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出版社： 机械工业
ISBN：9787111586807
商品编码：27630263042
具体描述
| 商品名称： | 碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用 |
| 作者： | [日] 木本恒暢（Tsunenobu Kimoto）[美] 詹姆士 A. 库珀（Ja |
| 市场价： | 150.00 |
| ISBN号： | 9787111586807 |
| 版次： | 1-1 |
| 出版日期： | |
| 页数： | 499 |
| 字数： | 649 |
| 出版社： | 机械工业出版社 |
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
译者序
原书前言
原书作者简介
１章 导论１
１.１ 电子学的进展１
１.２ 碳化硅的特性和简史３
１.２.１ 早期历史３
１.２.２ ＳｉＣ晶体生长的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本书提纲６ 参考文献７
２章 碳化硅的物理性质１０
３章 碳化硅晶体生长３６
４章 碳化硅外延生长７０
５章 碳化硅的缺陷及表征技术１１７
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