具体描述
基本信息
书名：半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册
定价：230.00元
作者：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料
出版社：中国标准出版社
出版日期：2014-11-01
ISBN：9787506677523
字数：
页码：
版次：1
装帧：平装
开本：大16开
商品重量：0.4kg
编辑推荐
内容提要
半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。
目录
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
作者介绍
文摘
序言
用户评价
这本《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 国标分册》简直是我的救星！我最近在做一个关于先进封装材料的课题，手头上的参考资料总感觉缺了点“官方”的权威性。网上零散的标准文件找起来费时费力，而且真伪难辨，让人心力交瘁。直到我拿到了这本汇编，简直是如获至宝。里面的内容组织得极为清晰，不仅涵盖了2014年主要的国家标准，更重要的是，它把方法标准单独成册，这对于我们实验人员来说太方便了。我立刻翻到了测试方法的部分，关于硅片表面粗糙度、杂质浓度的检测流程，写得那叫一个详尽和严谨。每一个步骤、每一个参数的选取都有据可依，让我对实验结果的可靠性瞬间有了信心。以前我们团队为了确定某个测试流程的“最佳实践”，内部讨论了好几天，现在对照这些国标，直接对标，效率提升了好几个量级。尤其是一些针对特定材料（比如SOI衬底）的性能评价标准，以前总觉得模棱两可，现在有了明确的量化指标，为我们后续的工艺优化指明了方向。这本书的印刷质量也很好，纸张厚实，图表清晰，即使在实验室这种环境下频繁翻阅也不会轻易损坏。对于任何从事半导体研发、质量控制或者生产管理的人来说，这本书绝对是案头必备的“武功秘籍”，少了它，工作效率和规范性都会大打折扣。
评分说实话，我刚开始接触这套标准汇编时，内心是有些许抗拒的。毕竟，技术标准这东西，读起来往往枯燥乏味，充满了各种技术术语和晦涩的条文。我更倾向于阅读前沿的学术论文或者行业分析报告，那些东西读起来更有“人情味”。然而，当我开始尝试用它来指导我们新生产线的调试工作时，我才深刻体会到它的价值所在。它不是那种“高屋建瓴”的理论指导，而是实打实的“操作手册”。举个例子，我们引入了一批新的光刻胶，按照供应商给的建议参数进行测试，结果总是有微小的缺陷。抱着试试看的心态，我查阅了汇编中与光刻工艺相关的标准。结果发现，标准中对“关键尺寸测量”的预处理和校准环节有着比供应商更严格的要求。当我们严格按照国标进行校准后，缺陷率立刻下降到了可接受的范围。这种感觉就像是，你一直在用一把没校准过的尺子量东西，而这本书告诉你，真正的“一米”到底有多长。它提供的是一个全国统一的基准线，让不同工厂、不同批次的产品能够放在同一个天平上进行公正的比较。所以，别被它标题的严肃性吓到，它其实是保障你最终产品质量的“隐形卫士”。
评分作为一名材料学的研究生，我的导师要求我必须精通至少两个核心材料（比如硅和砷化镓）的检测标准。坦白讲，去国家标准网上把所有相关文件下载下来，然后自己整理成册，那工作量简直是噩梦——版本更新、文件格式不统一、相互引用经常导致断链。这本2014版的汇编，至少在那个时间点上，提供了一个高度集成和标准化的解决方案。我个人最欣赏的是它对“检测环境”的规定。很多时候，实验结果的差异并非出在测试本身，而是环境因素造成的——温度、湿度、气压，甚至是振动隔离。这本书对这些环境参数的控制范围给出了明确的界限，这对于保证跨地域、跨实验室的测试结果可重复性至关重要。我记得有一次我们与外部合作机构进行数据比对，双方数据偏差较大，我们一度怀疑是对方的设备有问题。对照这本汇编中关于环境控制的标准，我们发现对方的实验室温湿度控制略微超出了标准要求的阈值，这直接解释了数据偏差的根源。所以，这本书不仅是测试方法的集合，更是解决团队间乃至企业间“数据口径不一”问题的“终极裁决者”。
评分我所在的部门主要负责对采购进来的特种功能薄膜进行入厂检验。这是一个对细节要求极其苛刻的环节。过去，我们主要依赖供应商提供的规格书，但时间久了，总觉得少了点“话语权”，一旦出现争议，我们很难拿出足够有力的技术文件来支撑我们的检验结果。这本《半导体材料标准汇编》的出现，极大地增强了我们的谈判筹码。特别是其中关于薄膜厚度均匀性、光学特性测量的方法标准，描述得极其细致入微，包括探针的接触力度、扫描速度的控制要求等等。我印象最深的是其中关于“薄膜应力”测量的章节，它详尽地列出了几种不同的测量原理及其适用范围，并指出了每种方法的局限性。这让我能够根据我们所采购材料的特性，选择最合适的标准进行检验，而不是盲目套用最容易操作的那个。这本书的价值在于，它将行业内最顶尖的经验和共识以法律文件般的形式固定了下来，让我们的检验工作不再是“凭感觉”，而是真正做到了“有据可查，有理可依”。
评分对于一个刚从高校步入工业界的新人来说，理解行业规范是成长的关键一步。在学校里，我们学习的是最前沿的理论，但工业生产更看重的是“可制造性”和“可重复性”，而标准就是连接理论与实践的桥梁。这本2014版的标准汇编，以其权威性和系统性，成功地将我从纯理论的思维模式中拉了出来。我用它来学习如何将一个理想化的材料性能参数，转化为一个可以在工厂里每天稳定测量的指标。它不仅仅是一堆规范的堆砌，更像是一本行业“行为准则”。例如，关于半导体材料的“批次合格判定原则”，书中给出的统计学方法和风险评估，比教科书上的讨论要实际得多。通过研读这些方法标准，我学会了如何科学地解读数据中的波动，而不是被每一个小小的异常值所困扰。这本书教会了我如何像一个合格的工程师一样思考问题——用最严谨的方法，去量化一个不断变化的物理世界，确保我们生产的每一片芯片都建立在一个坚实可靠的材料基础之上。
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