| 图书基本信息 | |||
| 图书名称 | 低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理 | 作者 | 陈国祥,王豆豆 |
| 定价 | 35.00元 | 出版社 | 中国石化出版社 |
| ISBN | 9787511446381 | 出版日期 | 2017-09-01 |
| 字数 | 页码 | 106 | |
| 版次 | 1 | 装帧 | 平装 |
| 内容简介 | |
《低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理》系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章:章为本书概述;第2章详细地介绍了*一性原理方法;第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。 |
| 作者简介 | |
| 陈国祥,男,1979年3月出生,博士,副教授(校聘教授岗位),硕士研究生导师,“新型半导体光电子材料及器件”青年科研创新团队带头人。西安石油大学“青年拔尖人才”,陕西省“青年科技新星”,国家自然科学基金项目同行评议专家,陕西省物理学会会员。2015年起享受陕西省“三秦人才”津贴。2015年1月至2016年1月在美国佛罗里达大学物理系进行合作科学研究(访问学者)。王豆豆, 2012年毕业于中国科学院西安光学精密机械研究所,获理学博士学位,现为西安科技大学理学院教师。主要从事纳米聚合物材料结构和物性的理论研究。曾作为主要参与者承担了国家自然科学基金项目“光学聚合物/二氧化钛有序结构化新材料的设计、制备及应用基础研究”的大部分研究工作。曾获陕西省高等学校科学技术一等奖。合作出版教材4部,先后发表学术论文10篇,其中SCI收录8篇,EI收录2篇。 n n n |
| 目录 | |
| 章 概述 n第2章 理论计算基础 n第3章 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性 n第4章 GaN纳米带的结构和电子性质 n第5章 过渡金属吸附二维GaN单层纳米片的电子结构和磁性 n第6章 过渡金属掺杂GaN单层纳米片磁性起源机理 n第7章 二维GaN/SiC纳米片: 界面电子和磁学特性以及电场响应 |
| 编辑推荐 | |
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| 文摘 | |
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| 序言 | |
| 精彩内容敬请期待 |
这本书的装帧和排版,从读者的实用角度来看,也透露出一种面向专业领域的务实态度。纸张的质感厚重而可靠,符合长期在实验室或案头阅读时对耐用性的要求,这不像那些追求轻薄时尚的普及读物。图表和数据部分的清晰度处理得非常到位,即便是那些密集的能带结构图和TEM(透射电子显微镜)图像,也能保证在印刷后依然能分辨出微小的特征峰和晶格缺陷。我特别欣赏作者在引用文献和注释上的规范性,每一个论点都有据可查,这极大地增强了内容的权威性和可信度。对于我这样需要频繁交叉比对不同研究成果的读者而言,这种详尽的索引系统简直是福音。它不是那种快速翻阅就能获取速食知识的书籍,更像是一份需要被反复研读、标注、甚至携带到实验台上随时参考的“技术手册”。它所承载的信息密度之高,也意味着每一页的价值都非常昂贵,促使读者必须以一种敬畏的态度去对待书中的每一个字、每一个符号。
评分读完这本书,我最大的感受是它在“磁性机理”的阐述上,展现了一种近乎哲学思辨的深度。我们都知道,氮化镓通常被视为一种宽禁带半导体,其磁性并非其固有属性,因此,作者是如何将“磁性”这一概念巧妙地引入到这种材料体系中,并构建出逻辑自洽的解释模型,是这本书最引人入胜的地方。我猜想,这其中一定涉及了大量的缺陷工程、自旋轨道耦合理论,乃至量子电动力学的应用。书中对不同掺杂剂浓度下磁矩演化路径的描述,简直就像是一幅精细的拓扑图,每一步的转折都对应着实验中的一个关键观察点。对于那些痴迷于探索材料潜在功能边界的研究者来说,这本书无疑提供了一个全新的视角,它挑战了我们对传统半导体材料应用场景的固有认知。我个人虽然无法完全复现书中的所有计算,但光是阅读这些关于自旋态稳定性和磁有序性的论述,就足以让人对接下来的纳米磁性研究充满期待,它为未来开发新型自旋电子器件铺设了理论基石。
评分这本书给我最深刻的印象,在于它将“低维”这一前沿概念与“氮化镓”这一成熟材料体系完美结合后,所激发的巨大应用潜力。在当今的微纳电子和光电子领域,对材料性能的提升往往需要依赖于维度效应的调控。书中的内容似乎预示着,通过对GaN纳米线的精细掺杂控制,我们或许能打开一扇通往更高效率、更低功耗器件的大门。我尤其关注了关于界面能垒和量子限域效应如何影响载流子输运的章节,这些描述让人联想到未来柔性电子设备或者超快光电器件的可能性。虽然具体的工程实现路径还需要时间探索,但这本书提供了最坚实的理论基础和最前沿的实验数据作为支撑。它不仅仅是对现有技术的总结,更是一种面向未来的“技术预言”。对于身处这个行业、肩负着技术突破使命的工程师和研究人员来说,阅读此书更像是一种获取“未来入场券”的过程,因为它深入探讨了当前尚未完全解决的关键科学难题,并给出了具有高度前瞻性的解决方案框架。
评分从叙事结构上来说,这本书的章节递进关系处理得极其严谨,体现了作者陈国祥和王豆豆在学术研究上的长期积累和系统规划。它并非简单地堆砌实验结果,而是遵循着“提出问题—理论分析—实验验证—机制深化”的清晰路径展开。开篇部分可能着墨于低维GaN材料的制备挑战,这是基础;随后迅速过渡到掺杂剂的选择与引入效应,这是核心操作;最后,重点攻克磁性这一复杂现象的物理本质,这是升华。这种层层递进的逻辑,使得读者在跟随作者思路时,能够建立起一个完整的知识框架。尤其是它对实验误差和不确定性的讨论,没有回避科学研究中常见的“灰色地带”,而是坦诚地分析了不同制备工艺对最终材料性能的敏感性。这种诚恳的态度,让读者在学习先进技术的同时,也理解了科学探索过程中的曲折与必然,使这本书的教育意义远远超出了单纯的技术手册范畴,更像是一份关于如何进行高水平材料研究的“方法论”指导。
评分这本《BF-低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理》的书名光是看着就觉得信息量爆炸,充满了高精尖的科学术语。我作为一个对材料科学领域略有涉猎的业余爱好者,一开始被它深奥的标题吸引,但真正拿起书本后,才发现内容比我想象的要复杂得多。书里对氮化镓(GaN)这种半导体材料的探讨,深入到了纳米尺度,这本身就意味着对晶格结构、界面效应有着极其精密的分析。我特别留意了关于“掺杂改性”的部分,作者似乎花了大篇幅去阐述如何通过引入不同元素来调控GaN的电子特性和结构稳定性,这种从微观层面到宏观性能的逻辑推演,让人不得不佩服作者在实验设计和理论建模上的功底。不过,对于非专业人士来说,理解那些复杂的物理化学公式和谱学分析图表,简直就是一场智力上的马拉松。我感觉自己像是在攀登一座知识的高峰,每翻几页都需要停下来消化吸收,生怕错过了一个关键的细节。总的来说,它像是一部为资深研究人员量身定制的工具书,要求读者具备扎实的半导体物理基础,才能真正领略其核心价值。那种严谨的学术氛围,透过书页都能扑面而来,让人感受到科研的深度与不易。
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