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内容简介

　　《模拟电路与数字电路（第3版）/普通高等教育“十一五”国宝规划教材·电子信息类精品教材》为普通高等教育“十一五”国宝规划教材；2009年普通高等教育国家精品教材；2013年入选“十二五”江苏省高等学校重点教材。
　　《模拟电路与数字电路（第3版）/普通高等教育“十一五”国宝规划教材·电子信息类精品教材》主要介绍模拟电路和数字电路的基本理论与基本计算，全书内容分为四个部分，共13章。第一部分为第1章绪论，介绍电子电路相关基本概念；第二部分为模拟电路，包括第2～7章，内容为：半导体器件基础、放大电路基础、放大电路中的反馈、集成运算放大器、正弦波振荡电路和直流稳定电源；第三部分为数字电路，包括第8～13章，内容为：数字逻辑基础、组合逻辑电路、时序逻辑电路引论、时序逻辑电路的分析和设计、存储器和可编程逻辑器件，以及脉冲信号的产生与整形；第四部分为附录A~F，内容包括：半导体分立元件和集成电路型号命名方法、半导体器件产品说明书举例、电子电路教学常用EDA软件简介、集成电路基础知识、习题参考解答和常见电子电路术语中英文对照。
　　《模拟电路与数字电路（第3版）/普通高等教育“十一五”国宝规划教材·电子信息类精品教材》注重基本概念、基本原理与基本计算的介绍，力求叙述简明扼要，通俗易懂，图形符号均采用了新国标，可以作为普通高等院校非电类各专业、电气信息类计算机专业及其他相近专业的电子技术基础课程教材，也可供有关工程技术人员参考。

作者简介

　　寇戈，博士，南京理工大学光电学院教授，组织编写《模拟电路与数字电路》教材，获得普通高等教育“十一五”国家级规划教材，江苏省高校重点教材。

目录

第一部 分
第1章 绪论
1.1电子技术相关基本概念
1.2与人们生活相关的电子技术及
产品
1.3电子技术的发展历史及其研究
热点
1.3.1电子技术的发展历史
1.3.2与电子技术相关的研究热点
1.4电路模型
1.5电子电路的特点及研究
方法
1.6学习本课程的目的及方法
本章小结

第二部分模 拟 电 路
第2章 半导体器件基础
2.1半导体的基本知识
2.1.1本征半导体
2.1.2杂质半导体
2.1.3PN结及其单向导电性
2.2晶体二极管
2.2.1晶体二极管的结构、符号、
类型
2.2.2晶体二极管的伏安特性与等效
电路
2.2.3晶体二极管的主要参数
2.2.4晶体二极管的温度特性
2.2.5晶体二极管的应用
2.2.6稳压管
2.3晶体三极管
2.3.1晶体三极管的结构、符号、类型及
应用
2.3.2晶体三极管的电流分配及放大
作用
2.3.3晶体三极管的输入特性与输出
特性
2.3.4晶体三极管的主要参数
2.4场效应管
2.4.1场效应管的结构、类型
2.4.2场效应管的工作原理
2.4.3场效应管的特性曲线
2.4.4场效应管的符号表示及主要
参数
2.4.5各种场效应管比较
本章小结
习题
第3章 放大电路基础
3.1放大电路的基本概念
3.2共发射极放大电路
3.2.1共发射极组态基本放大电路的
构成
3.2.2共发射极组态基本放大电路的
工作原理
3.3放大电路的分析方法
3.3.1静态和动态
3.3.2直流通路和交流通路
3.3.3放大电路的静态分析
3.3.4放大电路的动态分析――图解
分析法
3.3.5放大电路的动态分析――小信号
模型法
3.4用H参数小信号模型分析共
发射极基本放大电路
3.4.1求电压增益
3.4.2求输入电阻和输出电阻
3.5稳定静态工作点的放大
电路
3.5.1温度对工作点的影响
3.5.2分压式偏置电路
3.6共集电极电路和共基极
电路
3.6.1共集电极放大电路（射极输
出器）
3.6.2共基极放大电路
*3.6.3三种组态的H参数分析
3.6.4三种基本组态放大电路的
比较
3.7放大电路的频率响应
3.7.1幅频特性和相频特性
3.7.2波特图
3.7.3共发射极放大电路的频率
特性
3.8场效应管放大电路
3.8.1FET放大电路的静态分析
3.8.2FET放大电路的小信号模型
分析法
*3.8.3FET三种组态的比较
3.9多级放大电路
3.9.1多级放大电路概述
3.9.2多级放大电路的分析
3.10放大电路的主要性能指标
本章小结
习题
第4章 放大电路中的反馈
4.1反馈的基本概念
4.2反馈的分类
4.3负反馈放大电路的增益
4.4负反馈对放大电路性能的
改善
本章小结
习题
第5章 集成运算放大器
5.1集成运算放大器的构成
5.1.1差分式放大电路
5.1.2差分式放大电路的静态分析
和动态分析
5.1.3偏置电路
5.1.4功率放大电路
5.2集成运算放大器
5.2.1集成运算放大器的符号
5.2.2集成运算放大器的主要
参数
5.2.3理想运算放大器的特性
5.3集成运算放大器的基本运算
电路
5.3.1求和运算电路
5.3.2减法运算电路
5.3.3积分电路和微分电路
*5.3.4对数电路和指数电路
5.4集成运算放大器的非线性
应用
5.4.1电压比较器
*5.4.2非正弦波产生电路
本章小结
习题
第6章 正弦波振荡电路
6.1正弦波振荡电路的基本
原理
6.2正弦波振荡电路的组成、分类
和分析方法
6.3RC振荡电路
6.3.1文氏桥式振荡电路
6.3.2RC移相式振荡电路
6.3.3双T式振荡电路
6.4LC振荡电路
*6.5石英晶体振荡电路
本章小结
习题
第7章 直流稳压电源
7.1直流稳压电源的基本组成
7.2整流电路
7.2.1半波整流电路
7.2.2单相全波整流电路
7.2.3桥式全波整流电路
7.3滤波电路
7.3.1电容滤波
7.3.2其他滤波电路
7.4稳压电路
7.4.1稳压管稳压电路
7.4.2晶体管串联型稳压电路
*7.4.3晶体管开关型稳压电路
7.4.4集成稳压电路
本章小结
习题

第三部分数 字 电 路
第8章 数字逻辑基础
8.1数制与BCD码
8.1.1常用数制
8.1.2几种简单的编码
8.2逻辑代数基础
8.2.1基本逻辑运算
8.2.2复合逻辑运算
8.2.3逻辑电平与正、负逻辑
8.2.4基本定律和规则
8.2.5逻辑函数的标准形式
8.2.6逻辑函数的化简
本章小结
习题
第9章 组合逻辑电路
9.1由基本逻辑门构成的组合电路
的分析和设计
9.1.1组合电路的一般分析方法
9.1.2组合电路的一般设计方法
9.2MSI构成的组合逻辑电路
9.2.1编码器
9.2.2译码器
9.2.3数据选择器
9.2.4加法器
9.2.5数值比较器
本章小结
习题
第10章 时序逻辑电路引论
10.1时序逻辑电路的基本
概念
10.1.1时序逻辑电路的结构模型
10.1.2状态表和状态图
10.2存储器件
10.3锁存器
10.3.1RS锁存器
10.3.2门控RS锁存器
10.3.3D锁存器
10.4触发器
10.4.1主从触发器
10.4.2边沿触发器
10.4.3集成触发器
*10.5触发器的脉冲工作特性
10.6触发器逻辑功能的转换
10.6.1代数法
10.6.2图表法
10.7触发器应用举例
本章小结
习题
第11章 时序逻辑电路的分析与
设计
11.1MSI构成的时序逻辑电路
11.1.1寄存器和移位寄存器
11.1.2计数器
11.1.3移位寄存器型计数器
11.1.4序列信号发生器
11.2同步时序逻辑电路的分析
方法
11.3同步时序逻辑电路的设计
方法
本章小结
习题
*第12章 存储器和可编程逻辑
器件
12.1概述
12.2存储器
12.2.1只读存储器（ROM）
12.2.2随机存取存储器（RAM）
12.3可编程逻辑器件（PLD）
12.3.1可编程阵列逻辑（PAL）
12.3.2通用阵列逻辑（GAL）
12.3.3PLD的开发过程
本章小结
习题
第13章 脉冲信号的产生与整形
13.1555集成定时器
13.2施密特触发器
13.2.1用555定时器构成的施密特
触发器
13.2.2集成施密特触发器
13.2.3施密特触发器的应用
13.3单稳态触发器
13.3.1用555定时器构成的单稳态
触发器
13.3.2用施密特触发器构成的单稳态
触发器
13.3.3集成单稳态触发器
13.3.4单稳态触发器的应用
13.4多谐振荡器
13.4.1用555定时器构成的多谐
振荡器
13.4.2用施密特触发器构成的多谐
振荡器
13.4.3石英晶体多谐振荡器
本章小结
习题

第四部分附录
附录A半导体分立元件和集成电路
型号命名方法
附录B半导体器件产品说明书
举例
B.1二极管（1N4148）技术指标及
参数
B.2三极管（2N4124）技术指标及
参数
B.3场效应管（2N7002）技术指标及
参数
附录C电子电路教学常用EDA软件
简介
C.1几种常用的EDA软件
C.2Multisim仿真软件
附录D集成电路基础知识
附录E常见电子电路术语中英文
对照
附录F习题参考解答
参考文献

精彩书摘

　　（2）反向特性　　当二极管加上反向电压时，加强了PN结内电场，只有少数载流子在反向电压作用下通过PN结，形成很小的反向电流。反向电压增加但不超过某一数值时，反向电流很小且基本不变，此处的反向电流通常也称为反向饱和电流，特性曲线图中此段区域称为反向截止区。反向电流是由少数载流子形成的，它会随温度升高而增大，实际应用中，此值越小越好。　　当反向电压增大到超过某一个值时（特性曲线图中的对应电压称为反向击穿电压，不同二极管的反向击穿电压不同），反向电流急剧增大，此时二极管失去了单向导电性，这种现象叫反向击穿（属于电击穿）。反向击穿后电流很大，电压又很高，因而消耗在二极管上的功率很大，容易使PN结发热而超过它的耗散功率，产生热击穿。　　产生反向击穿的原因是，当外加反向电压太高时，在强电场作用下，空穴和电子数量大大增多，使反向电流急剧增大，此时二极管失去单向导电性。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿，二者的物理过程不同。齐纳击穿常发生在掺杂浓度高、空间电荷区较薄的PN结；雪崩击穿常发生在掺杂浓度低、空间电荷区较厚的PN结。一般二极管中的电击穿大多属于雪崩击穿；齐纳击穿常出现在稳压管（齐纳二极管）中。　　值得注意的是，在反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率这一前提下，两种电击穿过程是可逆的，反向电压降低后，二极管可恢复其单向导电性；否则会因过热而烧毁，此时击穿过程就不可逆了，二极管就失效了。　　通过上述对特性曲线的分析可得出如下结论：第一，二极管是非线性器件。在正向导通区，通过二极管的电流与加在其两端的电压近似成指数关系。第二，二极管只有在一定电压范围内才具有单向导电性。　　2．电路模型　　由于电路分析是以线性原理为基础的，而二极管是非线性器件，显然在分析二极管电路时会很不方便。工程上常用等效电路（或电路模型）来代替电子器件，从而在一定范围内简化计算，并导出实际应用中器件的性能。根据电路模型计算所得的结果与实际值比较接近。以下介绍二极管常用的两种模型：理想模型和简化模型。　　（1）二极管的理想模型　　在实际电路中，如果电源电压远远大于二极管的管压降，且电路电阻远远大于二极管的平均电阻，就可以采用二极管的理想模型，此时的二极管可称为理想二极管。　　理想模型忽略二极管正向导通电压与反向T作时的反向电流，即认为伏安特性如图2．8（a）所示。此时给二极管加正向电压，则二极管相当于短路，加反向电压则相当于断路。理想二极管加不同极性电压时的意义如图2．9所示，相当于一个理想开关。　　……

前言/序言

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