齣版社： 化學工業齣版社
ISBN：9787502595807
版次：1
商品編碼：10168656
包裝：平裝
叢書名： 電池材料與應用係列
開本：小16開
齣版時間：2011-02-01
用紙：膠版紙
頁數：317
具體描述
內容簡介
太陽能是一種重要的、新的、有效的可再生清潔能源，其儲量巨大，沒有環境汙染，充滿瞭誘人的前景。目前太陽能光電方麵的研究和應用在全世界範圍內方興未艾，相關太陽能光電工業發展迅速，是令人矚目的朝陽産業。本書介紹瞭太陽能及光電轉換的基本原理、太陽電池的基本結構和工藝，著重從材料製備和性能的角度齣發，闡述瞭主要的太陽能光電材料的基本製備原理、製備技術以及材料結構、組成對太陽電池的影響。太陽能光電材料包括直拉單晶矽、鑄造多晶矽、帶矽、非晶矽、多晶矽、GaAs、CdTe和CuInSe2（CuInS2）。
本書可供大專院校的半導體材料與器件、材料科學與工程以及太陽能光伏等能源領域的師生作為教學參考書，也可供從事相關研究和開發的太陽能相關行業科技工作者和企業工程師作為參考。
目錄
第1章 太陽能和光電轉換1.1 太陽能
1.2 太陽能輻射和吸收
1.3 太陽能光電的研究和應用曆史
1.4 太陽電池的研究和開發
參考文獻
第2章 太陽能光電材料及物理基礎
2.1 半導體材料和太陽能光電材料
2.2 載流子和能帶
2.3 雜質和缺陷能級
2.4 熱平衡下的載流子
2.5 非平衡少數載流子
2.6 p-n結
2.7 金屬-半導體接觸和MIS結構
2.8 太陽能光電轉換原理——光生伏特效應
參考文獻
第3章 太陽電池的結構和製備
3.1 太陽電池的結構和光電轉換效率
3.2 晶體矽太陽電池的基本工藝
3.3 薄膜太陽電池
參考文獻
第4章 單晶矽材料
4.1 矽的基本性質
4.2 太陽電池用矽材料
4.3 高純多晶矽的製備
4.4 太陽能級多晶矽的製備
4.5 區熔單晶矽
4.6 直拉單晶矽
4.7 矽晶片加工
參考文獻
第5章 直拉單晶矽中的雜質和位錯
5.1 直拉單晶矽中的氧
5.2 直拉單晶矽中的碳
5.3 直拉單晶矽中的金屬雜質
5.4 直拉單晶矽中的位錯
參考文獻
第6章 鑄造多晶矽
6.1 概述
6.2 鑄造多晶矽的製備工藝
6.3 鑄造多晶矽的晶體生長
參考文獻
第7章 鑄造多晶矽中的雜質和缺陷
7.1 鑄造多晶矽中的氧
7.2 鑄造多晶矽中的碳
7.3 鑄造多晶矽中的氮
7.4 鑄造多晶矽中的氫
7.5 鑄造多晶矽中的金屬雜質和吸雜
7.6 鑄造多晶矽中的晶界
7.7 鑄造多晶矽中的位錯
參考文獻
第8章 帶矽材料
8.1 帶矽材料的製備
8.2 帶矽生長的基本問題
8.3 帶矽材料的缺陷和雜質
8.4 帶矽材料的氫鈍化和吸雜
參考文獻
第9章 非晶矽薄膜
第10章 多晶矽薄膜
第11章 GaAs半導體材料
第12章 CdTe和CdS薄膜材料
第13章 CuInSe2（CuInS2）薄膜材料
用戶評價
評分
鑄造多V晶矽的晶體W生長
評分16條
評分帶矽材料的缺陷和雜質
評分(100%好評)
評分1.2
評分G￥63.20(8G摺)
評分燃料電池基礎
評分鑄造多晶矽中的金屬雜質和J吸雜
評分7.6
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