenie solidnego źródła wiedzy. Moja decyzja o zakupie tej książki wynikała z mojej fascynacji postępem w dziedzinie technologii elektronicznych, szczególnie w kontekście rozwoju układów scalonych. Zawsze byłem zaintrygowany tym, jak inżynierowie są w stanie w coraz mniejszych rozmiarach upakować coraz większą liczbę funkcji. Koncepcja „trójwymiarowego projektowania układów scalonych” jawi mi się jako kolejny przełom w tej dziedzinie, potencjalnie rewolucjonizujący sposób budowy nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Mam nadzieję, że książka szczegółowo wyjaśni, jakie są kluczowe wyzwania związane z projektowaniem w trzech wymiarach. Interesuje mnie przede wszystkim, w jaki sposób rozwiązuje się problemy związane z chłodzeniem tak gęsto upakowanych struktur, jak efektywnie zarządza się komunikacją między różnymi warstwami układu, oraz jakie nowe metody projektowania i symulacji są w tym celu wykorzystywane. Chciałbym zrozumieć, jakie korzyści praktyczne płyną z zastosowania tej technologii, na przykład w kontekście wydajności, zużycia energii czy też możliwości miniaturyzacji.

评分☆☆☆☆☆

The book's cover features a sophisticated design, hinting at the complex subject matter within. The prominent title, "三维集成电路设计" (3D Integrated Circuit Design), along with the ISBN and publisher information, reinforces its academic and technical nature. My interest in this particular volume is fueled by a desire to understand the cutting edge of semiconductor technology. I've been following the advancements in chip design for some time, and the concept of three-dimensional integration represents a significant paradigm shift, moving beyond the limitations of planar layouts. I am eager to explore how engineers are overcoming the inherent complexities of building structures in multiple dimensions. Specifically, I'm interested in the strategies employed for managing heat dissipation in densely packed 3D stacks, the intricate interconnect schemes required to link different layers, and the novel fabrication processes that enable such sophisticated designs. I hope the book offers a thorough examination of these technical challenges, alongside potential solutions and future outlooks for 3D integrated circuit technology.

评分☆☆☆☆☆

我拿到这本书的时候，首先就被它厚实的纸张和精美的排版所吸引。内页的印刷质量很高，即使是复杂的电路图和示意图，也显得清晰锐利，色彩还原度也不错，这对于需要仔细辨认细节的技术书籍来说至关重要。我一直对集成电路的微缩世界充满敬畏，想象着上面那些微小的元器件是如何协同工作，完成各种复杂功能的。这本书的书名直接点明了主题“三维集成电路设计”，这让我立刻联想到传统的平面电路与立体的堆叠结构之间可能存在的巨大差异。我非常好奇，在三维空间中进行设计，会带来哪些全新的挑战和机遇？是能够大幅度提升芯片的集成度和性能，还是会带来散热、功耗等方面的新问题？我希望这本书能够详细解答这些问题，并且用通俗易懂的语言来解释那些可能非常复杂的概念。例如，书中对于“堆叠”、“互连”等关键技术的阐述，是否能够辅以形象的比喻或者详细的图解，让一个非专业人士也能大致理解其原理？我期望这本书能够在我心中种下一颗对集成电路设计的种子，即使我无法成为一名设计工程师，也能对这个领域有更深刻的认识。

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This book's cover is characterized by a clean and professional presentation, with the title "三维集成电路设计" (3D Integrated Circuit Design) clearly displayed, alongside its identifying ISBN and publisher details, projecting an image of academic rigor. My acquisition of this book is primarily motivated by an enduring fascination with the relentless innovation in electronic engineering, especially concerning the continuous miniaturization and performance enhancement of integrated circuits. The notion of designing circuits in three dimensions, rather than solely on a two-dimensional plane, represents a profound conceptual shift, one that I believe will shape the future of electronics. I am particularly eager to understand the fundamental principles behind 3D integration. How does the vertical stacking of components impact signal integrity and power delivery? What are the key considerations for managing thermal issues in such complex architectures? I hope this book provides a detailed and accessible explanation of these critical aspects, perhaps illustrating them with clear diagrams and real-world examples, allowing me to grasp the practical implications of this advanced design methodology.

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计采用了一种较为内敛的风格，但其专业性却不容忽视。书名“三维集成电路设计”以及配套的ISBN号和出版社信息，都显得十分严谨。我购买这本书的初衷，源于我对电子技术快速发展的惊叹，特别是集成电路在不断突破尺寸和性能的极限。我总觉得，随着技术的进步，芯片的结构必然会从二维平面走向三维立体，以实现更高的集成度和更优越的性能。“三维集成电路设计”这个概念，对我而言充满了无限的可能性。我非常好奇，在三维空间中进行设计，会带来哪些前所未有的技术挑战？比如，如何有效地解决三维堆叠带来的散热问题？如何设计更高效的层间互连技术？书中是否会详细阐述这些技术细节，并提供相关的解决方案？我希望这本书能够为我打开一扇窗，让我窥见集成电路设计的未来图景，了解这项技术如何重塑我们对电子设备的认知，甚至影响到整个科技产业的发展方向。