基本信息

書名：電力半導體器件原理與應用

定價：49.80元

作者：趙爭鳴

齣版社：機械工業齣版社

齣版日期：2011-10-01

ISBN：9787111356660

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.341kg

編輯推薦

《電力半導體器件原理與應用》由袁立強、趙爭鳴、宋高升、王正元編著，共分為8章，章主要闡述電力半導體器件的基本功能和用途；第2章介紹半導體器件物理基礎，包括半導體與導體、絕緣體，原子中的電子能級，晶體中的能帶等；第3章闡述雙極型電力半導體器件基本原理，包括單PN結器件及多PN結特性；第4章介紹單極型及混閤型電力半導體器件基本原理，涉及結型場效應器件、靜電感應器件、功率MOS―FET、混閤型器件IGBT和混閤型器件IGcT等；第5章敘述電力半導體器件的特性和參數，包括雙穩態和雙瞬態的基本工作狀態，通態特性、阻態特性、開通過程、關斷過程、觸發特性以及係統安全工作區等；第6章重點分析瞭電力半導體器件應用特性，包括電力半導體器件的串、並聯使用、電力半導體器件可靠性和失效分析以及電力半導體器件的保護等；第7章進一步分析瞭變換器中電力半導體器件的應用特性，著重考慮電力半導體器件與變換器中其他因素之間的關係；第8章介紹適用於變換器仿真的電力半導體器件建模，以為變換器主迴路優化設計所用。

內容提要

《電力半導體器件原理與應用》由袁立強、趙爭鳴、宋高升、王正元編著，力求從電力半導體器件應用的角度來詮釋和分析其基本原理和應用特性。全書共分為8章，章主要闡述電力半導體器件的基本功能和用途；第2章介紹半導體器件物理基礎，包括半導體與導體、絕緣體，原子中的電子能級，晶體中的能帶等；第3章闡述雙極型電力半導體器件基本原理，包括單pn結器件及多pn結特性；第4章介紹單極型及混閤型器件電力半導體器件基本原理，涉及結型場效應器件、靜電感應器件、功率mosfet器件、混閤型器件igbt和混閤型器件igct等；第5章敘述電力半導體器件的特性和參數，包括雙穩態和雙瞬態的基本工作狀態，通態特性、阻態特性、開通過程、關斷過程、觸發特性以及係統安全工作區等；第6章重點分析瞭電力半導體器件應用特性，包括電力半導體器件的串、並聯使用、電力半導體器件可靠性和失效分析以及電力半導體器件的保護等；第7章進一步分析瞭變換器中電力半導體器件應用特性，著重考慮電力半導體器件與變換器中其他因素之間的關係；第8章介紹適用於變換器仿真的電力半導體器件建模，以為變換器主迴路優化設計所用。
《電力半導體器件原理與應用》可作為電機係統及其控製、電力電子與電力傳動等學科研究生專業課程的參考書，也可供從事電力電子技術應用的科技人員和有關科技管理人員參考。

目錄

序言
前言
章　緒論
　1.1　電力半導體器件的基本功能和用途
　1.2　電力半導體器件的基本分類和應用
　　1.2.1　按照電力半導體器件控製特性分類
　　1.2.2　按照電力半導體器件發展分類
　　1.2.3　按照電力半導體器件驅動方式分類
　　1.2.4　按照電力半導體器件中載流子性質分類
　1.3　di/dt和du/dt在電力半導體器件中的特殊意義
　1.4　電力半導體器件的發展
　參考文獻
第2章　半導體器件的物理基礎
　2.1　半導體與導體、絕緣體
　2.2　原子中的電子能級
　　2.2.1　孤立原子中的電子能級
　　2.2.2　兩個原子之間的共價鍵
　2.3　晶體中的能帶
　　2.3.1　晶體中的能級――能帶
　　2.3.2　晶體中的禁帶寬度
　　2.3.3　半導體的晶體結構
　2.4　本徵半導體與雜質半導體
　　2.4.1　電子與空穴
　　2.4.2　費米狄拉剋分布
　　2.4.3　從本徵半導體到雜質半導體
　　2.4.4　雜質半導體的關鍵參數
　2.5　半導體中的載流子運動
　　2.5.1　電離與復閤
　　2.5.2　布朗運動
　　2.5.3　漂移運動
　　2.5.4　擴散運動
　參考文獻
第3章　雙極型電力半導體器件基本原理
　3.1　單pn結器件運行原理
　　3.1.1　pn結的基本結構
　　3.1.2　平衡條件下的pn結
　　3.1.3　偏置條件下的pn結
　3.2　pn結的運行特性
　　3.2.1　pn結的擊穿與穿通
　　3.2.2　pn結的電容效應
　　3.2.3　pn結器件的電路特性
　3.3　pin器件運行原理
　　3.3.1　pin二極管基本結構和正偏置下的行為
　　3.3.2　pin二極管的恢復特性
　3.4　三層兩結器件運行原理
　　3.4.1　雙極晶體管的基本結構
　　3.4.2　雙極晶體管中pn結的相互作用
　3.5　四層三結器件運行原理
　　3.5.1　晶閘管的基本結構
　　3.5.2　晶閘管的基本工作原理
　　3.5.3　gto的基本結構和基本工作原理
　參考文獻
第4章　單極型及混閤型電力半導體器件基本原理
　4.1　肖特基勢壘器件
　　4.1.1　肖特基勢壘
　　4.1.2　肖特基二極管的基本結構
　　4.1.3　肖特基二極管的基本工作原理
　4.2　結型場效應器件和靜電感應器件
　　4.2.1　結型場效應晶體管的基本結構
　　4.2.2　結型場效應晶體管的基本工作原理
　　4.2.3　靜電感應晶體管的基本結構和工作原理
　　4.2.4　靜電感應晶閘管的基本結構和工作原理
　4.3　功率mosfet
　　4.3.1　mos結構
　　4.3.2　mosfet的基本結構
　　4.3.3　mosfet的基本工作原理
　　4.3.4　功率mosfet
　4.4　混閤型器件igbt
　　4.4.1　igbt的基本結構
　　4.4.2　igbt的基本開關原理
　　4.4.3　igbt結構的一些演變
　　4.5　混閤型器件igct
　　4.5.1　igct的基本結構
　　4.5.2　igct的工作原理
　參考文獻
第5章　電力半導體器件的特性和參數
　5.1　雙穩態和雙瞬態的基本工作狀態
　　5.1.1　特性與參數關係
　　5.1.2　雙穩態與雙瞬態
　　5.1.3　額定值與特徵值
　5.2　通態特性及其參數
　　5.2.1　單極型器件的通態特性與參數
　　5.2.2　雙極型和混閤型器件的通態特性與參數
　　5.2.3　通態中的電阻及並聯特性
　5.3　阻態特性及其參數
　　5.3.1　器件的阻態特性及其參數
　　5.3.2　陰極(陽極)短路發射極結構
　　5.3.3　穿通與擊穿
　5.4　開通過程及參數
　　5.4.1　器件開通的物理過程
　　5.4.2　典型器件的開通過程
　　5.4.3　放大門極結構(ag)
　5.5　關斷過程及其參數
　　5.5.1　器件關斷的物理過程
　　5.5.2　典型器件的關斷特性
　　5.5.3　反嚮恢復特性
　5.6　觸發的類型和特性
　　5.6.1　觸發過程的物理現象及參數
　　5.6.2　典型器件的觸發特性及其參數
　5.7　器件特性及係統安全工作區
　　5.7.1　電力半導體器件特性對比
　　5.7.2　變換器係統安全工作區
　參考文獻
第6章　電力半導體器件應用特性分析
　6.1　電力半導體器件的串、並聯使用
　　6.1.1　電力半導體器件的並聯使用
　　6.1.2　電力半導體器件的串聯使用
　6.2　電力半導體器件可靠性和失效分析
　　6.2.1　電力半導體器件可靠性概述
　　6.2.2　電力半導體器件失效分析
　　6.2.3　igbt的失效分析
　　6.2.4　igct的失效分析
　6.3　電力半導體器件的保護
　　6.3.1　電力半導體器件保護簡述
　　6.3.2　igbt的保護
　　6.3.3　igct的保護
　參考文獻
第7章　變換器中電力半導體器件應用特性分析
　7.1　電力電子變換器的基本換流行為
　　7.1.1　變換器的常用拓撲結構
　　7.1.2　理想基本拓撲單元及換流行為
　　7.1.3　基於電力半導體特性的變換器換流行為
　7.2　吸收電路關鍵參數設計及優化
　　7.2.1　綫性吸收電路的假設和定義
　　7.2.2　綫性吸收電路的參數優化和分析
　　7.2.3　igbt吸收電路
　　7.2.4　igct吸收電路
　7.3　電力半導體器件特性的相互影響範例分析
　　7.3.1　基於igct的三電平逆變器基本換流方式
　　7.3.2　三電平逆變器中器件穩態特性相互影響
　　7.3.3　三電平逆變器中器件暫態特性相互影響
　參考文獻
第8章　適用於變換器仿真的電力半導體器件建模
　8.1　變換器仿真中的電力半導體器件建模
　　8.1.1　對變換器仿真的基本理解
　　8.1.2　變換器中器件建模分類
　　8.1.3　半導體器件的基本物理現象
　　8.1.4　半導體器件的基本仿真方法
　8.2　適用於變換器仿真的igbt模型
　　8.2.1　igbt工作機理數學描述
　　8.2.2　igbt模型的參數提取和模型實現
　　8.2.3　實驗和仿真
　　8.2.4　igbt模型的應用
　8.3　適用於變換器仿真的igct模型
　　8.3.1　igct功能型模型簡述
　　8.3.2　igct模型結構和參數求解
　　8.3.3　igct仿真與實驗對比
　　8.3.4　igct模型的應用
　8.4　變換器中的開關器件損耗計算以及熱路分析
　　8.4.1　器件損耗及熱阻模型
　　8.4.2　基於igbt的兩電平變換器損耗分析範例
　　8.4.3　基於igct的三電平變換器損耗分析範例
　　8.4.4　不同封裝器件熱路分析對比
參考文獻

作者介紹

文摘

序言