基本信息

书名：模拟电子技术基础

定价：42.60元

作者：李震梅

出版社：高等教育出版社

出版日期：2010-11-01

ISBN：9787040303261

字数：

页码：459

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

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内容提要

《模拟电子技术基础》依据教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会新修订的“模拟电子技术基础”课程教学基本要求，结合作者多年的教学改革成果和教学经验，本着“精选内容，注重应用，启发创新”的原则而编写。主要内容包括：半导体二极管及其应用电路，双极型三极管及其放大电路，场效应管及其放大电路，放大电路的频率响应，功率放大电路，集成运算放大器，负反馈放大电路，信号的运算、测量及处理电路，波形发生及变换电路，直流电源，模拟电子电路的Multisim仿真。
《模拟电子技术基础》概念阐述清楚，深浅适度，通俗易懂，突出应用，便于自学，在体现科学性、先进性、系统性方面具有特色。《模拟电子技术基础》可作为高等学校电气信息类专业模拟电子技术基础课程的教材或教学参考书，也可作为工程技术人员的参考用书。

目录

第1章 半导体二极管及其应用电路
1.1 半导体的导电特性
1.1.1 本征半导体及其导电特性
1.1.2 N型半导体
1.1.3 P型半导体
1.2 PN结的形成及特性
1.2.1 PN结的形成
1.2.2 PN结的单向导电性
1.2.3 PN结的电容效应
1.3 二极管
1.3.1 二极管的基本结构
1.3.2 二极管的伏安特性
1.3.3 二极管的参数、型号及选择
1.3.4 二极管的分析方法
1.3.5 二极管的应用
1.4 特殊二极管
1.4.1 稳压二极管
1.4.2 光电二极管
1.4.3 发光二极管
1.4.4 变容二极管
本章小结
习题
自测题

第2章 双极型三极管及其放大电路
2.1 双极型三极管
2.1.1 三极管的基本结构
2.1.2 三极管的电流分配和放大原理
2.1.3 三极管的伏安特性曲线
2.1.4 三极管类型和工作状态的判断
2.1.5 三极管的主要参数
2.1.6 温度对三极管参数的影响
2.1.7 三极管的类型、型号和选用原则
2.1.8 特殊三极管
2.2 共发射极放大电路的组成和工作原理
2.2.1 单管共发射极放大电路的组成
2.2.2 单管共发射极放大电路的工作原理
2.2.3 放大电路的主要技术指标
2.3 放大电路的静态分析
2.3.1 直流通路
2.3.2 静态工作点的近似估算
2.3.3 图解法分析静态工作点
2.4 放大电路的动态分析
2.4.1 交流通路
2.4.2 图解分析法
2.4.3 微变等效电路法
2.5 放大电路静态工作点的稳定
2.5.1 温度对静态工作点的影响
2.5.2 静态工作点稳定电路
2.6 共集电极和共基极放大电路
2.6.1 共集电极放大电路
2.6.2 共基极放大电路
2.6.3 三种基本组态的比较
2.7 多级放大电路
2.7.1 多级放大电路的耦合方式
2.7.2 多级放大电路的动态分析
本章小结
习题
自测题

第3章 场效应管及其放大电路
3.1 结型场效应管
3.1.1 结型场效应管的结构
3.1.2 结型场效应管的工作原理
3.1.3 结型场效应管的特性曲线
3.2 绝缘栅型场效应管
3.2.1 N沟道增强型MOS场效应管
3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管
3.3 场效应管的主要参数及特点
3.3.1 场效应管的主要参数
3.3.2 场效应管的特点及使用注意事项
3.4 场效应管放大电路
3.4.1 共源极放大电路
3.4.2 分压一自偏压式共源极放大电路
3.4.3 共漏极放大电路
3.4.4 三种基本放大电路的性能比较
本章小结
习题
自测题

第4章 放大电路的频率响应
4.1 频率响应的基本概念
4.1.1 研究放大电路频率响应的必要性
4.1.2 放大电路频率特性的定性分析
4.2 RC低通和高通电路的频率响应
4.2.1 RC低通电路的频率响应
4.2.2 RC高通电路的频率响应
4.3 三极管的混合形等效电路及参数估算
4.3.1 三极管的混合形等效电路
4.3.2 混合形等效电路的参数估算
4.3.3 三极管钓频率参数
4.4 单管共发射极放大电路的频率响应
4.4.1 阻容耦合共发射极放大电路的频率响应
4.4.2 放大电路频率响应的改善
4.4.3 其他电容对频率特性的影响
4.5 多级放大电路的频率响应
4.5.1 多级放大电路的幅频特性和相频特性
4.5.2 多级放大电路的截止频率
本章小结
习题
自测题

第5章 功率放大电路
5.1 功率放大电路的一般问题
5.1.1 对功率放大电路的基本要求
5.1.2 功率放大电路的分类
5.2 互补对称功率放大电路
5.2.1 乙类OTL互补对称功率放大电路
5.2.2 甲乙类OTL互补对称功率放大电路
5.2.3 甲乙类OCL互补对称功率放大电路
5.2.4 采用复合管的互补对称功率放大电路
5.3 集成功率放大电路
5.3.1 LM386通用型集成功率放大电路
5.3.2 专用型集成功率放大电路XG4140
5.3.3 音频集成功率放大电路CD4100
本章小结
习题
自测题

第6章 集成运算放大器
6.1 集成运算放大器的特点及组成
6.1.1 集成运算放大器的特点
6.1.2 集成运算放大器的组成
6.2 集成运算放大器的单元电路
6.2.1 差分放大电路
6.2.2 电流源电路
6.2.3 采用复合管和有源负载的中间放大级
6.2.4 输出级中的过载保护电路
6.3 典型集成运算放大器介绍
6.3.1 BJT通用型集成运算放大器uA741
6.3.2 MOS通用型集成运算放大器ICL7614
6.3.3 特殊集成运算放大器
6.4 集成运算放大器的主要参数
6.4.1 直流性能指标
6.4.2 差模小信号性能指标
6.4.3 大信号工作的性能指标
6.4.4 电源性能指标
6.5 集成运算放大器的工作特性
6.5.1 集成理想运放的性能参数
6.5.2 集成运放的电压传输特性
6.5.3 运放工作在线性区的特点
6.5.4 运放工作在非线性区的特点
本章小结
习题
自测题

第7章 负反馈放大电路
7.1 反馈的基本概念
7.1.1 反馈的概念
7.1.2 正反馈和负反馈
7.2 负反馈放大电路的类别及判断
7.2.1 有无反馈的判别
7.2.2 正、负反馈的判别
7.2.3 直流反馈和交流反馈
7.2.4 串联反馈和并联反馈的判别
7.2.5 电压反馈和电流反馈
7.3 负反馈放大电路的一般表达式及四种组态
7.3.1 负反馈放犬电路的方框图和反馈一般表达式
7.3.2 电压串联负反馈
7.3.3 电流串联负反馈
7.3.4 电压并联负反馈
7.3.5 电流并联负反馈
7.4 负反馈对放大电路性能的影响
7.4.1 提高放大倍数的稳定性
7.4.2 减小非线性失真和抑制干扰
7.4.3 扩展放大电路的通频带
7.4.4 对输入电阻的影响
7.4.5 负反馈对输出电阻的影响
7.4.6 放大电路中引入负反馈的一般原则
7.5 负反馈放大电路的分析计算
7.5.1 估算的依据及步骤
7.5.2 电压串联负反馈举例
7.5.3 电压并联负反馈举例
7.5.4 电流串联负反馈举例
7.5.5 电流并联负反馈举例
7.6 负反馈放大电路的稳定性
7.6.1 负反馈放大电路产生自激振荡的尿因及条件
7.6.2 反馈放大电路稳定性的定性分析
7.6.3 负反馈放大电路稳定性的判断
7.6.4 负反馈放大电路中自激振荡的消除方法
本章小结
习题
自测题

第8章 信号的运算、测量及处理电路
8.1 基本运算电路
8.1.1 比例运算电路
8.1.2 加法运算电路
8.1.3 减法运算电路
8.1.4 积分和微分运算电路
8.2 对数、指数运算电路
8.2.1 对数运算电路
8.2.2 指数运算电路
8.3 乘法器及其应用电路
8.3.1 乘法器的基础知识
8.3.2 对数一指数型模拟乘法器
8.3.3 变跨导式模拟乘法器
8.3.4 集成模拟乘法器
8.3.5 模拟乘法器的应用
8.4 信号测量放大电路
8.4.1 三运放测量放大器
8.4.2 可变增益放大器
8.4.3 隔离放大器
8.5 信号变换电路
8.5.1 电压一电流转换器
8.5.2 电流一电压转换器
8.6 有源滤波器
8.6.1 滤波器的功能和分类
8.6.2 低通有源滤波器
8.6.3 高通有源滤波器
8.6.4 带通有源滤波器
8.6.5 带阻有源滤波器
8.6.6 开关电容滤波电路
本章小结
习题
自测题

第9章 波形发生及变换电路
9.1 正弦波振荡电路的基本原理
9.1.1 自激振荡的条件
9.1.2 正弦波振荡电路的组成
9.1.3 正弦波振荡电路的类型
9.1.4 正弦波振荡电路的分析步骤
9.2 RC正弦波振荡电路
9.2.1 RC桥式正弦波振荡电路
9.2.2 RC移相式振荡电路
……

第10章 直流电源
第11章 模拟电子电路的Multisim仿真
部分习题自测题参考答案
参考文献

作者介绍

文摘

（1）雪崩击穿
雪崩击穿的物理过程是这样的：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中电场随着增强，通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得很大的能量，在运动中不断与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使价电子激发，形成电子一空穴对，这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，获得能量，又可通过碰撞，再产生电子一空穴对，这就是载流子的倍增效应。当PN结反向电压增加到一定数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大。
（2）齐纳击穿
齐纳击穿的物理过程是这样的：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够直接破坏共价键，将束缚的价电子拉出来形成电子一空穴对，因而形成较大的反向电流。齐纳击穿一般发生在杂质浓度大的PN结中，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度也大，因而空间电荷区很窄，即使反向电压不太高，在PN结内可形成很强的电场，引起齐纳击穿。
一般整流二极管掺杂浓度不很高，它的电击穿多数是雪崩击穿。齐纳击穿多数出现在特殊的二极管中，如稳压二极管。由于击穿破坏了PN结的单向导电性，所以使用时应尽量避免出现击穿。
必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的，这就是说，当加在PN结两端的反向电压降低后，PN结仍可以恢复原来的状态。但有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿往往可为人们所利用（如稳压二极管），而热击穿则是必须避免的。
……

序言