基本信息

书名：功率半导体器件与应用

定价：59.00元

作者：斯蒂芬?林德(Stefan Linder)

出版社：机械工业出版社

出版日期：2016-05-01

ISBN：9787111534570

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

《功率半导体器件与应用》是公司研发副总裁、的电力电子专家斯蒂芬林德（）博士的心血力作，由清华大学肖曦教授组织翻译，内容经典实用，值得每位从事电力电子研发设计人员深读细读！

内容提要

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的专家，作者斯蒂芬林德（）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

目录

目录译者序
原书前言
第章半导体物理基础
1.1硅的结构和特性
1.2电荷迁移
1.3载流子注入
1.4电荷载流子的激发和复合
1.5连续性方程
1.6泊松方程
1.7强场效应
第章结
2.1pn结的内建电压
2.2耗尽层（空间电荷区）
2.3pn结的伏安特性
2.4射极效率
2.5实际的结
第章二极管
3.1高压二极管的基本结构
3.2pin二极管的导通状态
3.3pin二极管的动态工况
3.4 二极管反向恢复的瞬变过程
3.5二极管工作条件的限制
3.6现代二极管的设计
第章双极型晶体管
4.1双极型晶体管的结构
4.2双极型晶体管的电流增益
4.3双极型晶体管的电流击穿
4.4正向导通压降
4.5基极推出“柯克”效应
4.6二次击穿
第章晶闸管
5.1晶闸管的结构和工作原理
5.2触发条件
5.3静态伏安特性
5.4正向阻断模式和亚稳态区域
5.5晶闸管擎住状态
5.6反向阻断状态下的晶闸管
5.7开通特性
5.8关断特性
第章门极关断（）晶闸管与门极换流晶闸管（）
集成门极换流晶闸管（）晶闸管
6.2GCT125

第章功率
7.1场效应晶体管基本理论
7.2场效应晶体管的（）特性
7.3功率场效应晶体管的结构
7.4功率场效应晶体管的开关特性
7.5雪崩效应
7.6源极漏极二极管（体二极管）
第章
8.1IGBT的结构和工作原理
8.2IGBT的（）特性
8.3IGBT的开关特性
8.4短路特性
8.5IGBT的强度
8.6IGBT损耗的折中方案
附录
附录符号表
附录常数
附录单位
附录单位词头（十进倍数和分数单位词头）
附录书写约定
附录电气工程中的电路图形符号
附录时的物质特性
附录缩略语
参考文献

作者介绍

斯蒂芬林德（）年出生于瑞士日内瓦，年在瑞士联邦工学院（）完成了电气工程的本科教育。他在美国工作一段时间后，于年回到瑞士苏黎世，在联邦工学院开始从事研究生的研究工作。他在年获得博士学位后不久加入了公司，成为功率半导体事业部的研发工程师。在公司，他主要负责门极换流晶闸管（）和绝缘栅双极型晶体管（）的设计和开发工作。从年月开始，林德博士开始担任公司研究开发副总裁。

文摘

序言