基本信息
书名:纳米半导体器件与技术
定价:95.00元
作者:(加)印纽斯基,刘明,吕杭炳
出版社:国防工业出版社
出版日期:2013-12-01
ISBN:9787118090789
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.4kg
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内容提要
《纳米半导体器件与技术》(作者印纽斯基)这本 书由来自工业界和学术界的国际*专家参与撰写, 是 一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从 标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变,包括碳纳 米管、 石墨烯、量子点、III-V族材料。本书涉及纳米电子 器件的研究现状,提供了包罗万象的关 于材料和器件结构的资源.包括从微电子到纳电子的 革命。
本书分三个部分: 半导体材料(例如,碳纳米管,忆阻器及自旋有 机器件); 硅器件与技术(如BICMOS,SOI,各种三维集成和 RAM技术.以及太阳能电池); 复合半导体器件与技术。
本书探索了能够在微电子系统性能上传统 CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳 米管的电子输运GAN HEMTS技术及应用。针对万亿美 元纳米技术产业的真实市场需求和技 术壁垒,本书提供了新型元器件结构的重要信息.而 这将使其向未来的发展迈出一大步。
目录
作者介绍
文摘
序言
这本书的理论深度和广度实在令人惊叹,它不像一些教科书那样只是泛泛而谈,而是扎扎实实地构建了一个从基础物理到尖端应用的完整知识体系。作者显然对半导体器件的工作原理有着极其深刻的理解,无论是对PN结的精细分析,还是对复杂集成电路中各种效应的探讨,都展现出非凡的洞察力。特别是对新型材料特性的阐述,不仅仅停留在描述层面,而是深入挖掘了这些材料在提升器件性能上的潜力与挑战,这种严谨的科学态度非常值得称道。阅读过程中,我感觉自己仿佛站在了科研的前沿,跟随作者一起探索着半导体技术的每一次突破与演进。对于任何想要深入理解现代电子技术基石的工程师或研究生来说,这本书无疑是一部不可或缺的宝典,它提供的不仅仅是知识,更是一种严谨的思维范式。
评分这本书的排版和图表设计堪称典范,这是我阅读过的技术书籍中最赏心悦目的一本。清晰的层次结构、恰到好处的留白,以及高质量的示意图,极大地提升了阅读效率。很多教科书中的插图模糊不清或者过于简单,但这本书中的每一个图例都经过精心绘制,能够完美地诠释复杂的电学或材料学现象。特别是那些用来展示能带结构和载流子输运机制的图示,简直是艺术品级别的呈现,让读者能够一目了然地掌握核心机制,而无需在文字中艰难摸索。对于习惯于视觉学习的读者来说,这套精美的图文系统,是帮助巩固知识、加深理解的强大助力。
评分这本书为我提供了一个全新的视角来审视当前电子设备性能瓶颈的根源。它没有回避半导体技术在小型化、功耗控制方面所面临的根本性物理限制,反而将其作为驱动创新的核心动力。作者对可靠性工程和制造工艺窗口的讨论非常写实,体现了从实验室走向大规模量产的艰难历程。读完后,我意识到,提升性能不仅是材料和结构层面的革新,更是对物理限制的深刻理解和巧妙规避。这本书的价值在于,它不仅仅教授“如何做”,更重要的是教会读者思考“为什么会是这样”,以及“未来该如何超越现有边界”。它成功地将基础科学的严谨性与工程实践的务实性完美地结合在一起。
评分坦率地说,初次翻开这本书时,我对它能否满足我对“前沿技术细节”的渴求存有一丝疑虑。然而,接下来的内容完全打消了我的顾虑。书中对于器件结面的处理、量子效应在微观尺度下的影响,乃至对下一代存储技术(如MRAM或ReRAM)的深入探讨,都显示出作者并未满足于现有成熟技术,而是积极拥抱并解析着尚未完全普及的创新方案。书中对仿真方法学的介绍也极具实践价值,它教会读者如何利用现代计算工具来预测和优化器件性能,这在当前高度依赖模拟和验证的研发环境中至关重要。这本书绝非停留在概念介绍层面,它是一本能指导实际设计和解决棘手问题的工具书。
评分这本书的叙事风格极其流畅自然,读起来完全没有传统技术书籍那种枯燥乏味的感觉,更像是在听一位经验丰富的行业前辈娓娓道来。作者巧妙地将复杂的物理概念融入到实际的工程案例之中,使得那些原本晦涩难懂的公式和模型变得生动起来,易于理解和消化。我特别欣赏其中对历史发展脉络的梳理,清晰地勾勒出半导体技术是如何一步步走到今天的,这种宏观视角帮助读者更好地把握技术演进的趋势和关键转折点。每当遇到关键技术点时,书中总会穿插一些“过来人”的经验之谈,这些点睛之笔让阅读体验丰富多彩,也让读者对技术背后的“人”和“故事”有了更深的共鸣。
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