书名	纳电子器件及其应用(D12版)/蔡理
定价	58.00
ISBN	9787121274657
出版社	电子工业出版社
作者	蔡理
编号	1201217363
出版日期	2015-11-01
印刷日期	2015-11-01
版次	2
字数	467千字
页数	279

目录
D11章绪论 1
1.1引言 1
1.2微电子学向纳电子学发展及限制 3
1.2.1微电子学向纳电子学发展 3
1.2.2微纳电子器件的技术限制 6
1.3纳电子学的研究与发展 8
1.3.1纳电子学研究 9
1.3.2纳电子学的发展 10
1.4纳电子器件 13
1.4.1引言 13
1.4.2纳电子器件种类 14
1.4.3纳电子器件应用 18
参考文献 22
D12章纳电子学基础 32
2.1纳结构中的量子效应 32
2.1.1电导量子 32
2.1.2弹道输运 33
2.1.3普适电导涨落 34
2.1.4库仑阻塞 34
2.1.5量子相干效应 35
2.2Landauer-Büttiker电导公式 36
2.2.1两端单通道Landauer电导公式 37
2.2.2两端多通道Büttiker电导公式 38
2.2.3弹道结构的电导系数 39
2.3单电子隧穿 40
2.3.1单电子隧穿现象及条件 40
2.3.2电流偏置单隧道结 42
2.3.3单电子岛(双隧道结) 45
2.3.4电子输运的主方程 47
2.4库仑台阶和库仑振荡 48
2.4.1引言 48
2.4.2库仑台阶 49
2.4.3库仑振荡 51
参考文献 52
D13章共振隧穿器件 55
3.1共振隧穿效应 55
3.1.1共振隧穿现象 55
3.1.2共振隧穿机理 56
3.2共振隧穿器件输运理论 58
3.2.1量子力学基础 58
3.2.2双势垒量子阱结构共振隧穿二极管的两种物理模型 61
3.3共振隧穿二极管的特性分析 65
3.3.1共振隧穿二极管的特性及参数 65
3.3.2散射和材料结构对器件特性的影响 67
3.4共振隧穿二极管模型 68
3.4.1电路模拟模型 68
3.4.2物理基础的RTD模型 70
3.5RTD器件的数字电路 72
3.5.1RTD的基本电路 73
3.5.2单-双稳转换逻辑单元的工作原理 75
3.5.3单-双稳转换逻辑单元构成的数字电路 78
3.5.4基于RTD的多值逻辑电路设计 79
3.6RTD的模拟电路及其应用 81
3.6.1振荡器电路 81
3.6.2细胞神经网络神经元电路 82
3.6.3混沌振荡器电路 83
参考文献 86
D14章单电子器件 90
4.1单电子盒 90
4.2单电子陷阱 91
4.3单电子晶体管 92
4.3.1SET的结构及特性 92
4.3.2多栅极SET 95
4.3.3SET的数值模拟法及模型 97
4.4单电子旋转门 102
4.5单电子泵 103
4.6单电子器件的模拟电路应用 104
4.6.1超高灵敏静电计 104
4.6.2单电子能谱仪 104
4.6.3计量标准应用 105
4.6.4红外辐射探测器 106
4.6.5基于SET的模拟滤波器 106
4.6.6基于SET的细胞神经网络 109
4.7单电子器件的数字电路应用 112
4.7.1基于SET的逻辑电路 112
4.7.2单电子存储器 116
4.7.3基于SET的数字滤波器 118
参考文献 121
D15章量子点器件 125
5.1量子元胞自动机 125
5.1.1量子元胞自动机的结构 125
5.1.2量子元胞自动机的原理 126
5.1.3量子元胞自动机的特性 127
5.1.4量子元胞自动机基本电路 128
5.2量子元胞自动机的仿真方法 129
5.2.1元胞间哈特里逼近法 129
5.2.2模拟退火法 130
5.2.3遗传模拟退火法 131
5.2.4QCADesigner软件仿真 134
5.2.5PSpice模型仿真 135
5.3量子元胞自动机数字电路 136
5.3.1基于量子元胞自动机的组合逻辑电路 136
5.3.2基于量子元胞自动机的时序逻辑电路 139
5.3.3量子元胞自动机数字电路设计方法 143
5.4量子细胞神经网络及其应用 147
5.4.1量子细胞神经网络的机理 148
5.4.2量子细胞神经网络的非线性特性 149
5.4.3量子细胞神经网络的混沌控制、同步及保密通信应用 154
5.4.4量子细胞神经网络的图像处理应用 161
参考文献 175
D16章SETMOS混合器件 180
6.1SETMOS混合器件结构及特性 180
6.1.1SETMOS混合器件的结构 180
6.1.2SETMOS混合器件的工作原理及特性 181
6.2SETMOS混合器件的模型 183
6.2.1SETMOS混合器件的模型建立 183
6.2.2SETMOS混合器件的仿真 185
6.3SETMOS混合器件模拟电路应用 187
6.3.1SETMOS积分器 187
6.3.2SETMOS滤波器 189
6.3.3基于SETMOS混合器件的细胞神经网络 191
6.3.4基于SETMOS混合结构的多涡卷混沌系统 201
6.4SETMOS混合器件数字电路应用 206
6.4.1多值逻辑 206
6.4.2逻辑门电路 209
6.4.3SETMOS混合器件的数字电路应用 211
6.4.4SETMOS混合结构在离散混沌系统中的应用 216
参考文献 223
D17章碳纳米管器件 227
7.1碳纳米管的结构、电特性及制备 227
7.1.1碳纳米管的结构 227
7.1.2碳纳米管的电特性 229
7.1.3碳纳米管的制备 231
7.2碳纳米管场效应管 231
7.2.1CNTFET的I-V特性曲线 231
7.2.2P型和N型CNTFET 233
7.2.3接触势垒 235
7.2.4局部栅CNTFET 236
7.2.5双极型CNTFET 237
7.3碳纳米管场效应管仿真模型 238
7.3.1基于弹道输运理论的CNTFET半经典改进模型 238
7.3.2基于线性回归的CNTFET的HSpice模型 243
7.4碳纳米管器件的应用 246
7.4.1基于CNTFET的二极管 246
7.4.2基于CNTFET的逻辑电路 248
7.4.3基于CNTFET的振荡器 249
7.4.4基于双栅极CNTFET的可重配置逻辑电路 250
7.4.5基于CNTFET的多值逻辑电路 251
参考文献 253
D18章纳电子器件应用中的问题 256
8.1单电子晶体管的非理想因素 256
8.1.1单电子晶体管随机背景电荷的产生 256
8.1.2背景电荷对单电子晶体管的影响 257
8.1.3单电子晶体管背景电荷的解决方法 257
8.1.4单电子晶体管其他非理想因素的影响 259
8.2影响SETMOS混合器件工作的因素 260
8.2.1CMOS器件噪声分析与抑制 260
8.2.2SETMOS混合电路设计中偏置电流源的影响 261
8.2.3泄漏能耗的影响与控制 262
8.3量子细胞神经网络的非理想因素 262
8.3.1QCNN中的非理想因素的类型 263
8.3.2非理想因素对QCNN的影响 263
8.3.3非理想因素影响的结果分析 270
8.4其他器件的非理想因素影响 270
8.4.1散射对RTD的影响 271
8.4.2RTD的集成技术 271
8.4.3RTD应用电路的发展展望 273
8.4.4碳纳米管场效应管制备及特性中的问题 274
参考文献 275
参数符号 277
缩略语 280

蔡理空军工程大学理学院教授博士生导师微电子学与固体电子学学科带头人。教育部高等学校电工电子基础课程教学指导委员会委员全军很好教师、军队院校育才奖金奖和空军高层次科技人才陕西省电工电子课程体系很好教学团队带头人；主持建设的军队重点网络课程“电工学”入xuan军队院校精品网络课程库；指导博士学位论文获陕西省很好博士学位论文奖和全军很好博士学位论文提名奖并获陕西省很好博士学位论文导师奖杯；主持完成了国j1a自然科学基金项目、863创新项目和陕西省自然科学基础研究重点项目等重量、军队和省部级项目十多项；出版专著3部出版教材3部其中1部获全国很好畅销书奖；在靠前和靠前重要学术期刊发表论文150余篇其中SCI50余篇 EI60余篇。

本科及以上

全书主要分为三个部分：(1)主要概述纳电子学的发展和基础理论；(2)主要介绍纳电子器件-包括：共振隧穿器件、单电子器件、量子点电子器件、纳米CMOS器件和碳纳米管器件等；(3)由纳电子器件构成的电路及其应用。全书共分八章包括：纳米电子学和纳电子器件发展概述；纳电子学基础理论；共振隧穿器件；单电子器件；量子点电子器件；SET/MOS混合器件；碳纳米管器件；纳电子电路及应用中的问题。

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