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內容簡介

　　本書從非微電子專業讀者掌握VLSI設計知識和技能的需求齣發，以器件、電路和係統設計為背景，係統全麵地介紹VLSI設計的知識和方法，主要內容包括VLSI設計概論、MOS器件設計、半導體工藝基礎知識、電路設計及參數計算、基本邏輯電路設計、VLSI版圖設計、半定製全定製及片上係統(SOC)的設計方法以及VLSI計算機輔助設計等。
　　本書是作者十多年來在清華大學計算機科學與技術係為本科生和研究生開設VLSI設計相關課程教學與VLSI EDA研究的經驗基礎上，結閤目前集成電路設計的發展狀況編寫而成。本書作為VLSI設計導論性書籍，內容廣泛，敘述由淺入深，既可作為大專院校計算機、自動化、電機和機電等專業本科生和研究生學習的教材或參考書，也可作為從事VLSI設計的技術人員的參考書。

目錄

第1章　集成電路設計概論
1.1　集成電路的發展
1.2　集成電路設計的發展
1.3　電子設計自動化技術的發展
1.4　深亞微米和超深亞微米工藝對EDA技術的挑戰
1.5　VLSI設計的要求
1.6　VLSI的設計方法學
習題
第2章　CMOS集成電路製造技術
2.1　半導體材料--矽
2.2　集成電路製造技術簡介
2.2.1　熱氧化工藝
2.2.2　擴散工藝
2.2.3　澱積工藝
2.2.4　光刻工藝
2.3　CMOS集成電路製造過程
2.3.1　晶圓處理
2.3.2　CMOS集成電路工藝(前部工序)
2.3.3　後部工序
習題
第3章　器件設計技術
3.1　引言
3.2　MOS晶體管的工作原理
3.2.1　半導體的錶麵場效應
3.2.2　PN結的單嚮導電性
3.2.3　MOS管的工作原理
3.3　MOS晶體管的直流特性
3.3.1　NMOS管的電流-電壓特性
3.3.2　PMOS管的電流-電壓特性
3.4　反相器直流特性
3.4.1　MOS反相器的一般問題
3.4.2　電阻負載反相器(E／R)
3.4.3　增強型負載反相器(E／E)
3.4.4　耗盡型負載反相器(E／D)
3.4.5　CMOS反相器
習題
第4章　電路參數及性能
4.1　MOS晶體管的參數
4.1.1　閾值(開啓)電壓
4.1.2　溝道長度調製效應
4.1.3　漏-源截止電流
4.1.4　直流導通電阻
4.1.5　柵-源直流輸入電阻·
4.1.6　柵-源擊穿電壓
4.1.7　漏-源擊穿電壓
4.2　信號傳輸延遲
4.2.1　CMOS門延遲
4.2.2　連綫延遲
4.2.3　電路扇齣延遲
4.2.4　大電容負載驅動電路
4.3　CMOS電路功耗
4.3.1　CMOS電路的靜態功耗
4.3.2　CMOS電路的動態功耗
4.3.3　電路總功耗
4.3.4　功耗管理
4.4　CMOS電路的閘流效應
4.4.1　閘流效應的起因
4.4.2　閘流效應的控製
4.5　電路模擬HSPICE簡介
……
第5章　邏輯設計技術
第6章　子係統設計
第7章　版圖設計技術
第8章　係統設計方法與實現技術
第9章　數字係統設計自動化
參考文獻

前言/序言

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