☆☆☆☆☆
簡體網頁||繁體網頁



點擊這裡下載

類似圖書 點擊查看全場最低價

---

內容簡介

　　《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，係統地介紹瞭Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹瞭半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，Al CaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型 HEMT器件和集成電路，GaN MOS-HEMT器件，最後給齣瞭該領域未來技術發展的幾個重要方嚮。
　　《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。

目錄

《半導體科學與技術叢書》齣版說明
序言
第1章 緒論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章 氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章 GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章 AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章 AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章 脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章 Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和優化
第10章 GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章 GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章 GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄 縮略語錶
《半導體科學與技術叢書》已齣版書目

前言/序言

氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 下載 mobi epub pdf txt 電子書

評分☆☆☆☆☆

第三代半導體國內有人研究但專著極少，這本書在國內也是僅此一本。且著錄較係統，應為經典

評分☆☆☆☆☆

值得一看-

評分☆☆☆☆☆

這件商品的質量看起來還不錯。。。

評分☆☆☆☆☆

是正版的，自營的還是不錯的，就是要貴點，不過這本書算是必備瞭

評分☆☆☆☆☆

不錯的書，很有幫助！

評分☆☆☆☆☆

好書，開捲有益。

評分☆☆☆☆☆

書寫得很好，能學到很多內容。

評分☆☆☆☆☆

買的有點晚瞭，非常好的專業書籍。

評分☆☆☆☆☆

好書，送貨快，質量好

類似圖書 點擊查看全場最低價