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内容简介

　　《半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了国内外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的较新成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

目录

前言绪论第1章 氧化物薄膜的制备技术1．1 真空蒸发技术1．1．1 金属和化合物蒸发1．1．2 蒸发源的加热装置1．2 MBE技术1．3 溅射技术1．3．1 双极直流反应溅射1．3．2 偏压溅射1．3．3 射频溅射1．3．4 磁控溅射1．3．5 离子束溅射1．4 离子镀技术1．5 CVD技术1．5．1 APCVD和LPCVD技术1．5．2 PECVD技术1．5．3 MOCVD技术1．6 溶液镀膜技术1．6．1 喷涂高温分解1．6．2 浸涂技术1．6．3 化学溶解生长1．6．4 sol-gel技术1．7 阳极氧化技术1．7．1 阳极氧化技术1．7．2 等离子体阳极氧化技术参考文献
第2章 氧化物半导体基础2．1 金属氧化物晶体结构2．1．1 MO型金属氧化物的典型晶体结构2．1．2 MO2型金属氧化物晶体的典型晶体结构2．1．3 M2O3型金属氧化物的典型晶体结构2．2 金属氧化物的缺陷2．2．1 金属氧化物晶体缺陷类型2．2．2 金属氧化物晶体点缺陷理论基础2．3 金属氧化物半导体的电学性质2．3．1 金属氧化物半导体的电子结构2．3．2 金属氧化物半导体的载流子浓度2．3．3 金属氧化物半导体载流子输运散射机制2．4 氧化物半导体的磁学性质2．4．1 稀磁氧化物半导体的掺杂元素2．4．2 氧化物半导体的铁磁性起源2．5 透明氧化物半导体的光学性质2．5．1 透明氧化物半导体的光学常数2．5．2 Burstein—Moss移动2．5．3 透明氧化物半导体薄膜的PL特性2．6 金属氧化物半导体的气敏特性参考文献
第3章 ZnO薄膜3．1 ZnO薄膜的晶体结构3．1．1 ZnO的晶体结构3．1．2 ZnO薄膜的XRD谱3．1．3 ZnO薄膜的Raman谱3．1．4 ZnO薄膜的RHEED图案3．1．5 ZnO薄膜的HRTEM图像3．2 ZnO的电子结构3．3 ZnO的本征点缺陷3．4 ZnO薄膜的电学性质3．4．1 本征ZnO的弱n型导电3．4．2 ZnO的掺杂3．4．3 ZnO薄膜载流子散射机制3．5 ZnO薄膜的磁学性质和压电性质3．5．1 ZnO基稀磁半导体3．5．2 ZnO薄膜的压电性质3．6 ZnO薄膜的光学性质3．6．1 ZnO薄膜的光透射谱3．6．2 ZnO薄膜的PL特性3．6．3 ZnO薄膜的激子受激发射特性参考文献
第4章 SnO2薄膜4．1 SnO2薄膜的晶体结构4．1．1 SnO2的晶体结构4．1．2 SnO2薄膜的XRD谱4．1．3 SnO2薄膜的Raman谱4．1．4 SnO2薄膜的TEM和HRTEM图像4．1．5 SnO2薄膜的XPS谱4．1．6 SnO2薄膜的RBS谱4．2 金红石Sn02的电子结构4．3 SnO2薄膜的电学性质4．3．1 金红石SnO2的本征缺陷4．3．2 金红石SnO2薄膜的掺杂4．3．3 金红石SnO2薄膜载流子散射机制4．3．4 铌铁矿SnO2薄膜的电学性质4．4 SnO2薄膜的磁学性质4．5 SnO2薄膜的光学特性4．5．1 SnO2薄膜的光透射谱4．5．2 SnO2薄膜的PL特性4．6 金红石SnO2薄膜的气敏特性参考文献
第5章 TiO2薄膜5．1 TiO2薄膜的晶体结构5．1．1 TiO2的晶体结构5．1．2 TiO2薄膜的XRD谱5．1．3 TiO2薄膜的Raman谱5．1．4 TiO2薄膜的XPS谱5．1．5 TiO2的RBS谱5．2 TiO2的电子结构5．3 TiO2的本征点缺陷5．4 TiO2薄膜的电学性质5．5 TiO2薄膜的磁学性质5．6 TiO2薄膜的光学性质5．6．1 TiO2薄膜的光透射谱5．6．2 TiO2薄膜的PL特性5．6．3 TiO2薄膜的光学常数5．7 TiO2薄膜的光催化特性参考文献
第6章 In2O3薄膜6．1 In2O3薄膜的晶体结构6．1．1 In2O3薄膜的晶体结构6．1．2 In2O3薄膜的XRD谱6．1．3 In2O3薄膜的Raman谱6．1．4 In2O3薄膜的HRTEM图像6．1．5 In2O3薄膜的XPS谱6．1．6 In2O3薄膜的RBS谱6．2 In2O3的电子结构6．3 IIn2O3薄膜的电学性质6．3．1 In2O3的本征点缺陷6．3．2 In2O3薄膜的电导特性6．3．3 In2O3薄膜载流子散射机制6．4 In2O3薄膜的磁学性质6．5 In2O3薄膜的光学性质6．5．1 In2O3薄膜的光透射谱6．5．2 In2O3薄膜的PL特性6．5．3 In2O3薄膜的光学常数6．6 In2O3薄膜的气敏特性参考文献
第7章 Ga2O3薄膜7．1 Ga2O3薄膜的晶体结构7．1．1 Ga2O3的晶体结构7．1．2 Ga2O3薄膜的XRD谱7．1．3 β-Ga2O3的薄膜HRTEM图像7．1．4 β-Ga2O3薄膜的Raman谱7．1．5 β-Ga2O3的XPS谱7．1．6 Ga2O3薄膜的RBS谱7．2 Ga2O3的电子结构7．3 Ga2O3薄膜的电学性质7．3．1 Ga2O3的点缺陷7．3．2 Ga2O3薄膜的电学性质7．4 Ga2O3薄膜的光学性质7．4．1 Ga2O3薄膜的光透射谱7．4．2 GGa2O3薄膜的PL特性7．4．3 Ga2O3的薄膜CL特性7．4．4 Ga2O3薄膜的光学常数7．5 β-Ga2O3薄膜的气敏特性参考文献
第8章 MgZnO薄膜8．1 MgZnO薄膜的晶体结构8．1．1 MgZnO薄膜的晶体结构8．1．2 MgZnO薄膜的XRD谱8．1．3 MgZnO薄膜的Raman谱8．1．4 MgZnO薄膜的AFM图像8．1．5 MgZnO薄膜的TEM和HRTEM图像8．1．6 MgZnO的XPS谱8．1．7 MgZnO薄膜的RBS谱8．2 MgZnO的电子结构8．3 MgznO薄膜的电学和磁学性质8．3．1 MgZnO薄膜的电学性质8．3．2 MgZnO薄膜的磁学性质8．4 MgZnO的光学性质8．4．1 MgZnO薄膜的光透射谱8．4．2 MgZnO薄膜的PL特性8．4．3 MgZnO薄膜的长波光学声子性质8．4．4 MgZnO薄膜的光学常数参考文献
第9章 GaIno和InGazno薄膜9．1 引言9．2 GaInO薄膜9．2．1 GaInO薄膜的晶体结构9．2．2 GaInO薄膜的电学性质9．2．3 GaInO薄膜的光学性质9．3 InGaZnO薄膜9．3．1 InGaZnO薄膜的晶体结构9．3．2 InGaZnO薄膜的电学性质9．3．3 InGaZnO薄膜的光学性质参考文献
第10章 透明氧化物电子学10．1 引言10．2 透明氧化物薄膜晶体管10．2．1 C—IGZO—TFT10．2．2 a—IGZO—TFT10．2．3 ZnO—一TFT10．3 紫外发光二极管和激光二极管10．3．1 UV—LED10．3．2 UV—LD10．4 透明UV探测器参考文献
索引《半导体科学与技术丛书》已出版书目彩图

前言/序言

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