基本信息
書名:電力半導體新器件及其製造技術
定價:99.00元
作者:王彩琳著
齣版社:機械工業齣版社
齣版日期:2015-06-01
ISBN:9787111475729
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
內容提要
本書介紹瞭電力半導體器件的結構、原理、特性、設計、製造工藝、可靠性與失效機理、應用共性技術及數值模擬方法。內容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以及電力半導體器件的功率集成技術、結終端技術、製造技術、共性應用技術、數值分析與仿真技術。重點對功率二極管的快軟恢復控製、GTO的門極硬驅動、IGCT的透明陽極和波狀基區、功率MOSFET的超結及IGBT的電子注入增強(IE)等新技術進行瞭詳細介紹。
本書可作為電子科學與技術、電力電子與電氣傳動等學科的本科生、研究生專業課程的參考書,也可供從事電力半導體器件製造及應用的工程技術人員和有關科技管理人員參考。
目錄
電力電子新技術係列圖書序言
前言
章緒論
1.1 電力半導體器件概述
1.1.1 與電力電子技術關係
1.1.2 定義與分類
1.2 發展概況
1.2.1 電力半導體器件的發展
1.2.2 製造技術的發展
參考文獻
第2章 功率二極管
2.1 普通功率二極管
2.1.1 結構類型
2.1.2 工作原理與I-U特性
2.1.3 靜態與動態特性
2.2 快速軟恢復二極管
2.2.1 結構類型
2.2.2 軟恢復的機理及控製
2.3 功率肖特基二極管
2.3.1 結構類型與製作工藝
2.3.2 工作原理與I-U特性
2.3.3 靜態特性
2.4 功率二極管的設計
2.4.1 普通功率二極管的設計
2.4.2 快速軟恢復二極管的設計
2.4.3 功率肖特基二極管的設計
2.5 功率二極管的應用與失效分析
2.5.1 安全工作區及其限製因素
2.5.2 失效分析
2.5.3 特點與應用範圍
參考文獻
第3章 晶閘管及其集成器件
……
第4章 功率MOSFET
第5章 絕緣柵雙極型晶體管
第6章 功率集成技術
第7章 電力半導體器件的結終端技術
第8章 電力半導體器件的製造技術
第9章 電力半導體器件的應用共性技術
0章 電力半導體器件的數值分析與仿真技術
作者介紹
文摘
序言
從一個側重於電源係統集成的角度來看,這本書的實用價值體現在它對“可靠性”的強調上。我們都知道,再好的器件性能,如果不能在苛刻的工作環境下長期穩定運行,一切都是空談。作者在這方麵著墨甚多,書中專門闢齣一個章節來討論瞬態過電壓(SOA)的測試方法和新型器件的耐受極限,這一點非常關鍵。許多教科書往往忽略瞭這些在工程實踐中至關重要的“邊界條件”。我發現,書中對不同製造批次間參數漂移的統計分析方法非常具有啓發性,這直接指導瞭我如何為接下來的産品設計更閤理的安全裕度。此外,關於光耦和隔離驅動電路與新型高頻器件的匹配問題,這本書也給齣瞭非常前瞻性的建議,說明作者不僅僅關注半導體本身,更是將目光投嚮瞭整個電力電子模塊的“生態係統”建設,這正是現代工程設計所必須具備的全局觀。
評分這本書的文字風格相當“硬核”,一點也不拖泥帶水,可以說是將科研論文的精準性和工程手冊的實用性完美地融閤在瞭一起。我最欣賞它在描述新材料特性時,那種不迴避矛盾、直麵挑戰的態度。比如,在討論碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)的製造時,它坦率地指齣瞭當前錶麵鈍化技術仍是限製其高壓可靠性的主要短闆,並且詳細對比瞭不同鈍化層材料的優劣。這種坦誠的分析,讓讀者能清醒地認識到技術成熟度,而不是盲目樂觀。對於那些渴望將實驗室成果轉化為實際生産力的研發人員來說,書中詳細列舉的幾種關鍵製造流程中的“關鍵控製點”(KCPs),簡直是如同精確的GPS導航,指明瞭攻剋工藝難關的方嚮。它不是告訴你“怎麼做”,而是告訴你“為什麼這麼做”以及“在哪裏容易齣錯”。
評分收到您的要求,我將以一個讀者的身份,為您撰寫關於您提到的書《電力半導體新器件及其製造技術》的五段詳細、風格各異的圖書評價。 --- 這本《電力半導體新器件及其製造技術》簡直是為我們這些深耕電力電子行業多年的工程師準備的“武功秘籍”。我花瞭整整一個月的時間來消化其中的核心章節,尤其是關於寬禁帶半導體材料(如SiC和GaN)在新型功率模塊中的應用那一部分,簡直是醍醐灌頂。書中的理論深度和技術前沿的結閤非常到位,不像市麵上很多教材那樣隻停留在概念層麵。作者似乎真的深入一綫參與瞭研發工作,對當前主流器件的局限性以及未來替代方案的挑戰性描述得入木三分。舉個例子,它詳細拆解瞭第三代半導體器件在高溫工作環境下的可靠性評估流程,並對比瞭不同封裝技術對熱阻的實際影響,這種實操層麵的細節,對於我們設計高功率密度電源係統來說,具有不可替代的指導價值。我特彆欣賞作者在描述製造工藝時那種嚴謹的態度,從外延層生長到離子注入的每一個關鍵步驟,都伴隨著對材料缺陷控製的深度剖析,這遠超齣瞭普通器件手冊的範疇,更像是一本高級工藝工程師的案頭工具書。
評分說實話,這本書的封麵設計和排版略顯傳統,初看之下可能會被歸入那些厚重的專業參考書一類,但一旦你沉浸其中,那種知識的密度和廣度是令人震撼的。它成功地搭建瞭一座連接基礎半導體物理與尖端電力電子應用的橋梁。我特彆喜歡書中對未來集成趨勢的預測,例如“功率集成模塊”(PIM)的下一代封裝技術,作者不僅展示瞭當前的解決方案,還大膽地推演瞭未來多功能芯片互聯的可能性,這為我們進行五年以上的技術儲備規劃提供瞭堅實的理論基礎。這本書的深度已經超齣瞭一個“新器件介紹”的範疇,它更像是一本關於半導體器件“進化論”的著作,深刻剖析瞭每一次技術飛躍背後的驅動力和約束條件。對於需要緊跟國際最新技術動態的管理者和技術人員來說,這本書的參考價值是無可替代的。
評分坦白說,我剛翻開這本書時,內心是有些抗拒的,因為我對“新器件”這個概念總是抱持著一種審慎的懷疑態度——很多新東西往往是炒作大於實質。然而,這本書的結構安排和內容層次感,很快就扭轉瞭我的看法。它不是那種堆砌最新術語的浮誇之作,而是非常紮實地從物理基礎齣發,層層遞進到器件結構優化,再到大規模量産所麵臨的工藝瓶頸。特彆是對於功率MOSFET和IGBT之外的新型器件,例如超級結技術(Superjunction)的演進路綫,作者給齣的分析非常清晰,避免瞭復雜的數學推導陷阱,而是著重講解瞭結構改變如何從根本上重塑瞭器件的電流承載能力和開關損耗之間的平衡點。這本書的價值在於,它提供瞭一個清晰的“技術路綫圖”,讓我能夠快速定位當前行業的技術瓶頸點,並理解為什麼某些看似微小的材料或工藝改進,能帶來性能的指數級飛躍。
本站所有內容均為互聯網搜尋引擎提供的公開搜索信息,本站不存儲任何數據與內容,任何內容與數據均與本站無關,如有需要請聯繫相關搜索引擎包括但不限於百度,google,bing,sogou 等
© 2025 windowsfront.com All Rights Reserved. 靜流書站 版權所有