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德马德朗 著

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出版社： 哈尔滨工业大学出版社

ISBN：9787560345154

商品编码：29820852392

包装：平装

出版时间：2014-03-01

基本信息

书名：半导体数据手册 册

定价：128.00元

作者：(德)马德朗

出版社：哈尔滨工业大学出版社

出版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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马德朗编著的《半导体数据手册(附光盘下)/Springer手册精选原版系列》内容涉及四面体键的化合物特性的实验数据，三、四、五、六族元素特性的实验数据，各族元素的二元化合物特性的实验数据，各族元素的三元化合物特性的实验数据以及硼，过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据等主要方面，以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂志和缺陷等。对于必要的背景知识和近期的发展均有较为完整和详细的阐述，适合不同层次的群体用于学习和研究。本册23章包括更多元素，更多二元化合物，更多三元化合物。

目录

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C Further elements
11 Group III elements
　11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
　1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
　12.0 Crystal structure and electronic structure
　12.1 Phosphorus (P)
　12.2 Arsenic (As)
　12.3 Antimony (Sb)
　12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
　13.0 Crystal structure and electronic structure
　13.1 Sulfur (S)
　13.2 Selenium (Se)
　1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
　14.0 Crystal structure and electronic structure
　14.1 CsAu
　14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
　15.0 Crystal structure and electronic structure
　15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
　15.2 I3-Vpounds
　15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
　15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
　15.2.3 Na3Sb
　15.2.4 K3Sb
　15.2.5 Rb3Sb
　15.2.6 Cs3Sb
　15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
　15.3 I2-I-V pounds
　15.3.1 Na2KSb
　15.3.2 K2CsSb
　15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
　16.0 Crystal structure and electronic structure
　16.1 Cupric oxide (Cu0)
　16.2 Cuprous oxide (Cu20)
　16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
　16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
　16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
　16.6 Silver oxides (A9xOy)
　16.7 Silver sulfide (Ag2S)
　16.8 Silver selenide (Ag2Se)
　16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
　17.0 Crystal structure and electronic structure
　17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
　17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
　17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
　17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
　17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
　17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
　18.0 Crystal structure and electronic structure
　18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
　18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
　18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
　18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
　18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
　18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
　18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
　18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
　18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
　18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
　18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds
E Further Ternary Compounds
F Boron, Transition Metal and Rare Earth Compounds with Semiconducting Properties
G Ternary rare earth pounds

作者介绍

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文摘

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序言

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晶体管的神奇世界：从物理原理到现代应用 前言 我们生活在一个信息爆炸的时代，而支撑这一切的，正是那些微小却功能强大的电子元件——晶体管。从智能手机、电脑到汽车、飞机，几乎所有现代科技的基石都离不开晶体管的贡献。然而，对于许多人而言，晶体管的世界仿佛是深奥难懂的物理学和工程学的代名词，充满了晦涩的术语和复杂的电路图。本书正是为了打破这种隔阂而生，旨在以一种清晰、系统且富有启发性的方式，带领读者走进晶体管的奇妙领域。 我们将从最基础的物理原理出发，深入剖析晶体管的工作机制，揭示其背后蕴含的精妙物理现象。在此基础上，本书将逐步拓展到不同类型晶体管的特性、设计与制造工艺，并重点介绍它们在当今电子设备中的广泛应用。我们力求在保证科学严谨性的同时，用通俗易懂的语言解释复杂的概念，并通过丰富的图示和实例，帮助读者建立直观的理解。 本书的目标是让读者不仅了解晶体管“是什么”，更能明白“为什么”它能如此神奇地工作，以及“如何”它改变了我们的世界。无论您是电子工程专业的学生、科技爱好者，还是希望深入了解现代科技运作原理的普通读者，本书都将为您提供宝贵的知识和深刻的洞见。 第一章：半导体材料的奥秘 要理解晶体管，首先必须理解其核心——半导体材料。本章将带您穿越至微观世界，探索构成半导体世界的原子级别风景。 什么是半导体？ 我们将从物质的导电性出发，区分导体、绝缘体和半导体。解释半导体为何介于两者之间，它们的电学特性是如何随温度、光照等因素变化的。 硅的“秘密”： 硅作为最常见的半导体材料，其独特的原子结构和价电子行为是理解一切的基础。我们将详细介绍硅原子的电子排布，以及其形成共价键的特性。 本征半导体与杂质半导体： 了解纯净的硅（本征半导体）的导电能力为何有限，以及通过“掺杂”引入特定杂质（如磷、硼）如何能够极大地改变其导电性，进而形成N型和P型半导体。这将是理解PN结形成的关键。 载流子的舞蹈： 深入解析在N型半导体中占主导地位的电子，以及在P型半导体中起关键作用的空穴。理解它们是如何在电场作用下移动，形成电流的。 原子世界的“魔法”： 将使用类比和直观的图示，解释掺杂过程如何影响晶格结构，以及如何通过精密的控制来创造出具有特定电学性能的半导体材料。 第二章：PN结的诞生与原理 PN结是所有半导体器件的“细胞”，是晶体管工作的基本单元。本章将聚焦于PN结的形成过程及其核心电学特性。 P型与N型半导体的“相遇”： 描绘P型和N型半导体材料在微观层面接触时发生的一切。解释扩散作用如何导致电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区。 耗尽层： 深入剖析PN结形成过程中，在界面区域出现的“耗尽层”。解释为何在这个区域内载流子浓度极低，以及耗尽层为何会产生内建电场。 外加电压的影响： 正向偏置： 当外加电压使得PN结的P区为正，N区为负时，耗尽层变窄，内建电场减弱，载流子得以越过势垒，形成较大的正向电流。我们将详细解释这一过程的动态变化。 反向偏置： 当外加电压使得PN结的P区为负，N区为正时，耗尽层变宽，内建电场增强，载流子难以越过势垒，只有微小的反向漏电流。 击穿现象： 解释PN结在反向电压过高时可能发生的击穿现象，包括齐纳击穿和雪崩击穿，以及其背后的物理机制。 PN结的“单向导电性”： 总结PN结最重要的特性——只允许电流从P区流向N区（正向偏置），而不允许从N区流向P区（反向偏置）。这将是理解二极管和三极管功能的关键。 第三章：二极管：电流的“单行道” 二极管是利用PN结单向导电性制成的最简单的半导体器件。本章将深入探讨二极管的结构、工作原理和在电路中的应用。 二极管的结构与符号： 介绍不同类型的二极管，如整流二极管、稳压二极管、发光二极管（LED）、肖特基二极管等，以及它们在电路图中的标准符号。 工作原理回顾： 再次强调PN结在不同偏置下的行为，解释为何二极管能够实现“单向导电”。 伏安特性曲线： 绘制并分析二极管的伏安特性曲线，理解正向导通电压、反向漏电流和击穿电压等关键参数。 整流应用： 详细阐述二极管如何用于将交流电转换为直流电，包括半波整流和全波整流电路的原理和应用。 稳压与发光： 介绍稳压二极管（齐纳管）如何利用击穿特性实现电压稳定，以及发光二极管（LED）如何将电能转化为光能，并探讨其发光原理和色彩的产生。 其他特殊二极管： 简要介绍光电二极管、变容二极管等，展示二极管的多样化功能。 第四章：三极管（BJT）：电流的“放大器” 三极管，又称双极结型晶体管（BJT），是半导体技术中最重要的发明之一，实现了电流的放大。本章将深入解析其结构、工作原理和放大特性。 NPN型与PNP型三极管： 介绍三极管的基本结构，即由两个PN结串联组成，有发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）三个电极。详细解释NPN型和PNP型三极管的构造差异。 三极管的工作区域： 截止区： 基极电流为零或很小时，三极管不导通，处于关闭状态。 放大区： 基极电流对集电极电流有控制作用，集电极电流是基极电流的放大，实现电流放大功能。 饱和区： 集电极电流达到最大值，基极电流再增大也无法引起集电极电流的显著增加，相当于开关的“开”状态。 电流放大原理： 核心在于“注入”和“收集”。发射极注入大量载流子到基极，基极载流子数量较少，大部分载流子能够扩散到集电极，形成集电极电流，而微小的基极电流可以控制这个过程。 电流放大系数（β）： 定义并解释直流和交流电流放大系数，这是衡量三极管放大能力的重要参数。 共射极、共基极、共集电极放大电路： 介绍三种基本的三极管放大电路组态，分析它们在电压增益、电流增益、输入电阻和输出电阻方面的特点，以及各自的应用场景。 三极管作为开关： 解释如何利用三极管在截止区和饱和区之间切换，实现数字电路中的开关功能。 第五章：场效应晶体管（FET）：电压的“控制器” 场效应晶体管（FET）是与BJT并驾齐驱的另一类重要晶体管，其控制方式是电压控制，并且具有更高的输入阻抗。本章将聚焦于FET的类型、工作原理和应用。 FET的基本原理： 解释FET的工作原理是利用电场来控制半导体沟道中的载流子浓度，从而改变沟道的导电性。 结型场效应管（JFET）： 介绍JFET的结构，以及其栅极（Gate）和沟道（Channel）之间的PN结如何通过改变反向偏置电压来控制沟道宽度和导电性。 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）： 增强型MOSFET： 介绍其结构，即通过栅极电压在绝缘层下方感应出导电沟道，从而实现导通。 耗尽型MOSFET： 介绍其结构，即本身就存在沟道，可以通过栅极电压来“耗尽”沟道中的载流子，减小导电性。 P沟道与N沟道MOSFET： 解释不同类型的MOSFET，以及它们在沟道载流子类型上的差异。 MOSFET的工作区域： 截止区、线性区（或称欧姆区）和饱和区，并解释各区域下的工作特性。 MOSFET的优势： 强调MOSFET具有极高的输入阻抗，几乎不消耗输入电流，以及其优异的集成能力，使其成为现代集成电路的主流。 CMOS技术： 介绍互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，它是现代数字集成电路设计的核心，结合了P沟道和N沟道MOSFET的优点，实现了低功耗和高速度。 第六章：晶体管的制造工艺：从沙子到芯片 看到令人惊叹的微小集成电路，您是否好奇它们是如何被制造出来的？本章将带您走进晶圆厂，了解晶体管制造的复杂而精密的流程。 从硅晶圆开始： 介绍高纯度硅的提炼过程，以及如何将硅拉制成单晶圆。 光刻技术： 解释光刻（Photolithography）在集成电路制造中的核心作用，如何利用紫外光和掩膜板将电路图案精确地转移到硅片上。 掺杂与离子注入： 详细介绍如何通过扩散和离子注入技术，精确地在硅片上引入特定杂质，形成N型和P型区域。 薄膜沉积： 介绍各种薄膜沉积技术（如化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD），如何为晶体管的各个层（如绝缘层、金属连接层）提供精确的材料。 刻蚀技术： 解释干法刻蚀（如等离子刻蚀）和湿法刻蚀，如何精确地去除不需要的材料，塑造出晶体管的立体结构。 互连技术： 介绍如何在晶体管之间以及芯片与外部之间建立连接，包括多层金属布线技术。 测试与封装： 简述芯片在制造完成后的电学测试，以及如何将裸露的芯片封装起来，形成我们熟悉的电子元器件。 摩尔定律的挑战与未来： 探讨集成电路制造工艺不断进步的趋势，以及当前面临的物理极限和未来的发展方向。 第七章：晶体管的应用：无处不在的智能 晶体管作为信息时代的基石，其应用范围之广令人惊叹。本章将通过生动的实例，展示晶体管在各个领域的关键作用。 数字逻辑电路： 逻辑门： 解释晶体管如何构成最基本的逻辑门（与门、或门、非门、异或门等），这是构建所有数字系统的基础。 微处理器： 介绍微处理器（CPU）的复杂结构，其中包含数十亿甚至数万亿个晶体管，它们协同工作，执行计算和控制任务。 存储器： 解释动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）等存储单元是如何利用晶体管来实现数据的存储和读取。 模拟电路： 放大器： 回顾晶体管的放大能力，介绍运算放大器（Op-amp）等高性能模拟集成电路，它们在信号处理、滤波、振荡等方面发挥着重要作用。 射频电路： 探讨晶体管在无线通信中的应用，如手机、Wi-Fi、蓝牙等设备中的信号发射和接收电路。 消费电子产品： 智能手机与平板电脑： 详细分析这些设备内部的核心芯片，包括中央处理器、图形处理器、存储控制器等，它们都由数以亿计的晶体管构成。 电视、冰箱、空调等家电： 介绍晶体管在这些家电的控制电路、显示驱动、电源管理等方面的应用。 通信与网络： 基站与路由器： 探讨晶体管在通信基础设施中的作用，负责信号的传输、交换和处理。 汽车电子： 发动机控制单元（ECU）、安全系统： 介绍晶体管在汽车的智能化和自动化方面扮演的关键角色。 工业自动化与医疗设备： 机器人、传感器、诊断仪器： 展现晶体管如何驱动现代工业生产和精密医疗的进步。 第八章：晶体管的未来展望 尽管晶体管技术已经取得了巨大的成就，但其发展从未停止。本章将展望晶体管技术的未来趋势和挑战。 超越硅的材料： 探讨除了硅之外，如砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等新型半导体材料在特定领域的应用潜力，以及它们在高性能电子器件上的优势。 三维堆叠与异构集成： 介绍将多个芯片或不同功能的器件垂直堆叠的3D集成技术，以及异构集成如何将不同工艺制造的器件组合在一起，以提升性能和功能。 量子计算与超越摩尔定律： 简要介绍量子计算的兴起，以及它与传统晶体管在计算范式上的根本区别。探讨“超越摩尔定律”的各种创新思路，如新器件结构、新型计算架构等。 人工智能与边缘计算： 分析AI芯片的特殊需求，以及如何利用晶体管技术设计出更高效、更低功耗的AI处理器，支持边缘计算的发展。 可持续发展与绿色电子： 探讨在半导体制造过程中如何减少能源消耗和环境影响，以及如何设计更节能的电子器件。 结语 从最初的锗管，到如今纳米级的硅晶体管，晶体管的发展历程就是一部人类智慧不断突破极限的史诗。它们以肉眼难以察觉的微小身躯，承载着海量的信息，驱动着我们日益智能化的世界。本书希望能够为您打开一扇通往这个神奇世界的大门，让您对我们身边无处不在的科技有更深入的理解和更由衷的惊叹。愿您在阅读本书的过程中，能够体会到科学的魅力，激发对探索未知的热情。

评分☆☆☆☆☆

评价七 说实话，我以前对“数据手册”这个概念，总有一种莫名的抵触。总觉得那是一堆堆枯燥无味的数字和符号，离我的生活太遥远。直到我拿到这本《半导体数据手册》，我才发现自己以前的认知有多么狭隘。这本书，与其说是一本“数据手册”，不如说是一部关于现代电子科技的“百科全书”。它不仅仅是罗列了各种半导体器件的规格，更重要的是，它用一种非常易于理解的方式，将这些复杂的元器件背后的工作原理、特性以及它们在不同应用场景下的表现，都描绘得淋漓尽致。我印象最深刻的是，书中对不同类型晶体管的讲解。它不仅仅给出了BJT和MOSFET的电流电压特性曲线，还详细对比了它们在不同应用中的优缺点，例如在开关速度、驱动损耗、线性度等方面的差异。这让我能够根据具体的电路需求，做出更明智的器件选择。此外，书中还包含了一些非常实用的章节，例如关于可靠性分析、电磁兼容性设计以及一些新兴的半导体技术介绍。这些内容，都极大地拓展了我的视野，让我能够站在更高的层面去理解整个半导体行业的发展趋势。我曾经因为对某个器件的可靠性评估不足，导致产品在实际使用中出现了意想不到的故障。有了这本书，我能够提前了解到相关的可靠性指标，并采取相应的预防措施。这本书让我感受到了知识的力量，也让我对未来的科技发展充满了期待。

评分☆☆☆☆☆

评价三 《半导体数据手册》这本书，对于我这样一个长期在研发一线工作的工程师来说，简直就是“救命稻草”。我们平时的工作节奏非常快，需要在短时间内完成大量的器件选型和性能评估。过去的经验是，我们常常需要依赖厂商提供的厚厚一叠印刷版数据手册，或者是在线查找各种零散的PDF文件，这不仅效率低下，而且信息容易出错，甚至有时会因为版本更新不及时而造成巨大的损失。这本书的出现，彻底改变了我的工作模式。它将市面上最常见、最常用的半导体器件的详细数据进行了系统性的整理和归纳，涵盖了各种不同类型和规格的产品。每一个器件的资料都非常完整，包括但不限于电气特性、热特性、封装信息、可靠性数据以及一些关键的应用注意事项。最让我赞赏的是，它还提供了很多用于快速选型的表格和图表，例如不同应用的推荐器件列表、主要参数的对比表格等。这使得我们在进行初步方案设计时，可以快速地筛选出符合要求的候选器件，极大地节省了宝贵的研发时间。而且，这本书的排版设计也非常人性化，采用了大字体、清晰的图表和合理的章节划分，即便是长时间阅读，也不会感到疲劳。我甚至将其中的一些数据参数，与我们实验室的测试结果进行对比，发现其数据的准确性和可靠性都非常高，与厂商的官方数据基本一致。这本书就像是我工作中的一个可靠的“军师”，为我提供了最直接、最权威的参考依据，让我能够更加自信地进行技术决策。

评分☆☆☆☆☆

评价八 拿到《半导体数据手册》这本书，我有一种“寻宝”的感觉。因为在我的工作和学习过程中，我常常会遇到各种各样关于半导体器件的问题，而这些问题的答案，往往分散在各种零散的技术文档和论坛中，查找起来耗时耗力。这本书就像是一个集大成者，将市面上最常见、最重要、最常用的半导体器件的详细数据，进行了系统性的整理和归纳。我尤其喜欢它在介绍每个器件时，都会提供多种不同规格的型号，并给出详细的参数对比。这使得我在进行器件选型时，能够非常方便地比较不同型号的优劣，从而选择出最适合的器件。书中的图表设计也堪称一绝，很多复杂的特性曲线都被绘制得非常清晰，而且标注准确。我曾经因为对某个低功耗蓝牙芯片的功耗特性不理解，导致电池续航不达标。有了这本书，我能够直接找到其在不同工作模式下的功耗曲线，并精确地估算出实际的续航时间，从而优化了我的设计。此外，书后附带的常用术语解释和单位换算表格，也为我的工作提供了极大的便利。这本书让我感受到了一种“一切尽在掌握”的自信，它让我在面对复杂的半导体技术问题时，能够胸有成竹，从容应对。我非常庆幸能够拥有这本书，它是我在半导体领域探索道路上的一位忠实伙伴。

评分☆☆☆☆☆

评价十 作为一个曾经在半导体行业摸爬滚打多年的老兵，我深知一本高质量数据手册的重要性。《半导体数据手册》这本书，无疑是我近些年看到过的最优秀的一本。它不仅仅是收录了海量的器件数据，更重要的是，它以一种非常系统、严谨、权威的方式，将这些数据进行了梳理和呈现。从最基础的PN结二极管，到复杂的FPGA、ASIC，书中几乎涵盖了所有重要的半导体器件类型。我尤其欣赏它在介绍每一个器件时，都会提供详细的参数表格，并且对每一个参数都进行了清晰的解释。例如，在讲解二极管的“反向漏电流”时，它会给出不同温度下的典型值，并解释其对电路性能的影响。这使得我们在进行器件选型和电路设计时，能够做到心中有数，避免出现不必要的风险。书中的插图和图表设计也非常专业，很多复杂的器件结构图、参数曲线图都绘制得非常清晰，而且标注准确。我曾经因为对某个功率半导体器件的散热特性评估不足，导致产品在高温环境下出现过热降额。有了这本书，我能够直接找到其热阻参数和不同散热条件下的结温估算方法，从而优化了我的散热设计。这本书就像是一位老练的“参谋”，为我提供了最权威、最可靠的参考依据，让我能够更加自信地进行技术决策，也让我对半导体技术的发展有了更深的理解和感悟。

评分☆☆☆☆☆

评价一 拿到这本《半导体数据手册》的时候，我心里其实是挺忐忑的。毕竟“数据手册”这个名字就带着一种枯燥和专业的气息，我怕它会成为一本我买来落灰的工具书，只在偶尔遇到极度需要的时候才去翻一翻。然而，翻开第一页，我就被它严谨而又清晰的排版所吸引。书中的插图和图表都非常精美，而且标注得一目了然，即使是一些非常复杂的半导体器件的内部结构，也能通过这些图示得到一个直观的理解。我尤其喜欢它在讲解每个器件的特性时，都会提供一系列不同工况下的参数曲线，这对于我这种需要进行实际电路设计的人来说，简直是福音。我曾经为了弄清楚一个MOSFET在不同温度下的漏极电流特性，花费了无数时间在各种零散的论坛和技术文档中搜索，效率低下不说，结果还常常模棱两可。有了这本书，我只需要在相应的章节找到那个型号，所有的关键数据都在那里，而且是以一种非常有条理的方式呈现出来。它不是简单地罗列数字，而是会结合实际应用场景，给出一些初步的选型建议和注意事项，这对于初学者来说，无疑是极大的帮助，能够避免走不少弯路。此外，书后附带的各个半导体厂商的官方网站链接和部分常用器件的选型指南，也极大地提升了我的工作效率。我真的觉得，这本书不仅仅是一本“数据手册”，更像是一位经验丰富的工程师，在潜心指导你如何在这个庞大的半导体世界里游刃有余。它让我感受到了知识的力量，也让我对半导体技术有了更深层次的敬畏和热爱。

评分☆☆☆☆☆

评价六 我一直相信，真正的“干货”往往藏在最朴实无华的外表之下。《半导体数据手册》这本书，就是这样一个绝佳的例子。它的封面设计并没有什么花哨之处，但正是这种低调的风格，让我觉得它更加专注于内容本身。当我打开它时，我被它严谨而又全面的内容所深深震撼。它不仅仅是收录了市面上常见的半导体器件，更是对每一个器件的每一个重要参数都进行了详尽的阐述和解释。我尤其赞赏它在描述一些关键参数时，会给出其物理意义、测量方法以及在实际应用中的影响。例如，在讲解电容的ESR（等效串联电阻）时，它不仅给出了数值范围，还详细解释了ESR过大会对电路性能造成什么样的影响，以及如何通过测量ESR来判断电容的好坏。这种深入的讲解，让我不再是死记硬背那些冷冰冰的数字，而是能够真正理解它们背后的含义。书中的图表也做得非常用心，很多关键的参数曲线都绘制得非常清晰，而且标注准确。我曾经因为对一个肖特基二极管的正向压降随电流变化的关系不理解，导致电路效率不高。有了这本书，我能够直接找到对应的曲线，并准确地估算出在不同电流下的压降，从而优化了我的设计。这本书就像一个无私的导师，将它所掌握的知识毫无保留地传授给我，让我能够从一个“知其然”的学习者，逐渐成长为一个“知其所以然”的实践者。

评分☆☆☆☆☆

评价四 我一直认为，真正的学习不在于记住多少知识点，而在于能否将知识融会贯通，并应用于实际。这一点，《半导体数据手册》这本书做到了极致。它不仅仅是一本罗列参数的工具书，更像是一本深入浅出的教材，将半导体器件的原理、特性和应用有机地结合在一起。我尤其欣赏它在介绍每个器件时，都附带了对该器件工作原理的简要阐述，这对于我这样非电子专业背景的读者来说，至关重要。通过这些原理性的讲解，我能够理解为什么这个器件会有这样的参数，为什么在某种条件下它的性能会发生变化。这种“知其然，知其所以然”的学习方式，让我对半导体技术有了更深刻的认识，也让我能够举一反三，触类旁通。书中的应用示例部分也做得非常出色，它不仅仅是展示一个简单的电路图，而是会针对每个应用场景，详细分析所选器件的参数如何影响电路的性能，以及在实际设计中需要注意哪些细节。比如，在介绍驱动电路时，它会详细讲解不同类型MOSFET的栅极驱动要求，以及如何选择合适的驱动芯片。这种理论与实践的紧密结合，让我能够更好地理解这些数据在实际应用中的价值。我曾经因为对某个器件的参数理解不清，导致电路不稳定，浪费了大量的时间去调试。现在，我能够通过这本书，快速找到原因，并给出解决方案。它让我的学习过程变得更加高效，也让我对自己的学习能力充满了信心。

评分☆☆☆☆☆

评价五 作为一名在校的电子工程系学生，《半导体数据手册》这本书对我来说，几乎是“必备品”。在课堂上，老师会教授很多理论知识，但往往限于时间，讲解的深度和广度都会受到限制。而这本书，就像是一位不知疲倦的辅导老师，为我提供了海量的、系统性的、权威的知识。它几乎涵盖了我课程中所涉及到的所有主流半导体器件，而且信息量非常大。从最基础的二极管、三极管，到复杂的数字逻辑芯片、微处理器，它都提供了详细的参数和性能指标。我特别喜欢它在每个器件类型下的分类方式，非常清晰，而且会根据不同的应用领域进行细分，例如模拟器件、数字器件、功率器件等等。这让我能够根据自己的学习重点，快速找到相关的资料。书中的插图和表格设计也十分精美，让我能够直观地理解复杂的半导体结构和工作波形。我曾经为了理解某个高频运放的噪声系数，在网上查找了很久，结果信息混乱，难以辨别。而在这本书里，我能够找到清晰的噪声系数曲线图，以及对这些曲线的详细解释，让我立刻豁然开朗。此外，书后附带的一些术语解释和行业标准参考，也为我的学术研究提供了 invaluable 的支持。我常常将这本书带到实验室，在做实验时随时查阅，它已经成为了我学习过程中不可或缺的一部分，让我能够更自信、更深入地理解和掌握半导体技术。

评分☆☆☆☆☆

评价九 坦白说，《半导体数据手册》这本书，在我拿到之前，我曾经对它的实用性产生过一丝疑虑。毕竟，“数据手册”听起来总有一种冰冷、生硬的感觉，我担心它会像很多“炫技”的书籍一样，内容晦涩难懂，与实际应用脱节。然而，当我翻开它的时候，我所有的疑虑都被打消了。这本书的作者，显然是一位经验丰富的工程师，他不仅仅是简单地罗列了数据，更是将这些数据融入到了具体的应用场景之中。我最喜欢的是，它在介绍每一个半导体器件时，都会配上非常详细的电路应用示例，并对电路的工作原理、性能特点以及关键的选型考量进行深入的分析。例如，在讲解如何选择合适的音频放大器时，它会详细介绍不同类型放大器的失真度、信噪比、输出功率等参数，以及这些参数对音质的影响，并给出了具体的选型表格。这种“由点到面”的讲解方式，让我能够清晰地理解数据背后的价值。我曾经因为对某个高压MOSFET的击穿电压理解不足，导致电路损坏。有了这本书，我能够清晰地看到不同电压等级的MOSFET的击穿特性曲线，并选择出安全裕度足够的器件。这本书让我感受到了知识的温度，也让我对半导体技术有了更直观、更深刻的认识。它不仅仅是一本工具书，更像是一本“实战指南”，为我提供了宝贵的实践经验。

评分☆☆☆☆☆

评价二 说实话，我一开始被《半导体数据手册》吸引，纯粹是因为我对这个领域有着一股莫名的好奇心。我并非科班出身，工作上接触到半导体器件也只是皮毛，对于那些复杂的参数和型号，我一直以来都只是“听过”，但从未真正“懂过”。这本书的出现，就像是一盏明灯，照亮了我对这个领域的探索之路。它最令我印象深刻的是，在介绍每一个基础的半导体元件（比如二极管、三极管、场效应管等）时，不仅仅是给出了技术参数，更是配上了非常详细的原理讲解。这些讲解，用词虽然专业，但逻辑清晰，深入浅出，甚至用了一些非常生动的比喻来帮助我们理解抽象的概念，比如将PN结的导通比作水龙头的水流，将载流子迁移想象成在迷宫中穿梭的蚂蚁。这种由浅入深的讲解方式，极大地降低了我的学习门槛。我不再是被动地记忆一堆数据，而是开始理解这些数据背后所代表的物理意义和工作原理。更让我惊喜的是，书中还包含了一些非常实用的应用电路示例，并对这些电路的性能特点进行了详细分析。这让我能够将理论知识与实际应用联系起来，看到这些看似冰冷的数据是如何在实际的电子产品中发挥作用的。我甚至尝试着根据书中的示例，在面包板上搭建了一些简单的电路，并用万用表测量其参数，这种实践的乐趣和成就感是难以言喻的。这本书让我从一个旁观者，变成了一个能够初步参与到电子世界构建中的实践者，这种蜕变，我将永远铭记。