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基本信息

书名:纳米集成电路制造工艺(第2版)

：89.00元

作者:张汝京 等

出版社：清华大学出版社

出版日期：2017-01-01

ISBN：9787302452331

字数：

页码：

版次：2

装帧：平装-胶订

开本：32开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

**大规模集成电路的生产工艺，从“微米级”到“纳米级”发生了许多根本上的变化。甚至，从45nm缩小至28nm（以及更小的线宽）也必须使用许多新的生产观念和技术。张汝京先生是随着半导体产业的发展成长起来的领军人物，见证了几个技术世代的兴起与淘汰。他本人有着深厚的学术根基，以及丰富的产业经验，其带领的团队是多年来在*半导体代工厂一线工作的科研人员，掌握了业界领先的制造工艺。他们处理实际问题的经验以及从产业出发的独特技术视角，相信会给读者带来启发和帮助。

内容提要

本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。

目录

目录

第1章半导体器件

1．1N型半导体和P型半导体

1．2PN结二极管

1．2．1PN结自建电压

1．2．2理想PN结二极管方程

1．3双极型晶体管

1．4金属�惭趸�物�舶氲继宄⌒в�晶体管

1．4．1线性模型

1．4．2非线性模型

1．4．3阈值电压

1．4．4衬底偏置效应

1．4．5亚阈值电流

1．4．6亚阈值理想因子的推导

1．5CMOS器件面临的挑战

1．6结型场效应晶体管

1．7肖特基势垒栅场效应晶体管

1．8高电子迁移率晶体管

1．9无结场效应晶体管

1．9．1圆柱体全包围栅无结场效应晶体管突变耗尽层近似器件模型

1．9．2圆柱体全包围栅无结场效应晶体管完整器件模型

1．9．3无结场效应晶体管器件制作

1．10量子阱场效应晶体管

1．11小结

参考文献

第2章集成电路制造工艺发展趋势

2.1引言

2.2横向微缩所推动的工艺发展趋势

2.2.1光刻技术

2.2.2沟槽填充技术

2.2.3互连层RC延迟的降低

2.3纵向微缩所推动的工艺发展趋势

2.3.1等效栅氧厚度的微缩

2.3.2源漏工程

2.3.3自对准硅化物工艺

2.4弥补几何微缩的等效扩充

2.4.1高k金属栅

2.4.2载流子迁移率提高技术

2.5展望

参考文献

第3章CMOS逻辑电路及存储器制造流程

3.1逻辑技术及工艺流程

3.1.1引言

3.1.2CMOS工艺流程

3．1．3适用于高k栅介质和金属栅的栅后形成或置换金属栅

CMOS工艺流程

3．1．4CMOS与鳍式MOSFET(FinFET)

3.2存储器技术和制造工艺

3.2.1概述

3.2.2DRAM和eDRAM

3.2.3闪存

3.2.4FeRAM

3.2.5PCRAM

3.2.6RRAM

3.2.7MRAM

3.2.83D NAND

3．2．9CMOS图像传感器

3．3无结场效应晶体管器件结构与工艺

参考文献

第4章电介质薄膜沉积工艺

4.1前言

4.2氧化膜/氮化膜工艺

4.3栅极电介质薄膜

4.3.1栅极氧化介电层�驳�氧化硅(SiOxNy)

4.3.2高k栅极介质

4.4半导体绝缘介质的填充

4.4.1高密度等离子体化学气相沉积工艺

4.4.2O3�睺EOS的亚常压化学气相沉积工艺

4.5**低介电常数薄膜

4.5.1前言

4.5.2RC delay对器件运算速度的影响

4.5.3k为2.7~3.0的低介电常数材料

4.5.4k为2.5的**低介电常数材料

4.5.5刻蚀停止层与铜阻挡层介电常数材料

参考文献

第5章应力工程

5.1简介

5.2源漏区嵌入技术

5.2.1嵌入式锗硅工艺

5.2.2嵌入式碳硅工艺

5.3应力记忆技术

5.3.1SMT技术的分类

5.3.2SMT的工艺流程

5.3.3SMT氮化硅工艺介绍及其发展

5.4双极应力刻蚀阻挡层

5.5应力效应提升技术

参考文献

第6章金属薄膜沉积工艺及金属化

6.1金属栅

6.1.1金属栅极的使用

6.1.2金属栅材料性能的要求

6.2自对准硅化物

6.2.1预清洁处理

6.2.2镍铂合金沉积

6.2.3盖帽层TiN沉积

6.3接触窗薄膜工艺

6.3.1前言

6.3.2主要的问题

6.3.3前处理工艺

6.3.4PVD Ti

6.3.5TiN制程

6.3.6W plug制程

6.4金属互连

6.4.1前言

6.4.2预清洁工艺

6.4.3阻挡层

6.4.4种子层

6.4.5铜化学电镀

6.4.6洗边和退火

6.5小结

参考文献

第7章光刻技术

7.1光刻技术简介

7.1.1光刻技术发展历史

7.1.2光刻的基本方法

7.1.3其他图像传递方法

7.2光刻的系统参数

7.2.1波长、数值孔径、像空间介质折射率

7.2.2光刻分辨率的表示

7.3光刻工艺流程

7.4光刻工艺窗口以及图形完整性评价方法

7.4.1曝光能量宽裕度, 归一化图像对数斜率(NILS)

7.4.2对焦深度(找平方法)

7.4.3掩膜版误差因子

7.4.4线宽均匀性

7.4.5光刻胶形貌

7.4.6对准、套刻精度

7.4.7缺陷的检测、分类、原理以及排除方法

7.5相干和部分相干成像

7.5.1光刻成像模型，调制传递函数

7.5.2点扩散函数

7.5.3偏振效应

7.5.4掩膜版三维尺寸效应

7.6光刻设备和材料

7.6.1光刻机原理介绍

7.6.2光学像差及其对光刻工艺窗口的影响

7.6.3光刻胶配制原理

7.6.4掩膜版制作介绍

7.7与分辨率相关工艺窗口增强方法

7.7.1离轴照明

7.7.2相移掩膜版

7.7.3亚衍射散射条

7.7.4光学邻近效应修正

7.7.5二重图形技术

7.7.6浸没式光刻

7.7.7极紫外光刻

参考文献

第8章干法刻蚀

8.1引言

8.1.1等离子刻蚀

8.1.2干法刻蚀机的发展

8.1.3干法刻蚀的度量

8.2干法刻蚀建模

8.2.1基本原理模拟

8.2.2经验模型

8.3先进的干法刻蚀反应器

8.3.1泛林半导体

8.3.2东京电子

8.3.3应用材料

8.4干法刻蚀应用

8.4.1浅槽隔离(STI)刻蚀

8.4.2多晶硅栅刻蚀

8.4.3栅侧墙刻蚀

8.4.4钨接触孔刻蚀

8.4.5铜通孔刻蚀

8.4.6电介质沟槽刻蚀

8.4.7铝垫刻蚀

8.4.8灰化

8.4.9新近出现的刻蚀

8.5先进的刻蚀工艺控制

参考文献

第9章集成电路制造中的污染和清洗技术

9.1IC 制造过程中的污染源

9.2IC污染对器件的影响

9.3晶片的湿法处理概述

9.3.1晶片湿法处理的要求

9.3.2晶片湿法处理的机理

9.3.3晶片湿法处理的范围

9.4晶片表面颗粒去除方法

9.4.1颗粒化学去除

9.4.2颗粒物理去除

9.5制程沉积膜前/后清洗

9.6制程光阻清洗

9.7晶片湿法刻蚀技术

9.7.1晶片湿法刻蚀过程原理

9.7.2硅湿法刻蚀

9.7.3氧化硅湿法刻蚀

9.7.4氮化硅湿法刻蚀

9.7.5金属湿法刻蚀

9.8晶背/边缘清洗和膜层去除

9.965nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用

9.9.1栅极表面预处理

9.9.2叠层栅极: 选择性刻蚀和清洗

9.9.3临时poly�睸i 去除

9.10湿法清洗机台及其冲洗和干燥技术

9.10.1单片旋转喷淋清洗机

9.10.2批旋转喷淋清洗机

9.10.3批浸泡式清洗机

9.11污染清洗中的测量与表征

9.11.1颗粒量测

9.11.2金属离子检测

9.11.3四探针厚度测量

9.11.4椭圆偏光厚度测量

9.11.5其他度量

参考文献

第10章**浅结技术

10.1简介

10.2离子注入

10.3快速热处理工艺

参考文献

第11章化学机械平坦化

11.1引言

11.2浅槽隔离抛光

11.2.1STI CMP的要求和演化

11.2.2氧化铈研磨液的特点

11.2.3固定研磨粒抛光工艺

11.3铜抛光

11.3.1Cu CMP的过程和机理

11.3.2先进工艺对Cu CMP的挑战

11.3.3Cu CMP产生的缺陷

11.4高k金属栅抛光的挑战

11.4.1CMP在高k金属栅形成中的应用

11.4.2ILD0 CMP的方法及使用的研磨液

11.4.3Al CMP的方法及使用的研磨液

11.5GST抛光(GST CMP)

11.5.1GST CMP的应用

11.5.2GST CMP的挑战

11.6小结

参考文献

第12章器件参数和工艺相关性

12.1MOS电性参数

12.2栅极氧化层制程对MOS电性参数的影响

12.3栅极制程对MOS电性参数的影响

12.4**浅结对MOS电性参数的影响

12.5金属硅化物对MOS电性参数的影响

12.6多重连导线

第13章可制造性设计

13.1介绍

13.2DFM技术和工作流程

13.2.1光刻 DFM

13.2.2Metal��1图形的例子

13.3CMP DFM

13.4DFM展望

参考文献

第14章半导体器件失效分析

14.1失效分析概论

14.1.1失效分析基本原则

14.1.2失效分析流程

14.2失效分析技术

14.2.1封装器件的分析技术

14.2.2开封技术

14.2.3失效定位技术

14.2.4样品制备技术

14.2.5微分析技术

14.2.6表面分析技术

14.3案例分析

参考文献

第15章集成电路可靠性介绍

15.1热载流子效应 (HCI)

15.1.1HCI的机理

15.1.2HCI 寿命模型

15.2负偏压温度不稳定性(NBTI)

15.2.1NBTI机理

15.2.2NBTI模型

15.3经时介电层击穿(TDDB)

15.4电压斜坡(V�瞨amp)和电流斜坡(J�瞨amp)测量技术

15.5氧化层击穿寿命预测

15.6电迁移

15.7应力迁移

15.8集成电路可靠性面临的挑战纳米集成电路制造工艺(第2版) 电子书 下载 mobi epub pdf txt

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