过电应力(EOS)器件、电路与系统 9787111523185 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

史蒂文 H.沃尔德曼 著

图书标签:

• 电力电子
• 过电应力
• EOS
• 器件
• 电路
• 系统
• 可靠性
• 保护
• 半导体
• 电力系统

店铺： 一鸿盛世图书专营店

出版社： 机械工业出版社

ISBN：9787111523185

商品编码：29804856189

包装：平装

出版时间：2016-03-01

基本信息

书名：过电应力(EOS)器件、电路与系统

定价：79.00元

作者：史蒂文 H.沃尔德曼

出版社：机械工业出版社

出版日期：2016-03-01

ISBN：9787111523185

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

---

由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小，过电应力（EOS）持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片，也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点，同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。

内容提要

---

本书系统地介绍了过电应力（EOS）器件、电路与系统设计，并给出了大量实例，将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制，EOS电路与系统设计及EDA，半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来，本书是一本重要的参考书，同时也是面向现代技术问题有益的启示。本书主要面向需要学习和参考EOS相关设计的工程师，或需要学习EOS相关知识的微电子科学与工程和集成电路设计专业高年级本科生和研究生。

目录

---

目录

译者序

作者简介

原书前言

致谢

章EOS基本原理1

1.1EOS1

1.1.1EOS成本2

1.1.2产品现场返回——EOS百分比2

1.1.3产品现场返回——无缺陷与EOS3

1.1.4产品失效——集成电路的失效3

1.1.5EOS事件的分类3

1.1.6过电流5

1.1.7过电压5

1.1.8过电功率5

1.2EOS解密6

1.2.1EOS事件6

1.3EOS源7

1.3.1制造环境中的EOS源7

1.3.2生产环境中的EOS源8

1.4EOS的误解8

1.5EOS源小化9

1.6EOS减缓9

1.7EOS损伤迹象10

1.7.1EOS损伤迹象——电气特征10

1.7.2EOS损伤迹象——可见特征10

1.8EOS与ESD11

1.8.1大/小电流EOS与ESD事件比较12

1.8.2EOS与ESD的差异 12

1.8.3EOS与ESD的相同点14

1.8.4大/小电流EOS与ESD波形比较14

1.8.5EOS与ESD事件失效损伤比较14

1.9EMI16

1.10EMC16

1.11过热应力17

1.11.1EOS与过热应力17

1.11.2温度相关的EOS18

1.11.3EOS与熔融温度18

1.12工艺等比例缩小的可靠性19

1.12.1工艺等比例缩小可靠性与浴盆曲线可靠性19

1.12.2可缩放的可靠性设计框20

1.12.3可缩放的ESD设计框20

1.12.4加载电压、触发电压和大电压20

1.13安全工作区21

1.13.1电气安全工作区22

1.13.2热安全工作区22

1.13.3瞬态安全工作区22

1.14总结及综述 23

参考文献24

第2章EOS模型基本原理30

2.1热时间常数30

2.1.1热扩散时间30

2.1.2绝热区时间常数31

2.1.3热扩散区时间常数32

2.1.4稳态时间常数32

2.2脉冲时间常数32

2.2.1ESD HBM脉冲时间常数32

2.2.2ESD MM脉冲时间常数33

2.2.3ESD充电器件模型脉冲时间常数33

2.2.4ESD脉冲时间常数——传输线脉冲33

2.2.5ESD脉冲时间常数——超快传输线脉冲34

2.2.6IEC61000-4-2脉冲时间常数 34

2.2.7电缆放电事件脉冲时间常数 34

2.2.8IEC61000-4-5脉冲时间常数 35

2.3EOS数学方法 35

2.3.1EOS数学方法——格林函数35

2.3.2EOS数学方法——图像法37

2.3.3EOS数学方法——热扩散偏微分方程39

2.3.4EOS数学方法——带变系数的热扩散偏微分方程39

2.3.5EOS数学方法——Duhamel公式39

2.3.6EOS数学方法——热传导方程积分变换43

2.4球面模型——Tasca推导46

2.4.1ESD时间区域的Tasca模型49

2.4.2EOS时间区域的Tasca模型49

2.4.3Vlasov-Sinkevitch模型50

2.5一维模型——Wunsch-Bell推导50

2.5.1Wunsch-Bell曲线53

2.5.2ESD时间区域的Wunsch-Bell模型53

2.5.3EOS时间区域的Wunsch-Bell模型54

2.6Ash模型 54

2.7圆柱模型——Arkhipov-Astvatsaturyan-Godovsyn-Rudenko推导 55

2.8三维平行六面模型——Dwyer-Franklin-Campbell推导55

2.8.1ESD时域的Dwyer-Franklin-Campbell模型60

2.8.2EOS时域的Dwyer-Franklin-Campbell模型60

2.9电阻模型——Smith-Littau推导61

2.10不稳定性63

2.10.1电气不稳定性63

2.10.2电气击穿 64

2.10.3电气不稳定性与骤回64

2.10.4热不稳定性65

2.11电迁移与EOS67

2.12总结及综述 67

参考文献68

第3章EOS、ESD、EMI、EMC及闩锁70

3.1EOS源70

3.1.1EOS源——雷击71

3.1.2EOS源——配电72

3.1.3EOS源——开关、继电器和线圈72

3.1.4EOS源——开关电源72

3.1.5EOS源——机械设备73

3.1.6EOS源——执行器 73

3.1.7EOS源——螺线管 73

3.1.8EOS源——伺服电动机73

3.1.9EOS源——变频驱动电动机75

3.1.10EOS源——电缆 75

3.2EOS失效机制76

3.2.1EOS失效机制：半导体工艺—应用适配76

3.2.2EOS失效机制：绑定线失效76

3.2.3EOS失效机制：从PCB到芯片的失效77

3.2.4EOS失效机制：外接负载到芯片失效78

3.2.5EOS失效机制：反向插入失效78

3.3失效机制——闩锁或EOS78

3.3.1闩锁与EOS设计窗口79

3.4失效机制——充电板模型或EOS79

3.5总结及综述80

参考文献80

第4章EOS失效分析83

4.1EOS失效分析83

4.1.1EOS失效分析——信息搜集与实情发现85

4.1.2EOS失效分析——失效分析报告及文档86

4.1.3EOS失效分析——故障点定位 87

4.1.4EOS失效分析——根本原因分析87

4.1.5EOS或ESD失效分析——可视化失效分析的差异87

4.2EOS失效分析——选择正确的工具91

4.2.1EOS失效分析——无损检测方法92

4.2.2EOS失效分析——有损检测方法93

4.2.3EOS失效分析——差分扫描量热法93

4.2.4EOS失效分析——扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱仪94

4.2.5EOS失效分析——傅里叶变换红外光谱仪94

4.2.6EOS失效分析——离子色谱法 94

4.2.7EOS失效分析——光学显微镜 95

4.2.8EOS失效分析——扫描电子显微镜96

4.2.9EOS失效分析——透射电子显微镜96

4.2.10EOS失效分析——微光显微镜工具97

4.2.11EOS失效分析——电压对比工具98

4.2.12EOS失效分析——红外热像仪98

4.2.13EOS失效分析——光致电阻变化工具99

4.2.14EOS失效分析——红外-光致电阻变化工具99

4.2.15EOS失效分析——热致电压变化工具100

4.2.16EOS失效分析——原子力显微镜工具101

4.2.17EOS失效分析——超导量子干涉仪显微镜102

4.2.18EOS失效分析——皮秒级成像电流分析工具103

4.3总结及综述105

参考文献106

第5章EOS测试和仿真109

5.1ESD测试——器件级109

5.1.1ESD测试——人体模型109

5.1.2ESD测试——机器模型111

5.1.3ESD测试——带电器件模型113

5.2传输线脉冲测试114

5.2.1ESD测试——传输线脉冲115

5.2.2ESD测试——超高速传输线脉冲117

5.3ESD测试——系统级118

5.3.1ESD系统级测试——IEC 61000-4-2118

5.3.2ESD测试——人体金属模型118

5.3.3ESD测试——充电板模型119

5.3.4ESD测试——电缆放电事件120

5.4EOS测试122

5.4.1EOS测试——器件级122

5.4.2EOS测试——系统级123

5.5EOS测试——雷击123

5.6EOS测试——IEC 61000-4-5124

5.7EOS测试——传输线脉冲测试方法和EOS125

5.7.1EOS测试——长脉冲TLP测试方法125

5.7.2EOS测试——TLP方法、EOS和Wunsch–Bell模型125

5.7.3EOS测试——对于系统EOS评估的TLP方法的局限125

5.7.4EOS测试——电磁脉冲126

5.8EOS测试——直流和瞬态闩锁126

5.9EOS测试——扫描方法127

5.9.1EOS测试——敏感度和脆弱度127

5.9.2EOS测试——静电放电/电磁兼容性扫描127

5.9.3电磁干扰辐射扫描法129

5.9.4射频抗扰度扫描法130

5.9.5谐振扫描法131

5.9.6电流传播扫描法131

5.10总结及综述134

参考文献134

第6章EOS鲁棒性——半导体工艺139

6.1EOS和CMOS工艺139

6.1.1CMOS工艺——结构 139

6.1.2CMOS工艺——安全工作区140

6.1.3CMOS工艺——EOS和ESD失效机制141

6.1.4CMOS工艺——保护电路144

6.1.5CMOS工艺——绝缘体上硅148

6.1.6CMOS工艺——闩锁149

6.2EOS、射频CMOS以及双极技术150

6.2.1RF CMOS和双极技术——结构151

6.2.2RF CMOS和双极技术——安全工作区151

6.2.3RF CMOS和双极工艺——EOS和ESD失效机制151

6.2.4RF CMOS和双极技术——保护电路155

6.3EOS和LDMOS电源技术156

6.3.1LDMOS工艺——结构156

6.3.2LDMOS晶体管——ESD电气测量159

6.3.3LDMOS工艺——安全工作区160

6.3.4LDMOS工艺——失效机制160

6.3.5LDMOS工艺——保护电路162

6.3.6LDMOS工艺——闩锁163

6.4总结和综述164

参考文献164

第7章EOS设计——芯片级设计和布图规划165

7.1EOS和ESD协同综合——如何进行EOS和ESD设计165

7.2产品定义流程和技术评估 166

7.2.1标准产品确定流程 166

7.2.2EOS产品设计流程和产品定义 167

7.3EOS产品定义流程——恒定可靠性等比例缩小168

7.4EOS产品定义流程——自底向上的设计 168

7.5EOS产品定义流程——自顶向下的设计 169

7.6片上EOS注意事项——焊盘和绑定线设计170

7.7EOS外围I/O布图规划 171

7.7.1EOS周边I/O布图规划——拐角中VDD-VSS电源钳位的布局171

7.7.2EOS周边I/O布图规划——离散式电源钳位的布局173

7.7.3EOS周边I/O布图规划——多域半导体芯片173

7.8EOS芯片电网设计——符合IEC规范电网和互连设计注意事项174

7.8.1IEC 61000-4-2电源网络175

7.8.2ESD电源钳位设计综合——IEC 61000-4-2相关的ESD电源钳位176

7.9PCB设计177

7.9.1系统级电路板设计——接地设计177

7.9.2系统卡插入式接触 178

7.9.3元件和EOS保护器件布局178

7.10总结和综述 179

参考文献179

第8章EOS设计——芯片级电路设计181

8.1EOS保护器件 181

8.2EOS保护器件分类特性181

8.2.1EOS保护器件分类——电压抑制器件182

8.2.2EOS保护器件——限流器件 182

8.3EOS保护器件——方向性184

8.3.1EOS保护器件——单向184

8.3.2EOS保护器件——双向184

8.4EOS保护器件分类——I-V特性类型 185

8.4.1EOS保护器件分类——正电阻I-V特性类型185

8.4.2EOS保护器件分类——S形I-V特性类型 186

8.5EOS保护器件设计窗口187

8.5.1EOS保护器件与ESD器件设计窗口187

8.5.2EOS与ESD协同综合 188

8.5.3EOS启动ESD电路 188

8.6EOS保护器件——电压抑制器件的类型 188

8.6.1EOS保护器件——TVS器件189

8.6.2EOS保护器件——二极管189

8.6.3EOS保护器件——肖特基二极管189

8.6.4EOS保护器件——齐纳二极管190

8.6.5EOS保护器件——晶闸管浪涌保护器件190

8.6.6EOS保护器件——金属氧化物变阻器 191

8.6.7EOS保护器件——气体放电管器件192

8.7EOS保护器件——限流器件类型 194

8.7.1EOS保护器件——限流器件——PTC器件194

8.7.2EOS保护器件——导电聚合物器件 195

8.7.3EOS保护器件——限流器件——熔丝197

8.7.4EOS保护器件——限流器件——电子熔丝198

8.7.5EOS保护器件——限流器件——断路器198

8.8EOS保护——使用瞬态电压抑制器件和肖特基二极管跨接电路板的电源和地200

8.9EOS和ESD协同综合网络200

8.10电缆和PCB中的EOS协同综合201

8.11总结和综述 202

参考文献202

第9章EOS的预防和控制204

9.1控制EOS 204

9.1.1制造中的EOS控制 204

9.1.2生产中的EOS控制 204

9.1.3后端工艺中的EOS控制205

9.2EOS小化206

9.2.1EOS预防——制造区域操作 207

9.2.2EOS预防——生产区域操作 208

9.3EOS小化——设计过程中的预防措施209

9.4EOS预防——EOS方针和规则 209

9.5EOS预防——接地测试209

9.6EOS预防——互连210

9.7EOS预防——插入210

9.8EOS和EMI预防——PCB设计210

9.8.1EOS和EMI预防——PCB电源层和接地设计210

9.8.2EOS和EMI预防——PCB设计指南——器件挑选和布局211

9.8.3EOS和EMI预防——PCB设计准则——线路布线与平面211

9.9EOS预防——主板213

9.10EOS预防——板上和片上设计方案213

9.10.1EOS预防——运算放大器213

9.10.2EOS预防——低压差稳压器214

9.10.3EOS预防——软启动的过电流和过电压保护电路214

9.10.4EOS预防——电源EOC和EOV保护215

9.11高性能串行总线和EOS217

9.11.1高性能串行总线——FireWire和EOS218

9.11.2高性能串行总线——PCI和EOS218

9.11.3高性能串行总线——USB和EOS219

9.12总结和综述219

参考文献219

0章EOS设计——电子设计自动化223

10.1EOS和EDA 223

10.2EOS和ESD设计规则检查223

10.2.1ESD设计规则检查 223

10.2.2ESD版图与原理图验证224

10.2.3ESD电气规则检查225

10.3EOS电气设计自动化226

10.3.1EOS设计规则检查226

10.3.2EOS版图与原理图对照验证227

10.3.3EOS电气规则检查228

10.3.4EOS可编程电气规则检查229

10.4PCB设计检查和验证229

10.5EOS和闩锁设计规则检查231

10.5.1闩锁设计规则检查 231

10.5.2闩锁电气规则检查 235

10.6总结和综述238

参考文献239

1章EOS项目管理242

11.1EOS审核和生产的控制242

11.2生产过程中的EOS控制243

11.3EOS和组装厂纠正措施244

11.4EOS审核——从制造到组装控制244

11.5EOS程序——周、月、季度到年度审核245

11.6EOS和ESD设计发布 245

11.6.1EOS设计发布过程246

11.6.2ESD详尽手册246

11.6.3EOS详尽手册248

11.6.4EOS检查表250

11.6.5EOS设计审查252

11.7EOS设计、测试和认证253

11.8总结和综述253

参考文献253

2章未来技术中的过电应力256

12.1未来工艺中的EOS影响256

12.2先进CMOS工艺中的EOS257

12.2.1FinFET技术中的EOS257

12.2.2EOS和电路设计258

12.32.5-D和3-D系统中的EOS意义258

12.3.12.5-D中的EOS意义259

12.3.2EOS和硅介质层 259

12.3.3EOS和硅通孔260

12.3.43-D系统的EOS意义262

12.4EOS和磁记录263

12.4.1EOS和磁电阻263

12.4.2EOS和巨磁电阻265

12.4.3EOS和隧道磁电阻265

12.5EOS和微机265

12.5.1微机电器件265

12.5.2MEM器件中的ESD担忧266

12.5.3微型电动机267

12.5.4微型电动机中的ESD担忧267

12.6EOS和RF-MEMS269

12.7纳米结构的EOS意义270

12.7.1EOS和相变存储器270

12.7.2EOS和石墨烯272

12.7.3EOS和碳纳米管272

12.8总结和综述273

参考文献274

附录280

附录A术语表280

附录B标准284

作者介绍

---

Steven H.Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电（ESD）保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的首位IEEE Fellow。他于1979年在布法罗大学获得工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院（MIT）获得了电子工程方向的一个硕士学位；后来又在MIT获得第二个电子工程学位（工程硕士学位）；1986年他在IBM的驻地研究员计划的支持下，从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得电子工程博士学位。他作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性（如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS）的研究工作。他在ESD和CMOS闩锁领域获得了245项美国。

文摘

---

序言

---

电子元器件失效分析手册：从原理到实践 本书旨在为电子工程师、技术人员以及对电子元器件可靠性及失效机理感兴趣的研究者，提供一本全面、深入且实用的失效分析指导。 随着电子技术的飞速发展，电子产品的性能日益提升，但同时也带来了更复杂的失效模式和更严峻的可靠性挑战。理解元器件失效的根本原因，掌握科学有效的失效分析方法，对于提高产品质量、延长产品寿命、降低售后成本至关重要。 本书系统性地梳理了电子元器件从设计、制造、测试到实际应用过程中可能出现的各种失效现象，并从微观到宏观，从理论到实践，层层剖析其背后的失效机理。我们不仅关注常见的失效类型，更深入探讨了那些容易被忽视但影响巨大的隐蔽失效。 第一部分：电子元器件失效基础理论 本部分将从基础概念入手，为读者构建一个扎实的理论框架。 电子元器件的可靠性概述： 介绍可靠性的定义、重要性以及常见的可靠性指标（如MTBF、失效率等）。探讨影响元器件可靠性的主要因素，包括设计、材料、制造工艺、环境因素和使用条件等。 失效模式与失效机理： 详细阐述电子元器件的各种失效模式，例如开路、短路、参数漂移、性能下降、形变、物理损坏等。深入分析每种失效模式背后的失效机理，涵盖物理、化学、材料和电学等多个层面。例如，我们将讨论金属互连层的电迁移、半导体器件的击穿机理、电容器的介质击穿、电阻的过载烧毁等。 加速寿命试验（ALT）与可靠性预测： 介绍加速寿命试验的设计原则、常用加速应力（如高温、高湿、高压、高频等）及其对失效机理的影响。讲解如何利用试验数据进行寿命预测，并介绍常用的可靠性预测模型。 失效分析的标准与规范： 梳理国际和国内常见的电子元器件失效分析标准和规范，如IPC、JEDEC、MIL-STD等，了解行业内的最佳实践和技术要求。 第二部分：常用电子元器件的失效分析 本部分将聚焦于几种最常见的电子元器件，详细介绍它们的失效特点和分析方法。 半导体器件失效分析： 二极管与三极管： 分析PN结击穿、热击穿、电迁移、氧化层失效、封装问题等。介绍电流-电压（I-V）特性曲线分析、瞬态热成像、扫描电子显微镜（SEM）等分析手段的应用。 集成电路（IC）： 探讨数字IC和模拟IC的失效模式，如闩锁效应、ESD（静电放电）损坏、电迁移、热应力、腐蚀、焊盘失效、键合线断裂等。详细介绍开盖（Decapsulation）技术、显微内窥镜检查、X射线成像、扫描声学显微镜（SAM）等关键分析技术。 功率器件（MOSFET, IGBT等）： 重点关注大电流、高电压下的失效机理，如雪崩击穿、热失效、电迁移、栅氧化层损坏、封装应力等。介绍失效区域定位技术，如红外热像仪、局部温度测量等。 无源器件失效分析： 电阻器： 分析过载烧毁、热漂移、氧化腐蚀、开路、短路等失效模式。介绍电阻值测量、外形检查、显微观察等。 电容器： 探讨介质击穿（如陶瓷电容、薄膜电容）、电解液干涸（如电解电容）、引脚氧化、封装开裂等失效。介绍容值测量、ESR（等效串联电阻）测量、介电强度测试、显微观察等。 电感器： 分析绕线断裂、磁芯开裂、绝缘层损坏、漏磁增加等。介绍电感值测量、直流电阻测量、磁芯检查等。 连接器与开关器件失效分析： 连接器： 分析接触不良、氧化腐蚀、机械磨损、插拔力异常、绝缘层损坏等。介绍接触电阻测量、外观检查、显微观察等。 开关： 讨论触点烧蚀、粘连、断开不良、弹簧疲劳等。介绍导通电阻测量、耐压测试、机械寿命测试等。 PCB（印刷电路板）与焊接失效分析： PCB： 介绍线路开路、短路、分层、起泡、孔金属化失效、表面处理问题等。 焊接： 深入分析虚焊、冷焊、焊锡球、焊锡桥、焊点开裂（如疲劳开裂）、焊料蠕变等。重点介绍显微观察、X射线检查、扫描声学显微镜（SAM）在焊接失效分析中的应用。 第三部分：失效分析的常用技术与方法 本部分将详细介绍进行失效分析所依赖的各种先进技术和工具。 无损检测技术： 外观检查与显微观察： 从宏观到微观，介绍利用放大镜、体视显微镜、金相显微镜进行外观缺陷、表面损伤、腐蚀痕迹、形变等的观察。 X射线成像： 用于检测内部结构（如芯片、焊点、PCB内部）、空洞、裂纹、虚焊等。 扫描声学显微镜（SAM）： 用于检测芯片与封装之间的分层、空洞、脱焊、内部裂纹等。 红外热成像： 用于检测器件在工作状态下的温度分布，定位过热点，分析热击穿和电迁移。 电气参数测量： 介绍各种直流和交流参数的测量方法，如I-V特性、C-V特性、阻抗测量、信号完整性测量等。 破坏性检测技术： 开盖（Decapsulation）： 介绍化学蚀刻、激光剥离等开盖技术，以暴露芯片表面进行进一步分析。 样品制备与金相分析： 介绍样品切割、研磨、抛光、腐蚀等制备过程，以及利用金相显微镜观察截面形貌、材料组织、缺陷等。 扫描电子显微镜（SEM）与能谱分析（EDS）： SEM提供高分辨率的表面形貌图像，EDS用于元素成分分析，帮助确定腐蚀产物、污染物等。 透射电子显微镜（TEM）： 用于观察更微观的结构，如晶体结构、晶界、位错等。 聚焦离子束（FIB）： 用于精确地切割、沉积和成像，实现局部材料移除和微细结构观察。 第四部分：失效案例分析与实践指导 本部分通过大量真实失效案例，将理论知识和技术方法融会贯通，提供实用的分析思路和解决策略。 从现象到机理的思维过程： 引导读者如何根据失效现象，初步判断可能的失效模式和区域，并制定分析计划。 典型失效案例分析： 深入剖析不同类型元器件在不同应用场景下的失效案例，例如： 手机主板上IC的瞬间损坏分析。 汽车电子元器件在高温高湿环境下的早期失效分析。 LED照明产品的光衰与寿命问题分析。 电源模块中功率器件的过载失效分析。 连接器接触不良导致的通信中断分析。 失效分析报告的撰写： 讲解如何规范、清晰地撰写失效分析报告，包括失效描述、分析过程、测试数据、结论以及改进建议等。 预防措施与质量改进： 基于失效分析结果，提出改进设计、优化工艺、加强测试、改进使用环境等方面的建议，以提高产品的可靠性。 本书特点： 体系完整： 从基础理论到具体应用，覆盖电子元器件失效分析的各个环节。 技术前沿： 介绍当前主流的失效分析技术和设备。 案例丰富： 大量真实失效案例，提供实践指导。 深入浅出： 兼顾理论深度与实践可操作性。 图文并茂： 辅以大量的图片、图表和示意图，增强可读性和理解性。 阅读本书，您将能够： 掌握电子元器件失效的基本原理和常见失效模式。 熟练运用各种失效分析技术和设备。 独立或参与进行电子元器件的失效分析工作。 从失效分析中提取有价值的信息，为产品设计和制造提供改进依据。 全面提升电子产品的可靠性水平。 无论您是经验丰富的工程师，还是初涉此领域的学生，本书都将是您宝贵的参考资料和实践指南。

评分☆☆☆☆☆

这本书的书名我最近才在网上看到，虽然我还没来得及入手，但光看这个名字我就觉得它在电子工程领域绝对是一本非常有分量的著作。它直接点出了“过电应力（EOS）”这个核心概念，这在我看来是非常精准且切题的。“器件、电路与系统”的组合，更是暗示了本书的涵盖范围非常广阔，不仅仅局限于某个单一的电子元器件，而是从微观的器件层面，深入到宏观的电路设计，乃至最终构成的整个系统，都有着细致的探讨。我本身就是一名电子工程师，日常工作中经常会遇到各种各样的器件失效问题，而其中很多都与过电应力有着千丝万缕的联系。有时候，一个看似微小的电压浪涌，或者是不当的操作，就可能导致昂贵的芯片烧毁，或者整个设备陷入瘫痪。这种经历让我深切体会到，对EOS的深入理解和有效防护，对于保证电子产品的可靠性和稳定性至关重要。我推测，这本书很可能详细阐述了EOS产生的机理，比如静电放电（ESD）、电瞬态、电源噪声等等，并且会分析不同类型的EOS会对不同种类的电子器件，例如半导体芯片、电容、电感、连接器等产生怎样的影响。进一步地，书中可能还会讨论如何在电路设计阶段就引入EOS防护措施，例如合理的布线、滤波电路、瞬态抑制器（TVS）的应用、接地设计等等。最后，它甚至可能会延伸到系统层面的考量，比如如何设计鲁棒的电源管理单元，如何进行可靠性测试，以及如何分析和解决已经发生的EOS失效案例。这些都是我非常感兴趣且急需学习的内容，所以我非常期待能尽快读到这本书，相信它能为我解决实际工作中的难题提供宝贵的理论指导和实践经验。

评分☆☆☆☆☆

我是一名业余的电子爱好者，平时喜欢捣鼓一些小玩意儿，比如DIY一些音响设备，或者尝试控制一些智能家居的小功能。最近在学习过程中，我发现自己DIY的电路有时候会出现一些奇怪的故障，有时候是因为焊接不好，有时候是因为接线错误，但有时候即便是自己觉得做得挺好，也还是会莫名其妙地烧坏一些元器件，比如一些功率晶体管或者集成电路。我一直很想弄清楚这是什么原因，直到我偶然看到了“过电应力（EOS）器件、电路与系统”这本书的名字。虽然我对EOS这个专业术语不太了解，但“过电应力”听起来就感觉像是某种“过度的电力刺激”一样，这很可能就是导致我的DIY电路出现问题的根源。我猜想，这本书会用比较通俗易懂的语言，解释什么是过电应力，它是如何产生的，以及它会对我们常用的电子元件造成怎样的伤害。比如，它可能会告诉我们，我们在插拔电源线的时候，可能会产生静电，或者我们用万用表测量电压的时候，如果操作不当，可能会给电路带来不必要的冲击。而且，书中既然提到了“器件、电路与系统”，那应该就不仅仅是讲概念，还会涉及具体的解决方案。我希望能从书中学习到一些实用的技巧，比如如何选择合适的保护元件，如何在电路设计中加入一些简单的防护措施，甚至是如何通过一些简单的测试来判断电路是否存在EOS的风险。我希望这本书能够帮助我避免再浪费那些宝贵的电子元件，也能让我对电子电路的理解更上一层楼，做出更稳定、更可靠的DIY作品。

评分☆☆☆☆☆

我是一位在大学从事教学和科研工作的教师，主要研究方向是微电子可靠性。在多年的教学和科研过程中，我深切体会到过电应力（EOS）是影响电子器件和系统可靠性的一个关键因素，但同时也是一个相对复杂且常常被忽视的方面。许多学生在进行器件特性分析、电路设计以及系统集成时，往往更多地关注功能实现和性能指标，而对EOS的潜在威胁认识不足。因此，我一直在寻找一本能够系统性地、深入浅出地讲解EOS理论及其应用的教材或参考书，以便在我的课程中引入相关内容，并指导学生进行相关的研究。这本书的题目《过电应力(EOS)器件、电路与系统》给我留下了非常深刻的印象，因为它直接点出了EOS的核心，并将其置于器件、电路和系统的整个生命周期中进行考察。这表明本书很可能不仅仅是停留在理论层面，而是会结合实际的器件模型、电路拓扑以及系统设计案例，来阐释EOS的影响机制和防护策略。我非常期待书中能够详细介绍不同类型的EOS（如ESD、EOS、浪涌等）在不同应用场景（如汽车电子、航空航天、消费电子、工业控制等）下的表现，以及它们对当前主流的半导体材料（如硅、SiC、GaN）和器件（如MOSFET、IGBT、二极管、IC等）产生的具体失效模式。此外，我希望书中能够提供一套完整的EOS防护设计方法论，包括从器件选型、电路架构设计、PCB布局布线、电源完整性分析到系统级协同防护的各个环节，并且能够给出相应的仿真工具和实验验证方法。如果本书能够在这几个方面都做到深入且实用，那么它无疑将成为我教学和科研工作中不可多得的宝贵资源，也希望能帮助我的学生建立起扎实的EOS防护知识体系，为培养下一代优秀的电子工程师打下坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

在我看来，电子产品之所以会“短命”，或者出现一些难以预料的故障，除了材料本身的缺陷和设计上的疏忽之外，很多时候都跟“过电应力”脱不了干系。这本书的名字——《过电应力(EOS)器件、电路与系统》，就如同在一个复杂的迷宫中点亮了一盏指路的明灯。我一直在思考，为什么有些电路在实验室里表现得完美无缺，一到实际应用场景中，就可能因为一些细微的电压波动、电流突变而损坏。这本书的出现，恰恰填补了我在这一方面的知识空白。我猜这本书一定深入剖析了EOS产生的各种“罪魁祸首”，比如雷电引起的瞬态过压，或者工业环境中常见的电磁干扰，甚至是操作人员不小心操作带来的静电释放。它可能会详细解释这些“应力”是如何一步步渗透到敏感的电子元件内部，最终导致其性能下降甚至永久性损坏的。我特别期待的是，这本书不会仅仅停留在“是什么”的层面，而是会进一步探讨“怎么办”。我设想，书中会提供一套系统性的防护方案，从最基础的器件选择，到精妙的电路设计，再到复杂的系统集成，每一个环节都会考虑到EOS的影响，并给出相应的应对策略。例如，它可能会介绍各种类型的保护器件，如TVS二极管、压敏电阻、气体放电管等，并详细讲解它们的工作原理、选型要点以及在不同电路中的应用。同时，书中或许还会强调PCB布局布线的重要性，以及如何通过合理的接地和屏蔽来增强电路的抗干扰能力。总而言之，这本书听起来就像是一本“电子产品防病指南”，能帮助我们理解EOS的危害，并学会如何“治未病”，从而大大提升电子产品的可靠性和使用寿命。

评分☆☆☆☆☆

我是一名在一家大型半导体公司工作的应用工程师，我们的产品涉及到各种高性能的模拟和数字芯片，它们被广泛应用于通信、计算和消费电子等领域。在产品验证和客户支持的过程中，我们经常会遇到客户报告的器件失效案例，其中很多都指向了过电应力（EOS）问题。有时候，客户的系统在某个特定的工作条件下，或者在某个不常见的操作流程中，就会出现器件烧毁的现象，而原因很难一下子确定。这不仅给客户带来了巨大的损失，也给我们带来了很大的研发和支持压力。因此，我一直在积极寻找能够帮助我们更深入地理解EOS、更有效地进行EOS防护的书籍。《过电应力(EOS)器件、电路与系统》这本书的出现，对我来说简直是雪中送炭。我非常希望这本书能够提供一套权威且实用的EOS分析框架，帮助我们系统地识别EOS的来源，评估EOS的潜在风险，并提出有效的防护措施。我期待书中能够详细介绍EOS在不同半导体工艺（如CMOS、Bipolar、BCD等）下对器件特性和可靠性的影响，以及不同封装形式（如QFN、BGA、SOP等）对EOS防护能力的影响。此外，我希望书中能够深入探讨EOS与ESD（静电放电）的区别与联系，以及如何在高密度、高性能的集成电路设计中，实现有效的EOS防护。例如，书中可能还会讨论如何在芯片内部集成EOS防护电路，如何设计鲁棒的I/O接口和电源管理单元，以及如何在整个系统层面进行EOS的协同防护。如果这本书能够提供一些实际的案例分析和失效机理的深入剖析，那将对我们的工作非常有帮助，让我们能够更好地指导客户进行产品设计和应用，并不断提升我们产品的可靠性。

评分☆☆☆☆☆

作为一个对电子技术充满好奇心的学生，我一直在努力地学习各种电子知识，从最基础的电阻、电容、三极管，到复杂的集成电路和嵌入式系统。在学习的过程中，我发现有很多看似简单的电路，一旦在实际中应用，就容易出现各种各样的问题，比如元件发热、性能不稳定，甚至直接烧毁。我一直在寻找一个能够系统性地解释这些现象的理论依据，而“过电应力（EOS）”这个概念，在我看来，很可能就是解决这些疑团的关键。这本书的名字《过电应力(EOS)器件、电路与系统》，让我看到了一个全面的视角。我推测，这本书会从最基本的电子元件出发，详细解释当电流或电压超过其承受能力时，会对器件内部的微观结构造成怎样的影响，从而导致其性能下降甚至失效。然后，它会把这种影响放大到整个电路层面，分析在实际的电路设计中，哪些环节容易产生EOS，以及如何通过合理的电路设计来避免这些风险。最后，它还会将目光投向整个系统，探讨在复杂的多组件系统中，EOS是如何通过不同器件之间的相互影响而扩散，并对整个系统的稳定性和可靠性造成威胁。我非常希望能从这本书中学习到如何识别电路中潜在的EOS风险，比如通过分析功率损耗、电压和电流的峰值，以及电源的稳定性等。同时，我也期待书中能够提供一些实用的防护方法，比如如何选择合适的保护器件，如何设计更优化的PCB布局，以及如何在系统层面进行有效的电源管理和信号完整性设计，从而让我的电子作品更加稳定可靠。

评分☆☆☆☆☆

我是一名电子产品质量控制部门的工程师，主要职责是评估和提升我们公司产品的可靠性。在实际工作中，我们经常会遇到一些在用户使用过程中出现的“意外”故障，这些故障往往难以复现，但一旦发生，就会给用户带来很大的不便，甚至造成安全隐患。经过大量的失效分析，我们发现很多这类故障的根源都指向了过电应力（EOS）。因此，我们部门一直在寻找一本能够系统性地、深入浅出地讲解EOS的著作，以期能够为我们的质量控制体系提供理论支撑和实践指导。《过电应力(EOS)器件、电路与系统》这本书的出现，可以说正合我们部门的需求。我非常期待书中能够详细阐述EOS在不同应用场景下（如汽车电子、工业控制、医疗设备等）的特点和表现，以及它对不同类型的电子器件（如功率器件、微控制器、传感器等）产生的具体失效模式。例如，书中可能会分析在极端环境下，如高温、潮湿或强电磁干扰等条件下，EOS的风险会如何增加，以及如何通过环境测试来暴露这些风险。此外，我希望书中能够提供一套完整的EOS失效分析流程和方法论，包括如何通过痕迹分析、电参数测量、失效物理分析等手段，准确地诊断EOS问题，并追溯其根本原因。更重要的是，我希望书中能够提供一套系统性的EOS防护策略，从器件设计、电路设计、PCB布局布线到系统集成和最终产品的可靠性测试，各个环节都能有详细的指导和建议，帮助我们建立起一套从源头上预防EOS问题的质量保障体系，从而进一步提升我们产品的整体可靠性。

评分☆☆☆☆☆

作为一个长期关注电子技术发展趋势的技术爱好者，我一直对那些能够解决实际工程难题、提升产品性能和可靠性的关键技术非常感兴趣。近年来，随着电子产品集成度的不断提高和工作频率的不断攀升，过电应力（EOS）对器件和系统可靠性的影响也日益凸显。尽管ESD（静电放电）防护已经得到了广泛的关注和研究，但EOS的复杂性和广泛性，仍然是许多工程师和研究者面临的挑战。这本书的标题《过电应力(EOS)器件、电路与系统》，就准确地抓住了这一关键的技术痛点，并且从器件、电路到系统这样一个完整的维度进行了深入的探讨。我非常期待这本书能够提供一个全新的视角来理解EOS，它可能不仅仅局限于传统的瞬态过压和过流，而是会深入挖掘EOS在各种复杂工作场景下的表现形式，例如功率器件在开关过程中的动态应力，电源管理单元在负载瞬变时的电压和电流波动，以及不同器件之间由于信号耦合和噪声传播而产生的连锁反应。我希望书中能够提供一些前沿的EOS建模和仿真技术，帮助我们更精确地预测EOS对器件和系统造成的损伤，并基于这些预测结果，提出更具创新性的防护方案。例如，书中可能还会讨论一些主动式的EOS防护策略，或者结合机器学习和人工智能技术来实现智能化的EOS监测和预警。如果这本书能够在这几个方面有所突破，那么它无疑将成为我了解EOS最新进展、拓展技术视野的重要读物，也能为我未来的技术研究和创新提供宝贵的灵感。

评分☆☆☆☆☆

我之前在学习电路设计的时候，总会遇到一些元件“莫名其妙”就坏了，尤其是那些功率比较大的元器件，比如功率晶体管、MOSFET之类的。有时候是因为我接线操作不当，有时候是因为电路中突然出现了较大的电流或者电压波动。我一直想弄清楚这究竟是什么原因，直到我看到了这本书的书名——《过电应力(EOS)器件、电路与系统》。这个名字一下子就引起了我的兴趣，因为它直接点出了“过电应力”这个我一直在寻找的关键概念。我猜想，这本书会从一个非常宏观的视角来解读EOS，它不仅仅会讲到单个元件的损坏，还会探讨EOS是如何在整个电路中传播和影响的，甚至是如何在复杂的系统中造成连锁反应的。我希望这本书能够详细解释EOS产生的各种场景，比如电源的浪涌、负载的突变、甚至是连接器的接触不良都可能引发EOS。我尤其期待的是，书中能够提供一些实用的、易于理解的防护措施。比如，如何选择合适的保护二极管，如何设计更安全的电源电路，以及在PCB布线时需要注意哪些细节才能避免EOS的产生。如果这本书能够用通俗易懂的语言，结合一些实际的电路图和案例分析，来讲解EOS的原理和防护方法，那我相信它不仅能帮助我解决当前学习中的困惑，还能为我未来的电路设计打下坚实的基础，让我能够做出更可靠、更稳定的电子产品。

评分☆☆☆☆☆

我是一名在工业自动化领域工作的电气工程师，我们设计的系统需要长时间稳定可靠地运行，并且经常要面对复杂的电力环境和潜在的电磁干扰。在项目实施和维护过程中，我们遇到的许多棘手问题，比如设备突然失灵、关键元器件损坏等，在深入排查后，很多都指向了过电应力（EOS）的因素。但由于EOS的产生机理往往比较隐蔽，而且对不同类型的设备和元器件的影响方式也各不相同，所以我们一直缺乏一个系统性的理论指导和实践参考。《过电应力(EOS)器件、电路与系统》这本书的出现，对我来说无疑是解决这一困境的希望所在。我非常期望书中能够详细阐述EOS在工业自动化场景下的典型表现，比如变频器、伺服驱动器、PLC等设备在运行过程中可能遇到的各种EOS风险，以及这些风险对高压功率器件、传感器、通信接口等关键部件的潜在威胁。我希望书中能够提供一套完整的EOS防护设计方法，涵盖从元器件选型、电路拓扑设计、PCB布局布线、接地和屏蔽设计，到系统级防护策略的制定。例如，书中可能会深入分析不同类型的浪涌防护器件（如MOV、TVS、GDT等）在工业环境下的选型和应用要点，以及如何通过滤波和隔离等手段来抑制电源和信号线上的EOS。此外，我希望书中能够提供一些关于EOS失效分析的案例研究，帮助我们更好地理解EOS的失效机理，并从中吸取经验教训，从而在未来的设计中规避类似的风险。如果这本书能够为我们提供一套行之有效的EOS防护解决方案，那将极大地提升我们产品的可靠性和稳定性，并为我们赢得客户的信任。