　　《晶体管原理（第2版）》主要讲述双极型晶体管和场效应晶体管的基本工作原理及其频率特性、功率特性、开关特性，并描述这些特性的相关参数。讲述了新型半导体器件包括新发明的石墨烯场效应晶体管和常温单电子晶体管的结构和特性。为适应计算机辅助设计仿真的需求，书中介绍了半导体器件特别是国产军品器件创建模型的方法。
　　《晶体管原理（第2版）》适合作为“微电子科学与工程”“集成电路设计与集成系统”等专业的本科教材，也适用于“光电子（信息）工程”等相关专业的研究生教材，以及从事微电子、光电子（信息）专业相关工作的科研与工程技术人员阅读参考。

第1章半导体物理与工艺概要
1．1 晶体结构和能带结构
1．1．1 理想晶体的结构
1．1．2 理想晶体的能带结构
1．1．3 晶格振动和杂质原子对半导体性质的影响
1．2 半导体中的载流子
1．2．1 平衡载流子的统计
1．2．2 半导体中的非平衡载流子
1．3 载流子的运动
1．3．1 漂移运动
1．3．2 扩散运动
1．4 半导体中的基本控制方程组
1．4．1 电流密度方程
1．4．2 连续性方程
1．5 PN结的电学特性
1．5．1 PN结直流伏安特性
1．5．2 势垒电容和扩散电容
1．5．3 击穿特性
1．6 基本器件工艺
1．6．1 衬底制备和外延生长
1．6．2 氧化和光刻
1．6．3 扩散与离子注入
习题
参考文献

第2章晶体管的直流特性
2．1 晶体管的基本结构及其杂质分布
2．1．1 基本结构
2．1．2 晶体管工艺与杂质分布
2．1．3 均匀基区晶体管和缓变基区晶体管
2．2 晶体管的放大机理
2．2．1 晶体管的电流传输作用
2．2．2 晶体管端电流的组成
2．2．3 描述晶体管电流传输作用和放大性能的参数
2．2．4 晶体管的放大能力
2．3 晶体管的直流伏安特性
2．3．1 均匀基区晶体管的伏安特性
2．3．2 缓变基区晶体管有源放大区的伏安特性
2．4 直流电流增益
2．4．1 理想晶体管的直流增益
2．4．2 影响直流增益的一些因素
2．5 反向电流和击穿电压
2．5．1 反向电流
2．5．2 击穿电压
2．5．3 穿通电压
2．6 基极电阻
2．6．1 梳状晶体管
2．6．2 圆形晶体管
2．7 特性曲线
2．7．1 输入特性曲线
2．7．2 输出特性曲线
2．7．3 晶体管的直流小信号参数
2．8 晶体管模型
2．8．1 埃伯斯一莫尔模型
2．8．2 晶体管各工作区的模型
习题
参考文献

第3章晶体管的频率特性
3．1 基本概念

第4章双极型晶体管的功率特性
第5章开关特性
第6章结型场效应晶体管
第7章 MOS场效应晶体管
第8章石墨烯场效应晶体管
第9章新型半导体器件的仿真模型