本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

译者序
原书前言
原书作者简介
１章　导论１ 
　１.１　电子学的进展１ 
　１.２　碳化硅的特性和简史３ 　
　１.２.１　早期历史３ 
　　１.２.２　ＳｉＣ晶体生长的革新４ 
　　１.２.３　ＳｉＣ功率器件的前景和展示５ 
　１.３　本书提纲６ 　参考文献７ 
２章　碳化硅的物理性质１０
３章　碳化硅晶体生长３６
４章　碳化硅外延生长７０ 
５章　碳化硅的缺陷及表征技术１１７
碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用 电子书 下载 mobi epub pdf txt