基本信息

書名：模擬CMOS集成電路設計(國外名校新教材精選)

定價：75.00元

作者：(美)畢查德？拉紮維作 陳貴燦程軍張瑞智者

齣版社：西安交通大學齣版社

齣版日期：2014-06-01

ISBN：9787560516066

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.922kg

編輯推薦

內容提要

畢查德·拉紮維編著的這本《模擬CMOS集成電路設計》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述瞭各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述瞭在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。《模擬CMOS集成電路設計》由淺入深，理論與實際結閤，提供瞭大量現代工業中的設計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應和噪聲。1章至3章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非綫性和失配的影響，4、15章介紹振蕩器和沒相環。6章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、CMOS製造工藝和混閤信號電路的版圖與封裝。
《模擬CMOS集成電路設計》是現代模擬集成電路設計的理想教材或參考書。可供與集成電路領域有關的各電類專業的高年級本科生和研究生使用，也可供從事這一領域的工程技術人員自學和參考。

目錄

作者簡介中文版前言譯者序序緻謝章 模擬電路設計緒論第2章 MOS器件物理基礎第3章 單級放大器第4章 差動放大器第5章 無源與有源電流鏡第6章 放大器的頻率特性第7章 噪聲第8章 反饋第9章 運算放大器0章 穩定性與頻率補償1章 帶隙基準2章 開關電容電路3章 非綫性與不匹配4章 振蕩器5章 鎖相環6章 短溝道效應與器件模型7章 CMOS工藝技術8章 版圖與封裝英漢詞匯對照

作者介紹

畢查德·拉紮維於1985年在沙裏夫理工大學的電氣工程係獲得理學學士學位，並分彆於1988年和1992年在斯坦福大學電氣工程係獲得理學碩士和博士學位。他曾在AT＆T貝爾實驗室工作，隨後又受聘於Hewlett—Packard實驗室，直到1996年為止。1996年9月，他成為加州大學洛杉磯分校的電氣工程係副教授，隨後晉升為教授。目前他從事的研究包括無綫收發、頻率閤成、高速數據通信及數據轉換的鎖相和時鍾恢復。 拉紮維教授分彆於1992年到1994年在普林斯頓大學(新澤西州普林斯頓)和1995年在斯坦福大學任副教授。他是VLSI電路專題討論會的技術程序委員會和國際固體電子協會(ISSCC)的成員，在其中擔任模擬小組委員會的主席。此外，他還分彆擔任IEEE固體電路雜誌、IEEE電路和係統雜誌及高速電子學國際雜誌的特邀編輯和副編輯。 拉紮維教授於1994年因為的編輯能力獲ISSCC的Beatrice奬，1994年在歐洲固體電子會議上獲*論文奬，1995年和1997年ISSCC的*專題小組奬，1997年TRw創新教學奬，1998年IEEE定製集成電路會議*論文奬。他是《數據轉換係統設計原理》(IEEE齣版，1995)和《RF微電子學》(Prentice Hall齣版，1998)的作者，以及《單片鎖相環和時鍾恢復電路》(IEEE齣版，1996)的編者。

文摘

序言