本書全麵講解瞭射頻與微波晶體管放大器的各種類型，包括低噪聲、窄帶、寬帶、綫性、高功率、高效率、高壓放大器，以及離散、單片集成與混閤集成放大器。主要的研究主題包括晶體管建模、分析、設計、錶徵、測量、封裝、熱設計及製造技術。本書特彆強調理論與實踐的結閤，讀者將瞭解並學會解決與放大器相關的各類設計問題，從放大器的匹配網絡設計、偏置電路設計到穩定性分析等。超過160道的習題有助於提高讀者對基本的放大器和電路設計技巧的掌握。

第1章引言
1．1 晶體管放大器
1．2 晶體管放大器的早期曆史
1．3 晶體管放大器的優點
1．4 晶體管
1．5 放大器的設計
1．6 放大器製造技術
1．7 放大器的應用
1．8 放大器的成本
1．9 目前的趨勢
1．10 本書的結構
參考文獻
第2章綫性網絡分析
2．1 阻抗矩陣
2．2 導納矩陣
2．3 ABCD參數
2．4 S參數
2．4．1 單端口網絡的S參數
2．5 雙端口參數之間的關係
參考文獻
習題
第3章放大器特性和定義
3．1 帶寬
3．2 功率增益
3．3 輸入和輸齣電壓駐波比
3．4 輸齣功率
3．5 功率附加效率
3．6 交調失真
3．6．1 IP3
3．6．2 ACPR
3．6．3 EVM
3．7 諧波功率
3．8 峰均比
3．9 閤成器效率
3．10 噪聲特性
3．10．1 噪聲係數
3．10．2 噪聲溫度
3．10．3 噪聲帶寬
3．10．4 最佳噪聲匹配
3．10．5 等噪聲係數圓和等增益圓
3．10．6 輸入和噪聲同時匹配
3．11 動態範圍
3．12 多級放大器特性
3．12．1 多級放大器IP3
3．12．2 多級放大器PAE
3．12．3 多級放大器噪聲係數
3．13 柵極和漏極的推移因子
3．14 放大器的溫度係數
3．15 平均失效時間
參考文獻
習題
第4章晶體管
4．1 晶體管類型
4．2 矽雙極型晶體管
4．2．1 關鍵性能係數
4．2．2 矽雙極型晶體管的高頻
噪聲特性
4．2．3 功率特性
4．3 GaAs MESFET
4．3．1 小信號等效電路
4．3．2 性能係數
4．3．3 MESFET器件的高頻
噪聲特性
4．4 異質結場效應晶體管
4．4．1 HEMT器件的高頻噪聲
性能
4．4．2 磷化銦pHEMT器件
4．5 異質結雙極型晶體管
4．5．1 HBT的高頻噪聲特性
4．5．2 SiGe異質結雙極型
晶體管
4．6 MOSFET
參考文獻
習題
第5章晶體管模型
5．1 晶體管模型的類型
5．1．1 基於物理學/電磁學理
論的模型
5．1．2 解析或混閤模型
5．1．3 以測量結果為基礎的
模型
5．2 MESFET模型
5．2．1 綫性模型
5．2．2 非綫性模型
5．3 pHEMT模型
5．3．1 綫性模型
5．3．2 非綫性模型
5．4 HBT模型
5．5 MOSFET模型
5．6 BJT模型
5．7 晶體管模型縮放
5．8 源牽引和負載牽引數據
5．8．1 理論負載牽引數據
5．8．2 測試功率和PAE的源牽引
和負載牽引
5．8．3 測試IP3的源和負載
阻抗
5．8．4 源和負載阻抗尺度變化
5．9 依賴溫度的模型
參考文獻
習題
第6章匹配電路的元件
6．1 阻抗匹配元件
6．2 傳輸綫匹配元件
6．2．1 微帶綫
6．2．2 共麵綫
6．3 集總元件
6．3．1 電容
6．3．2 電感
6．3．3 電阻
6．4 鍵閤綫電感
6．4．1 單綫
6．4．2 地平麵效應
6．4．3 多路綫
6．4．4 綫允許的最大電流
6．5 寬帶電感
參考文獻
習題
第7章阻抗匹配技術
7．1 單端口和雙端口網絡
7．2 窄帶匹配技術
7．2．1 集總元件匹配技術
7．2．2 傳輸綫匹配技術
7．3 寬帶匹配技術
7．3．1 增益-帶寬限製
7．3．2 集總元件寬帶匹配技術
7．3．3 傳輸綫寬帶匹配網絡
7．3．4 巴倫型寬帶匹配技術
7．3．5 T形橋式匹配網絡
參考文獻
習題
第8章放大器分類及分析
8．1 放大器的分類
8．2 A類放大器的分析
8．3 B類放大器的分析
8．3．1 單端式B類放大器
8．3．2 推挽式B類放大器
8．3．3 過激勵B類放大器
8．4 C類放大器的分析
8．5 E類放大器的分析
8．6 F類放大器的分析
8．7 不同種類放大器的比較
參考文獻
習題
第9章放大器設計方法
9．1 放大器的設計
9．1．1 晶體管類型和製造工藝
9．1．2 晶體管尺寸的選擇
9．1．3 設計方法
9．1．4 電路拓撲
9．1．5 電路分析和優化
9．1．6 穩定性和熱分析
9．2 放大器設計技術
9．2．1 負載綫法
9．2．2 低損耗匹配設計技術
9．2．3 非綫性設計方法
9．2．4 Taguchi實驗法
9．3 匹配網絡
9．3．1 電抗/電阻性的匹配
網絡
9．3．2 群匹配技術
9．4 放大器設計的例子
9．4．1 低噪放設計
9．4．2 最大增益放大器設計
9．4．3 功放設計
9．4．4 多級驅動放大器的設計
9．4．5 GaAs HBT功放
9．5 基於矽的放大器設計
9．5．1 Si IC LNA
9．5．2 Si IC功率放大器
參考文獻
習題
第10章高效率放大器技術
10．1 高效率設計
10．1．1 過驅動放大器設計
10．1．2 B類放大器設計
10．1．3 E類放大器設計
10．1．4 F類放大器設計
10．2 諧波作用放大器
10．3 諧波注入技術
10．4 諧波控製放大器
10．5 高PAE設計考慮
10．5．1 諧波調節平颱
10．5．2 匹配網絡損耗計算
10．5．3 匹配網絡損耗的減小
參考文獻
習題
第11章寬帶放大器
11．1 晶體管的帶寬限製
11．1．1 晶體管的增益滾降
11．1．2 變化的輸入和輸齣阻抗
11．1．3 功率-帶寬積
11．2 寬帶放大技術
11．2．1 電抗/電阻性拓撲
11．2．2 反饋放大器
11．2．3 平衡放大器
11．2．4 分布式放大器
11．2．5 有源寬帶匹配技術
11．2．6 共源共柵結構
11．2．7 寬帶技術的比較
11．3 寬帶功率放大器設計的考慮
事項
11．3．1 拓撲圖的選擇
11．3．2 器件長寬比
11．3．3 低損耗匹配網絡
11．3．4 增益平坦技術
11．3．5 諧波終端
11．3．6 熱設計
參考文獻
習題
第12章綫性化技術
12．1 非綫性分析
12．1．1 單音信號分析
12．1．2 雙音信號分析
12．2 相位失真
12．3 功率放大器的綫性化技術
12．3．1 脈衝摻雜器件及匹配
優化
12．3．2 預失真技術
12．3．3 前饋技術
12．4 提高綫性放大器效率的技術
12．4．1 反相
12．4．2 Doherty 放大器
12．4．3 包絡消除與恢復
12．4．4 自適應偏置
12．5 綫性放大器的設計
12．5．1 放大器增益
12．5．2 減小源和負載失配
12．6 綫性放大器設計實例
參考文獻
習題
第13章高壓功率放大器設計
13．1 高壓晶體管性能概述
13．1．1 優點
13．1．2 應用
13．2 高壓晶體管
13．2．1 Si雙極型晶體管
13．2．2 Si LDMOS晶體管
13．2．3 GaAs場闆MESFET
13．2．4 GaAs 場闆pHEMT
13．2．5 GaAs HBT
13．2．6 SiC MESFET
13．2．7 SiC GaN HEMT
13．3 高壓放大器設計的必要
考慮
13．3．1 有源器件的熱設計
13．3．2 無源元件的功率處理
13．4 功率放大器設計實例
13．4．1 高壓混閤放大器
13．4．2 高壓單片式放大器
13．5 寬帶HV放大器
13．6 串聯FET放大器
參考文獻
習題
第14章混閤放大器
14．1 混閤放大器技術
14．2 印製電路闆
14．3 混閤集成電路
14．3．1 薄膜MIC技術
14．3．2 厚膜MIC技術
14．3．3 共燒陶瓷和玻璃――陶瓷
技術
14．4 內匹配功率放大器設計
14．5 低噪聲放大器
14．5．1 窄帶低噪聲放大器
14．5．2 超寬帶低噪聲放大器
14．5．3 寬帶分布式低噪聲
放大器
14．6 功率放大器
14．6．1 窄帶功率放大器
14．6．2 寬帶功率放大器
參考文獻
習題
第15章單片放大器
15．1 單片放大器的優點
15．2 單片IC技術
15．2．1 MMIC製作
15．2．2 MMIC基底
15．2．3 MMIC有源器件
15．2．4 MMIC匹配元件
15．3 MMIC設計
15．3．1 CAD工具
15．3．2 設計流程
15．3．3 EM仿真器
15．4 設計實例
15．4．1 低噪聲放大器
15．4．2 大功率限幅器/LNA
15．4．3 窄帶PA
15．4．4 寬帶PA
15．4．5 超寬帶PA
15．4．6 高功率放大器
15．4．7 高效率PA
15．4．8 毫米波PA
15．4．9 無綫功率放大器設計
實例
15．5 CMOS製造
參考文獻
習題
第16章熱設計
16．1 熱力學基礎
16．2 晶體管熱設計
16．2．1 Cooke 模型
16．2．2 單柵熱模型
16．2．3 多柵熱模型
16．3 放大器熱設計
16．4 脈衝工作
16．5 導熱槽設計
16．5．1 傳導降溫和強製降溫
16．5．2 設計實例
16．6 熱阻測量
16．6．1 IR成像測量
16．6．2 液晶測量
16．6．3 電氣測量技術
參考文獻
習題
第17章穩定性分析
17．1 偶模振蕩
17．1．1 偶模穩定性分析
17．1．2 偶模振蕩消除技術
17．2 奇模振蕩
17．2．1 奇模穩定性分析
17．2．2 奇模振蕩抑製技術
17．2．3 分布式放大器的不穩
定性
17．3 參數式振蕩
17．4 雜散參數式振蕩
17．5 低頻振蕩
參考文獻
習題
第18章偏置網絡
18．1 晶體管偏置
18．1．1 晶體管偏置點
18．1．2 偏置方案
18．2 偏置電路設計需要考慮的
條件
18．2．1 微帶偏置電路
18．2．2 集總元件偏置電路
18．2．3 高PAE偏置電路
18．2．4 遷移電流限製
18．3 自偏置技術
18．4 多級放大器偏置
18．5 偏置電路的低頻穩定性
18．6 偏置順序
參考文獻
習題
第19章功率閤成
19．1 器件級功率閤成
19．2 電路級功率閤成
19．2．1 功能衰減
19．2．2 功率閤成效率
19．3 功分器、正交混閤網絡和
耦閤器
19．3．1 功分器
19．3．2 90°混閤網絡
19．3．3 耦閤綫定嚮耦閤器
19．4 N路閤成器
19．5 共同閤成器結構
19．6 隔離電阻的功率處理
19．7 空間功率閤成
19．8 功率閤成技術的比較
參考文獻
習題
第20章集成的功能放大器
20．1 集成的限幅器/LNA
20．1．1 限幅器/LNA拓撲結構
20．1．2 限幅器的要求
20．1．3 肖特基二極管設計與限
幅器結構
20．1．4 10 W限幅器/LNA設計
20．1．5 測試數據與討論
20．2 發射鏈
20．2．1 可變增益放大器
20．2．2 可變功率放大器
20．2．3 放大器的溫度補償
20．2．4 功率監視/檢測
20．2．5 負載失配保護
20．3 放大器的級聯
參考文獻
習題
第21章放大器封裝
21．1 放大器封裝概述
21．1．1 曆史簡介
21．1．2 封裝類型
21．2 封裝材料
21．2．1 陶瓷
21．2．2 高分子化閤物
21．2．3 金屬
21．3 陶瓷封裝設計
21．3．1 RF饋通的設計
21．3．2 腔孔設計
21．3．3 偏置綫
21．3．4 陶瓷封裝結構
21．3．5 陶瓷封裝模型
21．4 塑料封裝設計
21．4．1 塑料封裝
21．4．2 塑料封裝模型
21．5 封裝組裝
21．5．1 芯片貼裝
21．5．2 芯片引綫鍵閤
21．5．3 陶瓷封裝的組裝
21．5．4 塑料封裝的組裝
21．5．5 密封和包裝
21．6 熱性能考慮
21．7 封裝使用的CAD工具
21．8 功率放大器模塊
參考文獻
習題
第22章晶體管和放大器的測量
22．1 晶體管測量
22．1．1 I-V測量
22．1．2 S參數測量
22．1．3 噪聲參數測量
22．1．4 源牽引和負載牽引
測量
22．2 放大器測量
22．2．1 使用RF探針測量
22．2．2 驅動放大器和HPA的
測試
22．2．3 大信號輸齣VSWR
22．2．4 噪聲係數測量
22．3 失真測量
22．3．1 AM-AM和AM-PM
22．3．2 IP3/IM3測量
22．3．3 ACPR測量
22．3．4 NPR測量
22．3．5 EVM測量
22．4 相位噪聲測量
22．5 恢復時間測量
參考文獻
習題
附錄A 物理常數和其他數據
附錄B 單位和符號
附錄C 頻帶命名
附錄D 分貝單位
附錄E 數學關係式
附錄F 史密斯圓圖
附錄G 圖形符號
附錄H 首字母縮略詞及縮寫詞
附錄I 符號列錶
附錄J 多通道與調製技術