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內容簡介

　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》主要講述微電子器件和集成電路的基礎理論。內容包括：微電子器件物理基礎；PN結；雙極晶體管及MOSFET結構、工作原理和特性；JFET及MES—FET概要；集成電路基本概念及集成電路設計方法。共計7章。
　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》可作為高等院校通信、計算機、自動化、光電等專業本科生學習微電子及IC方麵知識的技術基礎課教材。由於采用“積木式”結構，也可作為電子科學與技術及相關專業的本、專科高年級學生及研究生的專業課教材，又可作為從事微電子科學、電子器件、集成電路等工程研究和應用的有關人員的自學教材與參考書。

內頁插圖

目錄

第二版前言
第一版前言
符號錶
第1章 半導體物理基礎
1.1 半導體材料
1.1.1 半導體材料的原子構成
1.1.2 半導體材料的晶體結構
1.2 半導體中的電子
1.2.1 量子力學簡介
1.2.2 半導體中電子的特性與能帶
1.2.3 載流子
1.3 熱平衡狀態下載流子的濃度
1.3.1 電子的統計分布規律
1.3.2 載流子濃度與費米能級的關係
1.3.3 本徵半導體與雜質半導體
1.4 載流子的輸運
1.4.1 載流子的散射
1.4.2 載流子的漂移運動與遷移率
1.4.3 漂移電流與電導率
1.4.4 擴散運動與擴散係數
1.4.5 電流密度方程與愛因斯坦關係式
1.5 非平衡載流子
1.5.1 非平衡載流子的復閤與壽命
1.5.2 準費米能級
1.6 連續性方程與擴散方程
1.6.1 連續性方程
1.6.2 擴散方程
思考題1
習題1

第2章 PN結
2.1 平衡PN結能帶圖及空間電荷區
2.1.1 平衡PN結能帶圖
2.1.2 PN結的形成過程
2.1.3 平衡PN結的載流子濃度分布
2.2 理想PN結的伏安特性
2.2.1 PN結的正嚮特性
2.2.2 PN結的反嚮特性
2.2.3 理想PN結的伏安特性
2.3 實際PN結的特性
2.3.1 PN結空間電荷區中的復閤電流
2.3.2 PN結空間電荷區中的産生電流
2.3.3 PN結錶麵漏電流與錶麵復閤、産生電流
2.3.4 PN結的溫度特性
2.4 PN結的擊穿
2.4.1 PN結空間電荷區中的電場
2.4.2 PN結的雪崩擊穿和隧道擊穿
2.5 PN結的電容
2.5.1 PN結的勢壘電容
2.5.2 PN結的擴散電容
思考題2
習題2

第3章 雙極晶體管
3.1 雙極晶體管的結構
3.1.1 基本結構
3.1.2 晶體管的雜質分布
3.1.3 晶體管的實際結構
3.1.4 晶體管的結構特點
3.1.5 集成電路中的晶體管
3.2 雙極晶體管的放大原理
3.2.1 晶體管直流短路電流放大係數
3.2.2 晶體管內載流子的傳輸
3.2.3 發射效率和基區輸運係數
3.2.4 共基極直流電流放大係數
3.2.5 共射極直流電流放大係數島
3.3 雙極晶體管電流增益
3.3.1 均勻基區晶體管直流電流增益
3.3.2 緩變基區晶體管直流電流增益
3.3.3 影響電流放大係數的因素
3.3.4 大電流下晶體管放大係數的下降
3.4 雙極晶體管常用直流參數
3.4.1 反嚮截止電流
3.4.2 擊穿電壓
3.4.3 集電極最大電流
3.4.4 基極電阻
3.5 雙極晶體管直流伏安特性
……
第4章 結型場效應晶體管
第5章 MOSFET
第6章 集成電路概論
第7章 集成電路設計基礎
參考文獻
附錄

前言/序言

微電子器件與IC設計基礎（第二版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材 下載 mobi epub pdf txt 電子書

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