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編輯推薦

《LED照明設計與應用（修訂版）》可作為照明相關領域的專業參考書，而且對希望係統全麵瞭解LED照明知識的人士而言，也將是一部不可多得的專業讀物。

內容簡介

《LED照明設計與應用（修訂版）》是一部關於LED照明的係統讀物，主要由五部分組成，即基礎篇、測試方法篇、設計指南篇、應用篇與資料篇。通過閱讀《LED照明設計與應用（修訂版）》可幫助讀者全方位瞭解LED的工作原理、測試方法、設計原理與應用等方麵的知識，此外《LED照明設計與應用（修訂版）》的資料篇，相信讀者在實際應用時也會有一定的參考價值。《LED照明設計與應用（修訂版）》通過大量的插圖與錶格對內容進行深入淺齣的論述，使之達到瞭通俗易懂、簡明扼要的效果，非常適閤讀者學習。

內頁插圖

目錄

第1章 基礎篇
1.1 LED的曆史
1.1.1 砷（As）類的化閤物半導體LED——GaAs類的紅外LED及AlGaAs類的紅光LED
1.1.2 砷（As）、磷（P）類化閤物半導體LED——GaAsP類紅光LED
1.1.3（P）類化閤物半導體LED——GaP類綠光LED
1.1.4 磷（P）類的四元混晶化閤物半導體LED——AlGaInP類黃綠光~紅光LED
1.1.5 氮（N）類化閤物半導體LED——GaN類藍光LED與綠光LED
1.1.6 氮（N）類化閤物半導體LED——GaN類白光LED
1.2 LED的發光原理（半導體發光原理與性質）
1.2.1 何謂LED（發光二極管）
1.2.2 發光二極管與白熾燈的差異
1.2.3 發光原理
1.2.4 發光波長的分布
1.3 白光的原理
1.3.1 何為白光
1.3.2 白光LED的實現方法
1.4 LED光源的特點
1.4.1 LED與傳統光源的比較
1.4.2 光學特性
1.4.3 電氣特性
1.4.4 可靠性
1.4.5 其他
1.5 白光LED器件
1.5.1 白光LED器件的構造與性能
1.5.2 構成材料——封裝樹脂
1.5.3 構成材料——熒光粉
1.5.4 構成材料——LED芯片
1.5.5 構成材料——外罩
1.6 白光LED器件的製造
1.6.1 晶錠生成（單晶製造）
1.6.2 單晶晶片製造
1.6.3 外延層生長
1.6.4 LED芯片製造
1.6.5 白光LED器件製造
1.7 熱點話題（新技術介紹）
1.7.1 LED用熒光粉
1.7.2 GaN襯底LED

第2章 測試方法篇
2.1 電氣特性的標準和測試方法
2.2 光特性的標準與測試方法
2.3 溫度特性的標準與測試方法
2.4 熱特性的標準與測試方法
2.5 壽命的標準與測試方法
2.6 可靠性的標準與測試方法
2.7 安全性的標準與測試方法
附錄 相關標準與組織一覽錶

第3章 設計指南篇
3.1 照明燈具的設計流程
3.1.1 照明燈具的要求
3.1.2 綜閤效率
3.1.3 LED芯片的選擇與工作點設定
3.1.4 配光控製方式的選擇
3.1.5 電路方式的選擇
3.1.6 散熱設計
3.2 光學設計
3.2.1 概述
3.2.2 使用需求的確定
3.2.3 LED芯片的選定
3.2.4 光學設計
3.3 電路設計
3.3.1 概述
3.3.2 LED基本特性
3.3.3 LED驅動方式
3.3.4 亮度控製
3.3.5 LED的集成電路
3.3.6 電源電路
3.3.7 電源係統
3.4 可靠性設計
3.4.1 散熱設計
3.4.2 靜電防護
3.5 安全設計
3.5.1 概述
3.5.2 安全設計與法規
3.5.3 具體的安全設計
3.5.4 法律法規
3.5.5 對人體的影響和生物安全性
3.5.6 對環境的影響
3.5.7 小結ⅹ�L

第4章 應用篇
4.1 照明領域
4.1.1 住宅領域
4.1.2 設施領域
4.1.3 店鋪領域
4.1.4 外領域
4.1.5 效果錶現領域
4.2 背光領域
4.3 道路交通領域
4.3.1 LED信號燈
4.3.2 隧道標識燈
4.3.3 路燈
4.3.4 步道燈
4.3.5 防犯燈
4.3.6 庭院燈
4.4 移動物體領域
4.4.1 汽車
4.4.2 火車車廂
4.5 標識與顯示屏領域
4.5.1 標識領域
4.5.2 彩色顯示屏領域
4.6 其他領域

第5章 資料篇
5.1 用語解釋
5.2 LED照明推進協會的活動
5.3 主要企業的技術與産品信息

精彩書摘

1907年，首次發現作為研磨劑的碳化矽晶體（SiC）通電後可以發光的現象。該發光現象與火光、放電光、黑體輻射不同，是一種固體物質通電後發光的新形態。這種現象被發現之後，人們就對SiC和Ⅱ-Ⅳ族化閤物半導體的礦物質發光現象展開研究。
20世紀50年代後，隨著半導體知識的不斷積纍，以及人工製作發光結構技術的不斷提高，人們開始嘗試利用半導體晶體的發光現象。1952年人工閤成的Ge、Si晶體的pn結發光，促成瞭1954年人工閤成GaP晶體發光的誕生。
1.1.1 砷（As）類的化閤物半導體LED——GaAs類的紅外LED及AlGaAs類的紅光LED（1，2）
1954年從研究GaAs晶體生長開始，針對GaAs襯底的氣相外延生長法（Vapor—phase epitaxy，VPE）和液相外延生長法（liquid—phaseepitaxy，LPE）進行瞭大量的研究。1962年發錶瞭有關GaAs紅外LED和紅外激光二極管（laser diode，LD）的研究報告，並在世界上首次銷售GaAs類紅外LED（發光波長870nm，價格130美元）。隨後在GaAs中摻入微量的Si後，發現僅改變生長溫度就可以生長齣優良的pn結晶體，由此生産齣瞭外部量子效率高達6％、質量很高的GaAs類紅外LED。
有關GaAs中加入Al的三元混晶類的AlGaAs類LED，當初把與Al親和力較高的氧氣混閤到結晶中後，雖發生過不發光的問題，但自1968年AlGaAs外延膜生長法成功後，便實現瞭AlGaAs／GaAs類的高效率紅外LED。該類彆的LED作為遙控器、LAN（10cal areanetwork）的光源正在被廣泛地應用。
1.1.2 砷（As）、磷（P）類化閤物半導體LED——GaAsP類紅光LED（1，2）
1962年首次實現瞭可見光LED，它是通過GaAs襯底上生成GaAsP外延膜而實現的。1968～1970年由於各公司競相采用LED作為計算器、手錶顯示器的光源，因此每隔數月銷售量便翻倍，創下瞭驚人的銷售記錄。
1.1.3 磷（P）類化閤物半導體LED——GaP類綠光LED（1，2）
1963年初次實現瞭GaP的pn結紅光LED。不同於直接遷移型的GaAs，GaP是問接型半導體，發齣的光亮度比預想的要高，這在當時還是個謎。1965年，提齣由於在GaP中添加雜質後，在雜質離子的附近電子和空穴易聚集的構造。
……

前言/序言

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