基本信息

书名：模拟电子技术基础

定价：42.60元

作者：李震梅

出版社：高等教育出版社

出版日期：2010-11-01

ISBN：9787040303261

字数：

页码：459

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

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内容提要

《模拟电子技术基础》依据教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会新修订的“模拟电子技术基础”课程教学基本要求，结合作者多年的教学改革成果和教学经验，本着“精选内容，注重应用，启发创新”的原则而编写。主要内容包括：半导体二极管及其应用电路，双极型三极管及其放大电路，场效应管及其放大电路，放大电路的频率响应，功率放大电路，集成运算放大器，负反馈放大电路，信号的运算、测量及处理电路，波形发生及变换电路，直流电源，模拟电子电路的Multisim仿真。
《模拟电子技术基础》概念阐述清楚，深浅适度，通俗易懂，突出应用，便于自学，在体现科学性、先进性、系统性方面具有特色。《模拟电子技术基础》可作为高等学校电气信息类专业模拟电子技术基础课程的教材或教学参考书，也可作为工程技术人员的参考用书。

目录

作者介绍

文摘

（1）雪崩击穿
雪崩击穿的物理过程是这样的：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中电场随着增强，通过空间电荷区的电子和空，在电场作用下获得很大的能量，在运动中不断与晶体原子发生碰撞，当电子和空的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使价电子激发，形成电子一空对，这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空与原有的电子和空一样，在电场作用下，获得能量，又可通过碰撞，再产生电子一空对，这就是载流子的倍增效应。当PN结反向电压增加到一定数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大。
（2）齐纳击穿
齐纳击穿的物理过程是这样的：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够直接破坏共价键，将束缚的价电子拉出来形成电子一空对，因而形成较大的反向电流。齐纳击穿一般发生在杂质浓度大的PN结中，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度也大，因而空间电荷区很窄，即使反向电压不太高，在PN结内可形成很强的电场，引起齐纳击穿。
一般整流二极管掺杂浓度不很高，它的电击穿多数是雪崩击穿。齐纳击穿多数出现在特殊的二极管中，如稳压二极管。由于击穿破坏了PN结的单向导电性，所以使用时应尽量避免出现击穿。
必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的，这就是说，当加在PN结两端的反向电压降低后，PN结仍可以恢复原来的状态。但有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿往往可为人们所利用（如稳压二极管），而热击穿则是必须避免的。
……

序言