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内容简介

　　《半导体光谱和光学性质（第2版）》系统论述了半导体及其超品格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质。从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。
　　《半导体光谱和光学性质（第2版）》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果，并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来，从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质（第2版）》重视物理图像，并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法，
　　《半导体光谱和光学性质（第2版）》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究领域的科技人员的参考读物，

内页插图

目录

第一章 半导体的光学常数
1．1 半导体的光学常数及其相互关系
1．2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式t
1．2．1 光电磁波从真空或空气入射到固体表面的反射和透射
1．2．2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
1．3 色散关系，克拉默斯一克勒尼希（K-K）变换
1．3．1 K-K色散关系的引入
1．3．2 介电函数实部与虚部间的关系
1．3．3 折射率与消光系数的关系
1．3．4 振幅反射系数的模与相位之间的色散关系
1．3．5 求和规则
1．4 半导体光学常数的实验测量
参考文献

第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
2．1 半导体的带间跃迁过程
2．1．1 导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁
2．1．2 禁戒的带间直接跃迁
2．1．3 导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁
2．1．4 间接能带间的跃迁——带间间接跃迁
2．1．5 直接能带情况下的带间间接跃迁
2．1．6 能带带尾之间的跃迁
2．2 带间跃迁的量子力学理论
2．2．1 跃迁概率
2．2．2 吸收和发射的关系（冯-鲁斯勃吕克一肖克莱关系）
2．3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
2．3．1 吸收系数
2．3．2 联合态密度
2．3．3 电子态的分类和群论选择定则
2．4 间接跃迁的量子力学处理
2．5 半导体带间直接跃迁辐射复合发光过程
2．5．1 带间直接跃迁情况下的自发光发射辐射复合速率Rsp（hw）
2．5．2 受激发光发射速率和总光发射速率
2．5．3 样品内的辐射复合速率和样品外观测到的发光光谱的关系
参考文献

第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱一带间跃迁过粳
3．1 外界条件对半导体光吸收边的影响
3．1．1 压力效应
3．1．2 温度效应
3．1．3 强电场对半导体光吸收边的影响，费朗兹-凯尔迪什效应
3．1．4 合金化效应
3．2 掺杂对半导体光吸收边的影响，伯斯坦一莫斯效应
3．3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
3．3．1 Eo跃迁
3．3．2 E1跃迂
3．3．3 E2跃迂
3．3．4 闪锌矿结构半导体
3．4 半导体的调制光谱
3．4．1 半导体的调制光谱
3．4．2 内层电子与导带间的跃迁
3．5 激子吸收
3．5．1 激子吸收
3．5．2 和鞍点相联系的激子
3．5．3 激子极化激元
参考文献

第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-一带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迂过程
4．1 带内跃迁和自由载流子吸收
4．1．1 带内驻结构间的光跃迁
4．1．2 自由载漉子吸收
4．1．3 等离子激元效应
4．2 自由载流予吸收的量子理论
4．2．1 散射矩阵元
4．2．2 散射概率
4．2．3 吸收系数
4．2．4 关予吸牧系数的讨论
4．3 杂质吸收光谱
4．3．1 浅杂质的有效质量方程和浅杂质吸收光谱
4．3．2 浅杂质光热电离谱
4．3．3 双电子杂质态（A+态和D-态）
……

第五章 半导体的发光光谱和辐射复合
第六章 半导体的光电导和其他相关效应
第七章 半导体的磁光效应
第八章 半导体的拉曼散射
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质
第十章 半导体量子线和量子点的光谱
汉英对照主题索引

前言/序言

　　本书第一版《半导体光学性质》于1992年6月出版.第二版更名为“半导体光谱和光学性质”.正如第一版前言所指出的，半导体光学性质是一个发展极其迅速的领域，近10年来，新的、重要的研究成果不断涌现，以致原书的某些内容已显陈旧.这些年间，作者收到大量读者、同行来信，共同切磋这一领域的进展和前景，以及本书第一版的长处和不足.在此基础上，作者对第一版作了大量的修改和删节，着重增补了这一领域的一些最新成就，并力图完善第一版的不足之处.
　　主要增补内容有：半导体光学常数的实验测量，这些测量方法也适用一般凝聚态固体（第一章）；二维电子体系的回旋共振及相关效应，磁场下浅杂质电子态及束缚电子一电子、电子一声子互作用（第七章）；共振条件下拉曼选择定则，弛豫及相关散射过程（第八章）；单量子阱和量子阱同一能带内不同子带间的光跃迁过程和光谱（第九章）.对第五章半导体发射光谱和辐射复合也作了较大改动和增补.新增了第十章，用来讨论半导体量子线和量子点的电子态与光跃迁过程，
　　第二版书稿撰写过程中，常勇博士协助作图，郑国珍教授协助校对，中国科学院科学出版基金提供资助，在此一并感谢.
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半导体的各种光谱，以及光学性质

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