半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677530

商品编码：29701188909

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名:半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册

定价：170.00元

售价：115.6元,便宜54.4元,折扣68

作者:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677530

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

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YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 34.1-2011 高纯砷化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯砷中杂质含量
YS/T 34.2-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量
YS/T 34.3-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量
YS/T 35-2012 高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法
YS/T 37.1-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量
YS/T 37.2-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量
YS/T 37.3-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定砷量
YS/T 37.4-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定镁、铝、钴、镍、铜、锌、铟、铅、钙、铁和砷量
YS/T 37.5-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量
YS/T 38.1-2009 高纯镓化学分析方法 部分：硅量的测定 钼蓝分光光度法
YS/T 38.2-2009 高纯镓化学分析方法 第2部分：镁、钛、铬、锰、镍、钴、铜、锌、镉、锡、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 226.1-2009 硒化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.2-2009 硒化学分析方法 第2部分：锑量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.3-2009 硒化学分析方法 第3部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十六烷基吡啶分光光度法
YS/T 226.4-2009 硒化学分析方法 第4部分：汞量的测定 双硫腙-四氯化碳滴定比色法
YS/T 226.5-2009 硒化学分析方法 第5部分：硅量的测定 硅钼蓝分光光度法
YS/T 226.6-2009 硒化学分析方法 第6部分：硫量的测定 对称二苯氨基脲分光光度法
YS/T 226.7-2009 硒化学分析方法 第？部分：镁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.8-2009 硒化学分析方法 第8部分：铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.9-2009 硒化学分析方法 第9部分：铁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.10-2009 硒化学分析方法 0部分：镍量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.11-2009 硒化学分析方法 1部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.12-2009 硒化学分析方法 2部分：硒量的测定 硫代钠容量法
YS/T 226.13-2009 硒化学分析方法 3部分：银、铝、砷、硼、汞、铋、铜、镉、铁、镓、铟、镁、镍、铅、硅、锑、锡、碲、钛、锌量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 227.1-2010 碲化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.2-2010 碲化学分析方法 第2部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十四烷基吡啶胶束增溶分光光度法
YS/T 227.3-2010 碲化学分析方法 第3部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.4-2010 碲化学分析方法 第4部分：铁量的测定 邻菲哕啉分光光度法
YS/T 227.5 2010 碲化学分析方法 第5部分：硒量的测定 2，3-=氨基萘分光光度法
YS/T 227.6-2010 碲化学分析方法 第6部分：铜量的测定 固液分离-火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.7-2010 碲化学分析方法 第7部分：硫量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 227.8-2010 碲化学分析方法 第8部分：镁、钠量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.9-2010 碲化学分析方法 第9部分：碲量的测定 重铬酸钾-亚铁铵容量法
YS/T 227.10-2010 碲化学分析方法 0部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.11-2010 碲化学分析方法 1部分：硅量的测定 正丁醇萃取硅钼蓝分光光度法
YS/T 227.12 2011 碲化学分析方法 2部分：铋、铝、铅、铁、硒、铜、镁、钠、砷量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 229.1-2013 高纯铅化学分析方法 部分：银、铜、铋、铝、镍、锡、镁和铁量的测定化学光谱法
YS/T 229.2-2013 高纯铅化学分析方法 第2部分：砷量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.3-2013 高纯铅化学分析方法 第3部分：锑量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.4-2013 高纯铅化学分析方法 第4部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
YS/T 276.1-2011 铟化学分析方法 部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 276.2-2011 铟化学分析方法 第2部分：锡量的测定 苯基荧光酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法
YS/T 276.3-2011 铟化学分析方法 第3部分：铊量的测定 甲基绿分光光度法
YS/T 276.4-2011 铟化学分析方法 第4部分：铝量的测定 铬天青S分光光度法
YS/T 276.5-2011 铟化学分析方法 第5部分：铁量的测定 方法1：电热原子吸收光谱法方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.6-2011 铟化学分析方法 第6部分：铜、镉、锌量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.7-2011 铟化学分析方法 第7部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.8-2011 铟化学分析方法 第8部分：铋量的测定 方法1：氢化物发生-原子荧光光谱法 方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.9-2011 铟化学分析方法 第9部分：铟量的测定 Na2 EDTA滴定法
YS/T 276.10-2011 铟化学分析方法 0部分：铋、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 276.11-2011 铟化学分析方法 1部分：砷、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊、锌、铋量的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T 519.1-2009 砷化学分析方法 部分：砷量的测定 溴酸钾滴定法
YS/T 519.2-2009 砷化学分析方法 第2部分：锑量的测定 孔雀绿分光光度法
YS/T 519.3-2009 砷化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
YS/T 519.4-2009 砷化学分析方法 第4部分：铋、锑、硫量的测定 电感耦合等离子体原子发
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作者介绍

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文摘

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序言

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《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 行标分册》是一部全面收录了2014年发布的半导体材料领域行业标准中关于方法类标准的权威工具书。本书汇集了中国半导体材料领域最新的、最权威的检测、试验、分析方法等一系列标准，旨在为半导体材料的研发、生产、质量控制、贸易往来等各个环节提供统一、规范、可操作的技术依据。 本书内容概览： 本书聚焦于半导体材料的方法标准，这意味着它不直接规定材料的性能指标或具体参数，而是详细阐述了如何对这些材料进行测量、测试、分析和评估的科学方法。这些方法标准是确保半导体材料质量稳定、性能可靠、可比性强的关键。本书的出版，填补了当前国内在半导体材料领域方法标准系统性收录的空白，对于提升我国半导体材料产业的技术水平和国际竞争力具有重要意义。 内容结构与特点： 本书按照标准的类型和适用范围进行了系统性的分类和编排，力求清晰明了，便于读者查找和使用。其主要内容涵盖但不限于以下几个方面： 1. 晶体材料的制备与表征方法： 单晶硅制备与检测： 涵盖了高纯度多晶硅的制备工艺控制、单晶硅生长过程中的缺陷检测（如位错密度、夹杂物）、晶体取向的确定、晶体圆棒的尺寸测量与表面质量检验等标准方法。例如，可能包含对坩埚下拉法、区熔法等单晶生长过程中的关键参数监控标准，以及对晶棒直径、厚度、形状偏差的测量规范，确保后续晶片加工的基础精度。 化合物半导体材料制备与分析： 涉及砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料的晶体生长、外延层制备（如MOCVD、MBE）、以及材料成分、掺杂浓度、晶格缺陷、表面形貌等分析方法。具体可能包括对GaAs衬底晶片的电阻率、载流子浓度、载流子迁移率的测试方法，对GaN外延层厚度、组分均匀性、缺陷密度（如位错、畴界）的表征标准，以及对InP材料的声子散射谱、拉曼光谱等分析方法。 其他半导体晶体材料： 对于一些新兴或特定应用领域的半导体晶体材料，如碳化硅（SiC）、碲镉汞（CdHgTe）等，本书也可能收录相关的制备、生长、退火等工艺过程中的检测方法。 2. 薄膜材料的制备与检测方法： 外延层与薄膜生长： 详细介绍了各种薄膜沉积技术（如PVD、CVD、ALD）的工艺控制和质量评估方法。这包括对薄膜厚度、均匀性、致密性、晶体结构（如X射线衍射）、表面粗糙度（如原子力显微镜）的测量标准。 薄膜材料的电学性能测试： 针对半导体薄膜材料，本书收录了电阻率、载流子浓度、迁移率、击穿电压、介电常数等关键电学参数的测量方法。例如，霍尔效应测试方法、四探针法、二探针法、CV（电容-电压）特性测试方法等。 薄膜材料的化学与物理性能分析： 涵盖了薄膜成分分析（如EDS、XPS）、表面化学状态、附着力、硬度、热稳定性等方面的检测标准。 3. 半导体材料的缺陷检测与分析方法： 光学显微镜与扫描电镜（SEM）： 详细介绍了利用光学显微镜和扫描电子显微镜对半导体材料表面和内部的微观缺陷（如划痕、颗粒、裂纹、晶界）进行观察和分析的标准操作规程。 透射电子显微镜（TEM）： 涉及利用TEM对半导体材料的原子级分辨率缺陷（如位错、堆积层错、点缺陷团簇）进行高精度分析的方法。 化学腐蚀与形貌分析： 介绍了针对不同半导体材料的化学腐蚀剂的选择、腐蚀过程的控制以及腐蚀后的形貌特征分析方法，用于定量评估材料的晶体质量和缺陷密度。 非破坏性检测技术： 可能包括超声波检测、X射线成像、光声谱技术等在半导体材料内部缺陷检测中的应用标准。 4. 材料的化学分析与纯度检测方法： 痕量杂质分析： 强调了半导体材料对痕量杂质的极度敏感性，本书收录了ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法）、GFAA（石墨炉原子吸收光谱法）等高灵敏度分析技术在检测晶体硅、化合物半导体材料中的金属杂质、非金属杂质（如氧、碳）的标准方法。 气体杂质检测： 针对半导体材料在制备和封装过程中可能引入的气体杂质，本书可能包含了气体色谱（GC）等分析方法的标准。 材料纯度评定： 提供了基于各种分析结果对半导体材料整体纯度进行评定的方法和准则。 5. 可靠性与失效分析方法： 环境应力测试： 涵盖了半导体材料在高温、高湿、温度循环、热冲击等环境条件下的可靠性测试方法，用于评估材料的长期稳定性和抗老化能力。 电学应力测试： 涉及在不同电压、电流、功率下的加速寿命测试（ALT）方法，以及高低温偏置应力测试等，以评估材料的电学可靠性。 失效机理分析： 提供了对失效器件进行失效定位、失效模式识别、以及根本原因分析的标准流程和技术手段。这可能包括金相显微分析、SEM/EDX失效分析、X射线成像分析等。 本书的价值与应用领域： 《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 行标分册》的出版，对于促进我国半导体材料产业的健康发展具有多方面的价值： 规范行业行为，提升产品质量： 标准化的方法为半导体材料的生产企业提供了明确的质量控制依据，有助于消除因检测方法不统一而造成的质量波动和贸易纠纷，整体提升我国半导体材料的质量水平。 促进技术交流与进步： 统一的方法标准为科研机构、高校和企业之间的技术交流奠定了基础，有助于新技术的推广应用和产业协同创新。 支撑研发与创新： 科学、准确的检测与分析方法是半导体材料研发的关键支撑。本书提供了先进的分析工具和方法，有助于科研人员更有效地进行新材料的探索与性能优化。 保障产业安全与国际竞争力： 在当前全球半导体产业竞争日益激烈的大背景下，拥有自主、完善、与国际接轨的行业标准，是保障我国半导体材料供应链安全、提升国际市场竞争力的重要基石。 服务于相关行业： 除了半导体制造业本身，本书的标准方法也广泛适用于电子信息、光电器件、新能源、航空航天等众多依赖高性能材料的领域。 适用读者对象： 本书主要面向以下读者群体： 半导体材料生产企业的技术人员、研发工程师、质量控制工程师； 半导体器件制造商的材料工程师、可靠性工程师、失效分析工程师； 从事半导体材料研究的高校教师、科研人员、研究生； 从事半导体材料贸易、认证、检测的专业人员； 相关政府部门、行业协会的技术管理人员。 本书的编纂是在我国半导体产业快速发展、对高品质半导体材料需求日益增长的背景下进行的，它将成为我国半导体材料领域从业人员不可或缺的案头工具书，为推动我国半导体产业迈向更高水平提供坚实的技术保障。

评分☆☆☆☆☆

阅读这份汇编，给我最直观的感受是它的历史厚重感，这无疑是对过去数十年半导体材料科学贡献的系统性总结。然而，这种历史性也带来了一个不可避免的问题：对于第三代半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在电力电子领域的广泛应用所催生的特殊标准，这本书的覆盖面显得较为保守。我们现在大量使用SiC MOSFETs，对其晶圆缺陷密度、双晶界（Twin Boundaries）的检测与控制有着极为苛刻的要求。我本想从中寻找一套关于SiC衬底表面粗糙度（RMS Roughness）与激光划痕敏感度的标准比对方法，或者针对GaN外延层高频噪声特性的标准化测量指南。但现有内容似乎仍然将重点放在了对硅材料杂质控制的经典方法上。这并非说旧标准不重要，而是技术迭代速度太快，2014年的“最新汇编”，在面对工业界已经全面推广的宽禁带材料时，就像是一本详尽的蒸汽机维护手册，尽管里面没有错误，但对于设计喷气式发动机的新工程师来说，参考价值大打折扣。

评分☆☆☆☆☆

这部“半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册”的厚重感，光是掂在手里就能感受到它背后所蕴含的严谨与权威。然而，我真正期待的是其中对于前沿材料，比如钙钛矿太阳能电池材料的最新进展能有所收录。我最近在研究如何优化钙钛矿薄膜的结晶过程，涉及到大量关于溶液处理和退火工艺的精细控制。市面上大多数标准汇编，即便是2014年的版本，在面对这些近几年爆发式增长的新材料体系时，总显得力不从心。我希望能找到关于如何使用先进的表征技术，比如高分辨透射电镜（HRTEM）结合能量色散X射线谱（EDX）对界面缺陷进行定量分析的方法标准，尤其是那些针对有机-无机杂化结构材料的特定处理规程。目前的标准更侧重于传统的硅基或砷化镓等成熟体系的纯度测试和物理性能测量，这对于我目前的工作方向来说，只能算是提供了基础的参照框架，而缺乏解决特定新材料难题的“手术刀”。如果这本书能有补充章节，涵盖至少一套关于柔性衬底上薄膜形貌控制和应力测试的推荐方法，那价值将不可估量。目前的这份汇编，更像是奠定了基石，但基石之上搭建的新楼宇的施工规范，似乎还需要另寻高明。

评分☆☆☆☆☆

这部《半导体材料标准汇编》在环境与安全标准方面的深度也引起了我的审视。随着全球对可持续性和人员健康的日益重视，半导体制造过程中对有毒有害物质的控制已上升到最高优先级。我特别想知道，2014年汇编中对于前驱体材料的痕量残留物分析，比如用于原子层沉积（ALD）的金属有机源中，有机配体残留物的检测限和标准曲线的建立流程，是否有详细规范。此外，对于高纯度化学试剂和特种气体在不同湿度和温度条件下储存和转移的标准操作规程，也应是这类汇编的重点。我担心的是，这部汇编可能更多地关注了材料本身的物理和化学属性，而对这些材料在实际生产环境中，从采购、入库、使用到废弃处理的全生命周期管理中的合规性与安全控制标准着墨不多。一个合格的行业标准汇编，理应是技术规范与安全法规的完美结合体，而我在这份2014年版本中，嗅到的是更多偏向于“材料性能界定”的学术气息，而非“安全生产流程控制”的工业实操指南。

评分☆☆☆☆☆

作为一名从事半导体器件制造工艺优化的工程师，我习惯于直接将标准作为操作手册来使用，寻求的是那种“一步到位、无懈可击”的测试流程。翻开这部2014年的汇编，我立即注意到它在先进封装材料方面的覆盖度似乎有所不足。我们现在面临的挑战已经远远超出了传统晶圆级别的测试，更多地集中在芯片与封装体之间的热管理和长期可靠性上。例如，对于低K介质材料的热膨胀系数（CTE）的精确测量方法，或者在极端湿热循环条件下，导电胶和底部填充剂（Underfill）的粘结强度和老化速率的标准化评估流程，我期望能从中找到权威指导。这部汇编的侧重点，在我看来，更像是停留在材料本身的“身份确认”阶段——化学成分、基本电学参数的测定，比如电阻率、霍尔迁移率等。但现代半导体工业的竞争焦点在于系统集成和长期稳定性，标准如果不能跟上封装技术和可靠性工程的发展步伐，那么其指导意义就会相应打折。我需要的是能直接写入SOP（标准操作规程）的、具有国际互认性的测试验证规范，而不是停留在基础物理化学层面的描述。

评分☆☆☆☆☆

对于科研人员而言，我们更关注的是新颖的、高灵敏度的材料表征技术在标准制定中的地位。比如，如何利用同步辐射光源进行深度吸收光谱分析，以精确标定半导体薄膜中的亚稳态缺陷浓度。我期待这部汇编能更深入地探讨这些前沿分析手段的方法学验证流程。目前我看到的更多是基于传统光谱仪（如FTIR、拉曼）和经典电学测试（如CV、DLTS）的标准化操作流程。这些固然是基础，但在追求原子级精度的今天，标准似乎偏向于“宏观可重复性”，而非“微观结构解析的准确性”。我关注的是标准是否为如何建立一个基于高分辨率电子显微镜的缺陷分类系统提供了框架，例如，如何定义和量化位错的类型和密度，并使其结果能在全球不同实验室间实现可比性。如果标准只是停留在“使用某设备进行测量”的层面，而没有深入到“如何校准该设备以达到特定灵敏度”的细节，那么对于追求极致性能的研发工作，它提供的规范性指导就显得相对表面化了。