基本信息

書名:功率半導體器件基礎-英文版

定價：150.00元

售價：120.0元

作者:(美)巴利伽

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2012-06-01

ISBN：9787030343406

字數：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

編輯推薦

（1）本書作者是功率半導體器件領域的國際專傢，IGBT器件發明人之一。（2）本書結閤作者多年的實踐經驗，不僅深入討論瞭半導體功率器件的工作原理，而且采用計算機來驗證物理模型，並討論瞭實際復雜結構器件的優化設計。（3）各章都附有習題，便於讀者深入掌握基本概念，可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。

內容提要

《功率半導體器件基礎（英文版）》作者是功率半導體器件領域的專傢，IGBT器件發明人之一。《功率半導體器件基礎（英文版）》結閤作者多年的實踐經驗，深入討論瞭半導體功率器件的物理模型、工作原理、設計原則和應用特性，不僅詳細介紹瞭矽基器件，還討論瞭碳化矽器件的特性與設計要求。主要內容包括材料特性與輸運物理、擊穿電壓、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、雙極型晶體管、晶閘管、IGBT器件等。
《功率半導體器件基礎（英文版）》可作為微電子、電力電子等相關領域科研人員、工程技術人員的參考書，也可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。

目錄

作者介紹

文摘

序言