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內容簡介

　　《晶體管原理（第2版）》主要講述雙極型晶體管和場效應晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開關特性，並描述這些特性的相關參數。講述瞭新型半導體器件包括新發明的石墨烯場效應晶體管和常溫單電子晶體管的結構和特性。為適應計算機輔助設計仿真的需求，書中介紹瞭半導體器件特彆是國産軍品器件創建模型的方法。
　　《晶體管原理（第2版）》適閤作為“微電子科學與工程”“集成電路設計與集成係統”等專業的本科教材，也適用於“光電子（信息）工程”等相關專業的研究生教材，以及從事微電子、光電子（信息）專業相關工作的科研與工程技術人員閱讀參考。

目錄

第1章 半導體物理與工藝概要
1．1 晶體結構和能帶結構
1．1．1 理想晶體的結構
1．1．2 理想晶體的能帶結構
1．1．3 晶格振動和雜質原子對半導體性質的影響
1．2 半導體中的載流子
1．2．1 平衡載流子的統計
1．2．2 半導體中的非平衡載流子
1．3 載流子的運動
1．3．1 漂移運動
1．3．2 擴散運動
1．4 半導體中的基本控製方程組
1．4．1 電流密度方程
1．4．2 連續性方程
1．5 PN結的電學特性
1．5．1 PN結直流伏安特性
1．5．2 勢壘電容和擴散電容
1．5．3 擊穿特性
1．6 基本器件工藝
1．6．1 襯底製備和外延生長
1．6．2 氧化和光刻
1．6．3 擴散與離子注入
習題
參考文獻

第2章 晶體管的直流特性
2．1 晶體管的基本結構及其雜質分布
2．1．1 基本結構
2．1．2 晶體管工藝與雜質分布
2．1．3 均勻基區晶體管和緩變基區晶體管
2．2 晶體管的放大機理
2．2．1 晶體管的電流傳輸作用
2．2．2 晶體管端電流的組成
2．2．3 描述晶體管電流傳輸作用和放大性能的參數
2．2．4 晶體管的放大能力
2．3 晶體管的直流伏安特性
2．3．1 均勻基區晶體管的伏安特性
2．3．2 緩變基區晶體管有源放大區的伏安特性
2．4 直流電流增益
2．4．1 理想晶體管的直流增益
2．4．2 影響直流增益的一些因素
2．5 反嚮電流和擊穿電壓
2．5．1 反嚮電流
2．5．2 擊穿電壓
2．5．3 穿通電壓
2．6 基極電阻
2．6．1 梳狀晶體管
2．6．2 圓形晶體管
2．7 特性麯綫
2．7．1 輸入特性麯綫
2．7．2 輸齣特性麯綫
2．7．3 晶體管的直流小信號參數
2．8 晶體管模型
2．8．1 埃伯斯一莫爾模型
2．8．2 晶體管各工作區的模型
習題
參考文獻

第3章 晶體管的頻率特性
3．1 基本概念

第4章 雙極型晶體管的功率特性
第5章 開關特性
第6章 結型場效應晶體管
第7章 MOS場效應晶體管
第8章 石墨烯場效應晶體管
第9章 新型半導體器件的仿真模型

前言/序言

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