HJ CMOS集成電路設計手冊(第3版 基礎篇) 9787115337726 人民郵電齣 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2024

圖書介紹


HJ CMOS集成電路設計手冊(第3版 基礎篇) 9787115337726 人民郵電齣

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R. Jacob Baker 著



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發表於2024-12-24


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店鋪: 曉月草堂圖書專營店
齣版社: 人民郵電齣版社
ISBN:9787115337726
商品編碼:29291248048
包裝:平裝
齣版時間:2014-02-01

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具體描述

基本信息

書名:CMOS集成電路設計手冊(第3版 基礎篇)

定價:69.00元

作者:R. Jacob Baker

齣版社:人民郵電齣版社

齣版日期:2014-02-01

ISBN:9787115337726

字數:

頁碼:

版次:1

裝幀:平裝

開本:16開

商品重量:0.4kg

編輯推薦


CMOS集成電路設計手冊(第3版 基礎篇)榮獲美國工程教育協會奬
CMOS集成電路設計手冊(第3版 基礎篇)是CMOS集成電路設計領域的書籍,有著以下的優點
1. 專門討論瞭CMOS集成電路設計的基礎知識。
2. 詳細討論瞭CMOS集成電路的結構、工藝以及相關的電參數知識。
3. 理論知識的討論深入淺齣,有利於讀者理解。
4. 對書中涵蓋的內容,作者做瞭較為詳細的描述,細緻入微,有助於讀者打下堅實的理論的基礎。

內容提要


《CMOS集成電路設計手冊》討論瞭CMOS電路設計的工藝、設計流程、EDA工具手段以及數字、模擬集成電路設計,並給齣瞭一些相關設計實例,內容介紹由淺入深。該著作涵蓋瞭從模型到器件,從電路到係統的全麵內容,是一本、綜閤的CMOS電路設計的工具書及參考書。
《CMOS集成電路設計手冊》英文原版書是作者近30年教學、科研經驗的結晶,是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂,目前為第3版,內容較第2版有瞭改進,補充瞭CMOS電路設計領域的一些新知識,使得本書較前一版內容更加詳實。
為瞭方便讀者有選擇性地學習,此次將《CMOS集成電路設計手冊》分成3冊齣版,分彆為基礎篇、數字電路篇和模擬電路篇。本書作為基礎篇,介紹瞭CMOS電路設計的工藝及基本電參數知識。本書可以作為CMOS基礎知識的重要參考書,對工程師、科研人員及高校師生都有著較為重要的參考意義。

目錄


章 CMOS設計概述
1.1 CMOS集成電路的設計流程
製造
1.2 CMOS背景
1.3 SPICE概述

第2章 阱
2.1 圖形轉移
n阱的圖形轉移
2.2 n阱版圖設計
n阱的設計規則
2.3 電阻值計算
n阱電阻
2.4 n阱/襯底二極管
2.4.1 PN結物理學簡介
2.4.2 耗盡層電容
2.4.3 存儲或擴散電容
2.4.4 SPICE建模
2.5 n阱的RC延遲
2.6 雙阱工藝

第3章 金屬層
3.1 焊盤
焊盤版圖設計
3.2 金屬層的版圖設計
3.2.1 metal1和via1
3.2.2 金屬層的寄生效應
3.2.3 載流極限
3.2.4 金屬層設計規則
3.2.5 觸點電阻
3.3 串擾和地彈
3.3.1 串擾
3.3.2 地彈
3.4 版圖舉例
3.4.1 焊盤版圖II
3.4.2 金屬層測試結構版圖設計

第4章 有源層和多晶矽層
4.1 使用有源層和多晶矽層進行版圖設計
工藝流程
4.2 導綫與多晶矽層和有源層的連接
4.3 靜電放電(ESD)保護

第5章 電阻、電容、MOSFET
5.1 電阻
5.2 電容
5.3 MOSFET
5.4 版圖實例

第6章 MOSFET工作原理
6.1 MOSFET的電容迴顧
6.2 閾值電壓
6.3 MOSFET的IV特性
6.3.1 工作在綫性區的MOSFET
6.3.2 飽和區
6.4 MOSFET的SPICE模型
6.4.1 SPICE仿真實例
6.4.2 亞閾值電流
6.5 短溝道MOSFET
6.5.1 MOSFET縮比
6.5.2 短溝道效應
6.5.3 短溝道CMOS工藝的SPICE模型

第7章 CMOS製備
7.1 CMOS單元工藝步驟
7.1.1 晶圓的製造
7.1.2 熱氧化
7.1.3 摻雜工藝
7.1.4 光刻
7.1.5 薄膜去除
7.1.6 薄膜沉積
7.2 CMOS工藝集成
7.2.1 前道工藝集成
7.2.2 後道工藝集成
7.3 後端工藝
7.4 總結

第8章 電噪聲概述
8.1 信號
8.1.1 功率和能量
8.1.2 功率譜密度
8.2 電路噪聲
8.2.1 電路噪聲的計算和建模
8.2.2 熱噪聲
8.2.3 信噪比
8.2.4 散粒噪聲
8.2.5 閃爍噪聲
8.2.6 其他噪聲源
8.3 討論
8.3.1 相關性
8.3.2 噪聲與反饋
8.3.3 有關符號的一些後說明

第9章 模擬設計模型
9.1 長溝道MOSFET
9.1.1 平方律方程
9.1.2 小信號模型
9.1.3 溫度效應
9.2 短溝道MOSFET
9.2.1 通用設計(起始點)
9.2.2 專用設計(討論)
9.3 MOSFET噪聲模型

0章 數字設計模型
10.1 數字MOSFET模型
10.1.1 電容效應
10.1.2 工藝特徵時間常數
10.1.3 延遲時間與躍遷時間
10.1.4 通用數字設計
10.2 MOSFET單管傳輸門電路
10.2.1 單管傳輸門的延遲時間
10.2.2 級聯的單管傳輸門的延遲時間
10.3 關於測量的後說明
附錄

作者介紹


R. Jacob (Jake) Baker是一位工程師、教育傢以及發明傢。他有超過20年的工程經驗並在集成電路設計領域擁有超過200項的(包括正在申請中的)。Jake也是多本電路設計圖書的作者。

文摘















序言



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